高盛观点：存储市场显露结构性变化，NAND部分替代DRAM用以降本成为实际趋势
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SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点，HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息，8 月 4 日，Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称，2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示，SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示，这一结果与市场此前预期有所不同，主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨，而是在重新谈判后出现下调，同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外，SK 海力士较早签署长期供应协议（LTA），其固定供应价格据称低于竞争对手，也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为，凭借 HBM3E 供应优势，SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明，美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
DigiTimes：2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息，8 月 4 日，据 DigiTimes 报道，2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张，但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称，部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应，因为担心更多厂商加入产能争夺后，自身能够获得的配额进一步减少。目前，存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%，并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响，智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称，在产能几乎全部售罄的情况下，尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称，高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和，2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨，但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
机构集体重估闪迪：AI推理催生KV Cache刚需，NAND从「周期品」晋级「基建主线」
BlockBeats 消息，8 月 15 日，闪迪投资者日后，多家华尔街机构将这家公司重新放进 AI 基础设施主线，理由是大模型推理对 KV Cache、企业级 SSD 和高带宽闪存的需求，将让 NAND 不再只是消费电子周期中的价格品种。 摩根大通恢复覆盖闪迪，给予「增持」评级，目标价 2250 美元。该行认为，闪迪与大客户签署多年期新商业模式协议，将提升需求可见度，并在 NAND 供给仍偏紧的背景下支撑利润率。 花旗维持「买入」评级，目标价 2100 美元，重点同样放在长期合约带来的收入稳定性，以及 AI 数据中心对闪存需求的结构性拉动。 摩根士丹利则相对谨慎一些，认为公司提出的高利润率目标存在执行难度，但也承认，在供给短缺和 AI 需求共振下，闪迪有机会在未来数年维持高于历史周期的盈利水平。 这轮重估已经直接反映到行情中。闪迪周五上涨约 6.5%，本周累计反弹接近 35%，两周多涨幅超过 60%；美光、西数、希捷等存储链条也受到带动。
存储市场迎涨价潮：DRAM、NAND供应紧张，AI需求推动产业链扩产
火星财经消息，8 月 4 日，存储市场持续升温，多家机构预计 DRAM、NAND 价格将在供应紧张和 AI 算力需求推动下继续上涨。 SK 海力士与闪迪已发布首份高带宽闪存（HBF）标准规范，推动新型存储技术发展。同时，韩国单层 NAND 产品 7 月平均售价环比上涨 35%，创历史新高。 TrendForce 预计，由于供应短缺，2026 年第三季度 PC DRAM 固定交易价格或环比上涨 15% 至 20%。另有消息称，全球三大存储厂商已完成 2027 年全年产能分配谈判，DRAM 和 HBM 产能基本售罄。 产业链方面，三星电子晶圆代工业务预计年内产能利用率达到 100%。Counterpoint 数据显示，三星电子正在扩大 DRAM 市场份额优势，美光与 SK 海力士的竞争进一步加剧。 终端市场方面，内存供应紧张已影响消费电子产品供应。有消息称，MacBook Air 因内存短缺出现供货紧张。 此外，韩国 AI 芯片独角兽 DeepX 估值据称飙升 4 倍至 3.14 万亿韩元，显示 AI 芯片及存储产业链热度持续提升。
集邦咨询：2027年存储器市场走势分化 DRAM供给持续紧缺 NAND Flash转趋宽松
火星财经消息,根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。(财联社)
机构：全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度
BlockBeats 消息，7 月 6 日，根据集邦咨询最新存储器产业调查，2026 年第一季 AI 与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，集邦咨询据此全面上修第一季 DRAM、NAND Flash 各产品价格季成长幅度，预估整体 Conventional DRAM 合约价将从一月初公布的季增 55-60%，改为上涨 90-95%，NAND Flash 合约价则从季增 33-38% 上调至 55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。 点击下方原文链接，加入动察 Beating · 飞书 AI 新闻渠道，7×24 小时不间断监测全球 AI 热点与新闻。