SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点，HBM价格变化成关键因素
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Citrini观点：NAND近期负面传言被过度放大，闪迪低价LTA是策略选择而非需求疲软，对存储赛道维持看多
火星财经消息，7 月 25 日，Citrini 分析师 Jukan 发文回应近期市场流传的 NAND 看空笔记与 QLC 价格谈判负面消息。闪迪与 Meta 签署长期协议时接受低于最初报价的价格并不令人意外，闪迪是 NAND 厂商中最积极争取 LTA 的一家，计划将超过 50% 的总出货量分配给此类协议，基于这一策略自然愿意接受低于当前季度合同价的 LTA 价格，不能因此推断「闪迪无法把全部订单无缝转卖给出价更高的北美客户」。 针对中国模组厂向国内 CSP 推销 eSSD 被拒的传闻 Jukan 解释称，中国 CSP 有直接向长江存储采购的渠道而非需求不足。至于超大规模云厂商压价 QLC eSSD 导致部分量卖不出去的说法，认为新云厂商有足够需求可以消化这些量。 Jukan 最后总结称，存储股表现不佳时负面标题更容易被放大，但基本面并未出现实质性恶化。重申「依然看多存储」。此前 Jukan 曾表示 DRAM 合约价至 2027 年底仍有约 40% 上涨空间、HBM 供应持续偏紧，此次对 NAND 端的澄清进一步巩固了其对整个存储赛道的看多立场。
Citrini分析师：Rubin Ultra下调HBM堆叠层数未必利空，或扩大HBM总需求
火星财经消息，8 月 30 日，Citrini 分析师 Jukan 发文表示，据其消息来源，英伟达 Rubin Ultra 所采用的 HBM 规格可能由 12 层 HBM4E 下调至 8 层，OpenAI 和 Anthropic 等客户甚至曾要求采用 4 层产品，但遭存储厂商拒绝，目前降规可能止步于 8 层。其认为，降规主要源于良率及成本压力：若采用 12 层 HBM4E 并计入涨价，内存成本可能占 Rubin Ultra 整体物料成本的约 70%。 模型量化、MLA 以及计算任务拆分等软件优化，正将低频访问的 KV 缓存和模型状态转移至 LPDDR、CXL 及 NAND，HBM 主要保留当前计算所需的工作集。因此，在满足最低容量后，客户对 HBM 带宽的重视程度开始超过容量。 其认为，降低堆叠层数可提高封装良率、增加 HBM 及 AI 加速器出货量，反而可能扩大 HBM 总需求；更高带宽要求还会降低晶圆中通过速度分档的芯片比例，进一步消耗 DRAM 晶圆产能。长期来看，HBM 终将被新架构替代，最终方向可能是存储与逻辑芯片融合，未来两年将成为存储厂商能否向逻辑领域扩张的关键阶段。
Counterpoint：Q2 DRAM 市场三星以 39% 份额重返第一，长鑫存储营收同比暴增 716%
火星财经消息，据 Counterpoint Research 数据，2026 年第二季度全球DRAM市场三星电子以 39% 市场份额重回榜首，较去年同期显著回升； SK 海力士份额从去年同期的 39% 降至 26%，尽管营收同比增长 214%；美光以 25% 份额紧随其后，与SK海力士差距仅 1 个百分点。Counterpoint指出，三星在通用DRAM需求增长和HBM领域份额扩大的双重驱动下实现反弹。通用 DRAM 价格环比大幅上涨，而 HBM 均价受 HBM3E 价格下降及 HBM4 延迟出货影响同比下滑。长鑫存储营收同比增长 716%，受益于强劲的国内通用DRAM需求及产能扩张；南亚科技同比增长 690%，受益于 DDR/LPDDR4/5 供应扩大。Counterpoint 预测，随着 NVIDIA Vera Rubin 和 AMD Instinct MI455X 出货，下半年HBM4出货量将显著提升，产品组合改善有望支撑 HBM 价格反弹。
Jukan：长江存储武汉Fab 3进入投产冲刺，闪存竞争压力或进一步上升
BlockBeats 消息，9 月 15 日，Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发文称，长江存储（YMTC）已开始为武汉第三座晶圆厂 Fab 3 全面接入生产设备，意味着该厂正进入投产前的最后阶段，初步运营预计将于今年年底启动。 Jukan 认为，Fab 3 此次加速推进值得关注，因为 YMTC 正在市场份额快速提升的同时继续扩大产能。Fab 3 满产后预计每月可生产约 10 万片 12 英寸晶圆，后续还将随着设备持续搬入和良率提升分阶段扩产。 Jukan 指出，Counterpoint Research 数据显示，YMTC 今年第二季度已占全球 NAND 比特出货量 14%，超过铠侠升至全球第三，仅次于三星电子的 25% 和 SK 海力士的 22%。如果 Fab 3 新增产能顺利释放，闪存市场的供应竞争预计将进一步加剧。 Jukan 尤其关注 YMTC 在美国出口管制背景下提高国产设备占比并持续扩产的能力。他认为，这可能让 YMTC 以更快速度缩小与三星、SK 海力士等传统闪存巨头之间的差距。 Jukan 援引业内人士称，YMTC 扩产短期内不太可能立即造成闪存供过于求，但由于其依托中国本土市场持续扩大产量和份额，长期来看可能成为现有闪存厂商面临的一项竞争负担。
SK海力士考虑英特尔作为下一代HBM基底芯片的供应商
BlockBeats 消息，8 月 31 日，据 Citrini 分析师 Jukan 爆料，SK 海力士正着手多元化高带宽存储器（HBM）所用基底芯片的代工厂供应商，这些 HBM 是通过垂直堆叠多个存储芯片构建而成的。 据悉，该公司正考虑将第七代 HBM 即 HBM4E 的部分基底芯片生产外包给英特尔代工厂。到目前为止，SK 海力士一直完全依赖台积电进行外包基底芯片生产。此举被视为建立多供应商代工策略的努力，以减少供应链对台积电的集中度，同时增强 SK 海力士在定价方面的议价能力。 根据行业消息人士 8 月 31 日的说法，SK 海力士正在推进一项计划，即 HBM4E 的基底芯片可能由台积电和英特尔共同制造，最早可能从 HBM4E 世代开始。 由于市场预计 HBM4E 的基底芯片成本负担将进一步增加。由于 HBM 产品主要受长期供应协议（LTA）覆盖，SK 海力士也难以立即通过提高产品价格将更高的代工成本转嫁给客户。因此，行业观察人士认为，如果英特尔最终加入 SK 海力士的基底芯片供应链，该公司将在成本竞争力和供应稳定性方面获得更多选择。
DigiTimes：2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息，8 月 4 日，据 DigiTimes 报道，2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张，但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称，部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应，因为担心更多厂商加入产能争夺后，自身能够获得的配额进一步减少。目前，存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%，并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响，智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称，在产能几乎全部售罄的情况下，尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称，高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和，2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨，但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。