中国DUV量产叠加AI资本开支担忧等因素，引发美韩半导体板块抛售，韩国KOSPI指数触发熔断

BlockBeats 消息，7 月 28 日，韩国 KOSPI 指数今日下跌 8% 触发熔断机制，SK 海力士跌超 12%，三星电子跌超 10%，美股周一费城半导体指数一度跌超 5%。本轮美股与韩股半导体板块大跌，主要由中国芯片产业进展、AI 资本开支担忧及投资者高位获利了结等因素共同推动。 中国在半导体制造设备领域取得进展，中国企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，引发半导体设备股抛售，阿斯麦（ASML）大跌 5.80%。不过，三星证券指出，相关设备仍需验证量产能力，短期产量有限，且中国 AI 芯片和服务器 DRAM 暂难进入美国数据中心生态，对本轮 AI 半导体周期的实际影响有限。此外，Citrini 分析师 Jukan 表示，中国在 DUV 光刻技术方面取得进展的消息并不特别令人意外，市场此前已对此形成一定预期。The Information 的相关报道仅援引中国某所交通大学教授在 6 月一次内部会议上的发言，并未披露更多实质性信息。ASML 等半导体设备股出现的抛售反应过度。 摩根大通认为，中国国产浸没式 DUV 光刻设备虽已开始小规模生产，并计划于 2026 年和 2027 年分别生产约 5 台和 20 台，但其性能、可靠性及大规模量产能力仍需进一步验证，距离真正替代 ASML 设备尚远。近期 ASML 等半导体股下跌更多源于市场情绪恶化，而非基本面受损，ASML 的业绩轨迹预计不会因此改变。 长鑫科技上市首日上涨 466%，成为中国市值最大的 A 股上市公司，市场认为中国存储产业自给化进程可能加速。分析认为，长鑫科技完成亚洲今年规模最大的 IPO 后，意味着公司资本更充足，进一步提升其未来扩产、技术研发等能力。给全球存储芯片龙头造成长期竞争压力。受此影响，存储板块全线下跌，闪迪（SNDK）跌 11.02%、海力士（SKHY）跌 7.47%、西部数据（WDC）跌 4.21%。 与此同时，英伟达近期公布 7500 亿美元的大规模基础设施合作重新引发市场对 AI 资本开支回报、循环融资及供应商融资风险的担忧。投资者开始质疑巨额数据中心投入能否转化为足够收入，相关担忧进一步压制芯片股估值。英伟达的债务违约保险成本飙升，引发科技股走低，英伟达（NVDA）跌 4.99%。野村资产管理公司首席策略师 Hideyuki Ishiguro 表示，在有关英伟达重大投资交易的报道后，其信用风险上升，这