彭博社:长江存储完成上市辅导,或成为中国下一家大型芯片IPO企业
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CXMT以500枚HYPE购得HIP-3 ticker,拟于7月27日IPO前在IPOP上线
Odaily星球日报讯 HyperliquidNews 在 X 平台发文表示,新的 HIP-3 ticker CXMT 已以 500 枚 HYPE 购得,价值 32625 美元。该 ticker 面向中国存储芯片制造商 CXMT,计划在其预计于 7 月 27 日进行 IPO 前上线 IPOP。
KIOXIA跌出NAND前三却涨幅居首,已盈利330%聪明钱为何仍高看53%?
火星财经消息,8 月 17 日,据 TradingBeats 监测显示,KIOXIA 今日上涨 13.9%,现报 390.73 美元,成为 Trade.xyz 全部活跃标的中涨幅最大的合约。同期 SNDK、WDC、SKHX 与...
本周用户最关心股票Top5:Neocloud板块走强,SpaceX股票解禁与宇树科技IPO受关注
BlockBeats 消息,8 月 14 日,本周市场关注焦点继续围绕 AI 算力、云计算订单及具身智能展开。CoreWeave 和 Nebius 凭借业绩增长及订单预期走强,闪迪在投资者日公布中长期目标后获得资金关注;与此同时,SpaceX 即将迎来第二批股票解禁,宇树科技科创板 IPO 申购结果正式出炉。 CoreWeave(周内涨约 20.41%):Q2 营收达 25.8 亿美元,同比接近翻倍,积压订单增至 1040 亿美元。AI 算力需求维持强劲,但较高的资本开支及债务水平仍可能放大股价波动。 Nebius(周内涨约 34.20%):Q2 营收达 5.823 亿美元,同比增长 454%,调整后 EBITDA 达 2.362 亿美元。公司上调 AI 云业务订单和电力目标,成为推动股价走强的主要因素。 闪迪(单日涨约 16%):公司在投资者日提出 FY28-FY30 营收实现中高双位数增长、毛利率约 80% 的目标。随着 AI 存储需求持续升温,市场开始重新评估其 NAND 业务增长空间。 SpaceX(周内涨约 2.70%):公司会议再次强调 Starlink 与 AI 算力业务,股价盘中一度升至 148.44 美元。下周第二批股票解禁前,星链规模、发射节奏及流通盘变化仍是估值主线。 宇树科技(科创板 IPO):公司于 8 月 10 日启动网上申购,8 月 14 日公布中签结果,募资约 42.02 亿元,估值超过 400 亿元。人形机器人出货、盈利能力及上市进程继续牵引具身智能板块关注度。
铠侠加速 AI 用 NAND 布局,量产 PCIe 6.0 及 UFS 5.0 产品追赶韩厂
火星财经消息,日本 NAND 厂商铠侠(Kioxia)正加速布局 AI 用 NAND 市场,今年已启动第 10 代(BiCS 10)332 层 3D NAND 量产,并基于此推出支持 PCIe 6.0 的数据中心 eSSD“CM10”,顺序读取性能较前代提升达 92%。此外,铠侠计划于今年年底量产 UFS 5.0 嵌入式存储,数据传输速度较 UFS 4.1 提升约 2 倍,主攻端侧 AI 移动设备市场。据 TrendForce 数据,铠侠今年一季度全球 NAND 市场份额为 13.9%,位列第三,次于三星电子(31.6%)和 SK 海力士(17.6%)。韩厂同样加快脚步。三星已于上月量产 PCIe 6.0 eSSD“PM1763”,搭载第 9 代 V-NAND 和 4nm 控制器,UFS 5.0 计划于第四季度量产。三星还宣布本月起量产第 10 代 V-NAND(约 430 层),首次应用混合键合及三堆叠工艺。行业分析认为,铠侠在技术迭代速度上颇具竞争力,但产能规模仍与韩厂存在差距,后续 AI 存储市场竞争将更趋激烈。
海力士子公司Solidigm寻求IPO前融资,目标估值50万亿韩元
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示,韩国媒体报道称,SK hynix 子公司 Solidigm 正在寻求 IPO 前融资,可能为纳斯达克上市做准备。报道称,该公司在本轮融资中的目标估值为 50 万亿韩元。Solidigm 是 SK hynix 于 2021 年成立的美国子公司,用于承接 Intel 的 NAND 闪存和 SSD 业务,SK hynix 于 2020 年同意以约 10 万亿韩元收购该业务。
铠侠与闪迪发布全球最高密度3D NAND闪存,332层QLC接口速率达4800MT/s
BlockBeats 消息,8 月 5 日,铠侠(Kioxia)与闪迪(Sandisk)在 Future of Memory and Storage Conference(FMS)上正式发布最新 BiCS10 3D QLC NAND 闪存芯片,号称目前全球已正式推出的最高存储密度 3D NAND 产品。 据介绍,该芯片采用 332 层堆叠结构,单位面积存储密度达到 37 Gb/mm²,搭载最高 4800 MT/s 高速接口,并支持独立命令地址(SCA)功能,主要面向高容量数据中心级 SSD 市场。 相比此前两家公司推出的 BiCS10 3D TLC NAND 产品,其存储密度超过 29 Gb/mm²,新款 QLC NAND 进一步提升了数据中心存储容量密度。业内预计,在采用相近芯片尺寸和存储单元数量的情况下,该芯片容量可能达到约 1.33Tb,但厂商尚未公布具体容量规格。 为满足数据中心对高性能与低功耗的需求,铠侠与闪迪还引入低功耗隔离低抽头终端(PI-LTT)技术,在提升高速信号完整性的同时降低输出驱动功耗。 两家公司表示,基于最新 BiCS10 制程工艺,新一代 QLC NAND 不仅实现更高位密度,也有望在产能爬坡后降低制造成本,从而支持更高容量 SSD 以更具竞争力的价格进入市场。