SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点，HBM价格变化成关键因素
相关推荐
Citrini观点：NAND近期负面传言被过度放大，闪迪低价LTA是策略选择而非需求疲软，对存储赛道维持看多
火星财经消息，7 月 25 日，Citrini 分析师 Jukan 发文回应近期市场流传的 NAND 看空笔记与 QLC 价格谈判负面消息。闪迪与 Meta 签署长期协议时接受低于最初报价的价格并不令人意外，闪迪是 NAND 厂商中最积极争取 LTA 的一家，计划将超过 50% 的总出货量分配给此类协议，基于这一策略自然愿意接受低于当前季度合同价的 LTA 价格，不能因此推断「闪迪无法把全部订单无缝转卖给出价更高的北美客户」。 针对中国模组厂向国内 CSP 推销 eSSD 被拒的传闻 Jukan 解释称，中国 CSP 有直接向长江存储采购的渠道而非需求不足。至于超大规模云厂商压价 QLC eSSD 导致部分量卖不出去的说法，认为新云厂商有足够需求可以消化这些量。 Jukan 最后总结称，存储股表现不佳时负面标题更容易被放大，但基本面并未出现实质性恶化。重申「依然看多存储」。此前 Jukan 曾表示 DRAM 合约价至 2027 年底仍有约 40% 上涨空间、HBM 供应持续偏紧，此次对 NAND 端的澄清进一步巩固了其对整个存储赛道的看多立场。
Citrini：预测2030年全球DRAM缺口达28.7EB记忆体市场或迈入长期供需紧张周期
BlockBeats 消息，7 月 16 日，市场研究机构 Citrini Research 最新预测，到 2030 年，全球 DRAM 市场仍将出现大规模供应缺口，规模预计达 28.7EB，约占当年总需求的 18%，对比今年全球总产能约 40EB。 根据 Citrini 的研究员 Zephyr 分享的数据，2030 年全球 DRAM(含 HBM) 需求预计达 157.5EB，供应能力仅约 128.8EB；其中普通 DRAM 将是最大瓶颈，预估供应约每年 91EB，需求却高达 120EB，缺口比例将从目前的 18% 扩大至 25% 左右。 报告强调，即便三星、SK 海力士、美光及中国厂商持续扩产，新增产能仍可能被飞涨的 AI 需求快速吸收。造成供需失衡的核心在于 AI 基础设施爆发，因大模型训练推理、HBM 成为 AI 加速器核心，连带推升传统服务器 DRAM 需求。在紧平衡下，DRAM 平均售价 (ASP) 可能长期维持高位，预计落在每 Gb1.5-2 美元，伺服器、PC 及消费电子记忆体成本将持续承压。
Counterpoint：Q2 DRAM 市场三星以 39% 份额重返第一，长鑫存储营收同比暴增 716%
火星财经消息，据 Counterpoint Research 数据，2026 年第二季度全球DRAM市场三星电子以 39% 市场份额重回榜首，较去年同期显著回升； SK 海力士份额从去年同期的 39% 降至 26%，尽管营收同比增长 214%；美光以 25% 份额紧随其后，与SK海力士差距仅 1 个百分点。Counterpoint指出，三星在通用DRAM需求增长和HBM领域份额扩大的双重驱动下实现反弹。通用 DRAM 价格环比大幅上涨，而 HBM 均价受 HBM3E 价格下降及 HBM4 延迟出货影响同比下滑。长鑫存储营收同比增长 716%，受益于强劲的国内通用DRAM需求及产能扩张；南亚科技同比增长 690%，受益于 DDR/LPDDR4/5 供应扩大。Counterpoint 预测，随着 NVIDIA Vera Rubin 和 AMD Instinct MI455X 出货，下半年HBM4出货量将显著提升，产品组合改善有望支撑 HBM 价格反弹。
Citrini：AMD和苹果同时推进AI产品中闪存部分替代DRAM方案
火星财经消息，6 月 16 日，「AI 末日报告」发布机构 Citrini Research 发文表示，AMD 和苹果目前已在同时推进 AI 产品中闪存部分替代 DRAM 方案。其中，AMD 收购 MEXT 优化闪存，使其性能接近 DRAM，从而降低 AI 数据中心内存成本；苹果则通过「LLM in a flash」技术在设备端实现类似优化。 根据 Citrini 最新研究报告，AI 推理中 KV 缓存对内存的高需求，以及 HBM 已占 DRAM 产能 25% 的「内存税」压力。而闪存成本仅为 DRAM 的 1/55，通过控制器优化、NAND 堆叠和单元模式调整，可为边缘 AI 提供容量与带宽的替代方案。 上述报告为近期以闪迪为代表的存储股持续大涨提供了理论支持。
DigiTimes：2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息，8 月 4 日，据 DigiTimes 报道，2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张，但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称，部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应，因为担心更多厂商加入产能争夺后，自身能够获得的配额进一步减少。目前，存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%，并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响，智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称，在产能几乎全部售罄的情况下，尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称，高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和，2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨，但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
Citrini观点：英伟达护城河依然深厚，HBM4成本翻倍推升Rubin售价，高毛利与强定价权未受动摇
火星财经消息，7 月 28 日，Citrini 分析师 Jukan 引用富邦证券《2027 半导体展望》报告指出，尽管 HBM4 成本将从 HBM3e 的 17-18 美元/GB 大幅跳升至 2026 年的 31-32 美元/GB，推升英伟达 Rubin GPU 售价至约 7.8 万至 8 万美元，但英伟达仍能维持 75% 至 80% 的高毛利率水平，其定价权与成本传导能力未被动摇。报告中同时指出，定制 ASIC 的 HBM 成本可能更高，达到 35-36 美元/GB，意味着 2027 年 HBM 成本将翻倍。 富邦证券报告对 AI 市场需求保持乐观，认为尽管市场近期担忧 AI 通胀，但 Token 成本仍是驱动云服务商资本支出的更重要因素。在架构层面，英伟达新机架仍计划使用相同数量的计算芯片，机架内仍用线缆做 Scale-up，机架间则用 NPO/CPO 做 Scale-out。此外谷歌计划 2028 年部署 1200 万至 1500 万颗 TPU，产能消耗较 2027 年翻倍以上；英特尔 EMIB 产能预计 2027 年底增至每月 2.4 万至 2.5 万片，台积电则放缓 SoIC 扩张以优先扩大 CoWoS 产能。 核心结论为：即便成本结构发生变化，英伟达在 AI 算力生态中的定价权、毛利率和需求支撑仍然构筑了难以撼动的竞争壁垒。