闪迪专利曝光3D存算架构：HBM与NAND分层协同
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存储市场迎涨价潮：DRAM、NAND供应紧张，AI需求推动产业链扩产
火星财经消息，8 月 4 日，存储市场持续升温，多家机构预计 DRAM、NAND 价格将在供应紧张和 AI 算力需求推动下继续上涨。 SK 海力士与闪迪已发布首份高带宽闪存（HBF）标准规范，推动新型存储技术发展。同时，韩国单层 NAND 产品 7 月平均售价环比上涨 35%，创历史新高。 TrendForce 预计，由于供应短缺，2026 年第三季度 PC DRAM 固定交易价格或环比上涨 15% 至 20%。另有消息称，全球三大存储厂商已完成 2027 年全年产能分配谈判，DRAM 和 HBM 产能基本售罄。 产业链方面，三星电子晶圆代工业务预计年内产能利用率达到 100%。Counterpoint 数据显示，三星电子正在扩大 DRAM 市场份额优势，美光与 SK 海力士的竞争进一步加剧。 终端市场方面，内存供应紧张已影响消费电子产品供应。有消息称，MacBook Air 因内存短缺出现供货紧张。 此外，韩国 AI 芯片独角兽 DeepX 估值据称飙升 4 倍至 3.14 万亿韩元，显示 AI 芯片及存储产业链热度持续提升。
Citrini分析师质疑闪迪HBF性能对比：演示参数或低估HBM实际能力
火星财经消息，8 月 14 日，Citrini 分析师 Zephyr 发文质疑闪迪在投资者日展示的 HBF 与 HBM 性能对比存在参数设置偏差，认为公司在演示中「刻意低估了 HBM 的性能」。 他指出，闪迪在对比中将 HBM 与 HBF 的总带宽均设为 12.8TB/s，相当于每个堆栈 1.6TB/s；同时采用 bfloat16 运行 Qwen3-480B-A35B 模型。Zephyr 称，当前模型推理更多使用 FP4 或 FP8，因此该模型在不同量化方式下所需容量约为 240GB 至 480GB。 Zephyr 还表示，闪迪将 HBM 单 GPU 容量固定为 192GB，但 16 层 HBM4E 在 8 个堆栈配置下可达到 512GB 容量，并提供约 32TB/s 带宽，约为闪迪演示参数的 3 倍。 其认为，上述参数选择使闪迪展示的「HBF 仅需 1 至 4 个 GPU，而 HBM 需要 8 个 GPU」的结果不能充分代表更高规格 HBM 配置下的实际性能。
美股盘前要闻一览：光通信、存储板块盘前大涨；全球最小GPU芯片通过实测；机构称英伟达评估下调Rubin Ultra平台的HBM配置
火星财经消息,投资者需重点关注的美股市场财经要闻如下：1、美三大股指期货集体上行。道琼斯指数期货涨1.25%，标普500指数期货涨0.35%，纳斯达克100指数期货涨1.11%。2、国际油价集体下挫。WTI原油期货价格跌3.33%，报77.663美元/桶；布伦特原油期货价格跌2.57%，报81.621美元/桶。消息面上，美财长贝森特称，美国可能明日与伊朗达成协议以开放霍尔木兹海峡。3、国际金银现货集体走高。现货黄金价格涨0.43%，报4072.67美元/盎司；现货白银价格涨2.72%，报59.74美元/盎司。4、欧洲三大股指集体上涨。英国富时100指数涨0.34%，法国CAC40指数涨0.32%，德国DAX30指数涨0.82%。5、美股光通信板块盘前大幅拉升，Coherent涨超13%，Lumentum涨超12%，康宁、迈威尔科技涨近8%。存储股普涨，闪迪涨超5%，美光科技、SK海力士涨超4%。6、AI应用股Palantir盘前大涨15%。公司二季度营收19.4亿美元，高于市场预期，并上调全年营收指引至81.5亿-81.6亿美元。7、全球最小GPU芯片TinyGPU v2.0据悉通过实机测试。该芯片约有24万个晶体管，具备4-bit双缓冲，以及存储在QSPI RAM中的8-bit深度缓冲。8、SpaceX正在设计其卫星系统，以适应由人工智能、机器学习和边缘计算驱动的数据需求的爆炸式增长，其目标是部署一个最多达一百万颗卫星的系统。与此同时，SpaceX将于今晚美股盘后交出其上市后的首份成绩单。9、集邦咨询表示，DRAM供不应求格局将延续至2027年，英伟达评估下调Rubin Ultra平台的HBM配置。部分云端服务供应商也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。10、马斯克7月单月身价缩水3630亿美元，这一缩水幅度超过了全球第2至第10大富豪中任何一人的全部身家。(财联社)
DigiTimes：2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息，8 月 4 日，据 DigiTimes 报道，2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张，但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称，部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应，因为担心更多厂商加入产能争夺后，自身能够获得的配额进一步减少。目前，存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%，并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响，智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称，在产能几乎全部售罄的情况下，尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称，高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和，2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨，但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
集邦咨询：2027年存储器市场走势分化 DRAM供给持续紧缺 NAND Flash转趋宽松
火星财经消息,根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。(财联社)
高盛观点：存储市场显露结构性变化，NAND部分替代DRAM用以降本成为实际趋势
BlockBeats 消息，7 月 16 日，Citirni 分析师 Jukan 引述高盛月度电话会议的内存板块点评，客户对 DRAM 接近 30% 的价格涨幅表现出强烈抵制，因此小幅下调第三季度 DRAM 价格增长预期。与此同时 NAND 前景变得更为乐观——AI 相关的 KV Cache 卸载需求持续超预期，叠加市场上出现用 NAND 替代昂贵 DRAM 的新兴趋势，进一步支撑 NAND 需求。分析师对 SK 海力士第二季度业绩持正面看法，预计营收约 85 万亿韩元，毛利率高达 63%，相关标的包括 SK 海力士、美光及闪迪。 点评还透露出存储市场的结构性变化。此前 AI 服务器对 HBM 的爆发式需求带动 DRAM 价格飙升，但当涨幅触及 30% 后客户开始抗拒继续涨价，涨价斜率面临阶段性放缓。而 NAND 正在抢占 AI 基础设施中的新角色——KV Cache 在推理场景中至关重要，用较便宜的 NAND 部分替代昂贵的 DRAM 以降低成本正在成为实际趋势。这种分化也意味着存储产业链内部资金轮动或将延续，投资者对 DRAM 相关标的短期盈利预期需更谨慎，而 NAND 端的基本面改善可能还未被充分定价。