高盛观点:存储市场显露结构性变化,NAND部分替代DRAM用以降本成为实际趋势
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SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点,HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息,8 月 4 日,Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称,2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示,SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示,这一结果与市场此前预期有所不同,主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨,而是在重新谈判后出现下调,同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外,SK 海力士较早签署长期供应协议(LTA),其固定供应价格据称低于竞争对手,也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为,凭借 HBM3E 供应优势,SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明,美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
DigiTimes:2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息,8 月 4 日,据 DigiTimes 报道,2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张,但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称,部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应,因为担心更多厂商加入产能争夺后,自身能够获得的配额进一步减少。目前,存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%,并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响,智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称,在产能几乎全部售罄的情况下,尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称,高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和,2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨,但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
存储市场迎涨价潮:DRAM、NAND供应紧张,AI需求推动产业链扩产
火星财经消息,8 月 4 日,存储市场持续升温,多家机构预计 DRAM、NAND 价格将在供应紧张和 AI 算力需求推动下继续上涨。 SK 海力士与闪迪已发布首份高带宽闪存(HBF)标准规范,推动新型存储技术发展。同时,韩国单层 NAND 产品 7 月平均售价环比上涨 35%,创历史新高。 TrendForce 预计,由于供应短缺,2026 年第三季度 PC DRAM 固定交易价格或环比上涨 15% 至 20%。另有消息称,全球三大存储厂商已完成 2027 年全年产能分配谈判,DRAM 和 HBM 产能基本售罄。 产业链方面,三星电子晶圆代工业务预计年内产能利用率达到 100%。Counterpoint 数据显示,三星电子正在扩大 DRAM 市场份额优势,美光与 SK 海力士的竞争进一步加剧。 终端市场方面,内存供应紧张已影响消费电子产品供应。有消息称,MacBook Air 因内存短缺出现供货紧张。 此外,韩国 AI 芯片独角兽 DeepX 估值据称飙升 4 倍至 3.14 万亿韩元,显示 AI 芯片及存储产业链热度持续提升。
集邦咨询:2027年存储器市场走势分化 DRAM供给持续紧缺 NAND Flash转趋宽松
火星财经消息,根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究,2027年存储器需求仍由AI应用主导,DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲,CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加,市场维持供给紧张格局,价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下,2027年下半年供给将趋向宽松,价格可能面临修正压力。(财联社)
机构:全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度
BlockBeats 消息,7 月 6 日,根据集邦咨询最新存储器产业调查,2026 年第一季 AI 与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡,原厂议价能力有增无减,集邦咨询据此全面上修第一季 DRAM、NAND Flash 各产品价格季成长幅度,预估整体 Conventional DRAM 合约价将从一月初公布的季增 55-60%,改为上涨 90-95%,NAND Flash 合约价则从季增 33-38% 上调至 55-60%,并且不排除仍有进一步上修空间。 点击下方原文链接,加入动察 Beating · 飞书 AI 新闻渠道,7×24 小时不间断监测全球 AI 热点与新闻。
闪迪专利曝光3D存算架构:HBM与NAND分层协同
火星财经消息 6月22日消息,闪迪近日披露一项专利显示,公司提出基于CBA存储晶粒的3D堆叠架构:将GPU或AI加速器等计算芯片直接集成在NAND/CMOS逻辑存储单元之上,并置于中介层,周围堆叠HBM芯片。其中HBM负责高带宽低延迟访问,NAND层承担大容量读写与存储任务。 该设计旨在缓解HBM容量受限问题(单堆约32–64GB)。此前闪迪提出HBF架构,通过TSV垂直堆叠NAND,容量可达4TB,较HBM提升8–16倍,但仍面临延迟与系统集成复杂度挑战。相较DRAM,NAND具备更高容量与更低成本,但访问速度更慢。新架构通过3D分层,实现了两者的完美互补。(钛度车库)