Counterpoint：Q2 DRAM 市场三星以 39% 份额重返第一，长鑫存储营收同比暴增 716%
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机构：消费级LPDDR5X价格二季度飙升89%，AI内存挤压效应蔓延至手机和PC市场
火星财经消息，6 月 23 日，市场研究机构 SigmaIntell 22 日表示，由于内存供需失衡，今年第二季度消费类存储产品价格普遍上涨。其中，低功耗 DRAM 产品涨幅尤为明显，LPDDR4X 4GB 价格环比上涨 75%，LPDDR5X 12GB 价格环比上涨 89%。 这轮涨价的背景，是 LPDDR 内存开始被用于下一代服务器 GPU 平台。随着英伟达 Vera Rubin 等 AI 计算平台采用相关低功耗内存，供应竞争进一步加剧，存储厂商也将涨价范围扩大至智能手机和 PC 所使用的消费级内存。SigmaIntell 称，部分客户已经接受涨价，相关变化已反映到市场价格中。 供给端的压力来自产能重新分配。SigmaIntell 表示，第二季度存储厂商优先保障 HBM、服务器 DRAM 和企业级 SSD 等高附加值产品，导致消费级内存供应趋紧。由于成本压力上升，部分智能手机和 PC 品牌正在调整内存订单。 这也意味着，DRAM 价格在下半年的上涨速度可能有所放缓。相比中高端产品，低端终端所使用的内存需求预计将更明显降温。 当前，半导体晶圆资源正持续向高带宽内存 HBM 集中，消费级 DRAM 产能相对被压缩。HBM 通过年度客户合约维持较稳定价格，但供需失衡仍然严重。通用服务器 DRAM 也出现行业性涨价趋势，云厂商持续补充 DRAM 库存，渠道库存维持在约两到三周的低位。 消费电子市场因此承压。高附加值内存产品扩产、额外产能建设受限以及低库存水平叠加，使消费级 DRAM 短缺局面延续。 NAND 市场同样延续上涨。SigmaIntell 称，今年第二季度 SSD 价格环比上涨约 50%。企业级 NAND 产品需求依然强劲，价格波动并未削弱采购意愿。AI 集群和 AI agent 服务器扩容，正在推动对高性能、大容量存储设备的需求。 涨价压力也向移动和 PC NAND 扩散。UFS 价格最高上涨 100%，原因是企业级 SSD 需求扩张挤占供应，同时低容量 eMMC 等低端 NAND 供应减少，使消费级 NAND 供需也趋于紧张。 整体来看，AI 基础设施扩张正在改变存储产业的价格传导路径。过去主要集中在 HBM 和服务器 DRAM 的紧缺，正通过产能分配和晶圆资源挤压，传导至手机、PC 和消费级存储市场。对于终端品牌而言，内存和闪存成本上行可能成为下半年利润率和产品定价的重要变量。
SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点，HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息，8 月 4 日，Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称，2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示，SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示，这一结果与市场此前预期有所不同，主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨，而是在重新谈判后出现下调，同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外，SK 海力士较早签署长期供应协议（LTA），其固定供应价格据称低于竞争对手，也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为，凭借 HBM3E 供应优势，SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明，美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
Critini分析师：存储市场难现全面崩盘，HBM需求将吸收DDR产能
火星财经消息，6 月 25 日，Critini Research 分析师 Jukan 表示，假设未来 DDR 内存供应增加，DDR 价格面临下行压力。那么，厂商可以通过将部分 DDR 产能转向 HBM（高带宽内存）产能来进行对冲，从而避免整个存储市场价格出现大幅崩跌。 换句话说，即便 DDR5 价格最终「回归正常」，重新回落到此前的水平——尽管个人认为当前的 DDR 价格很可能已经成为新的常态——这也并不意味着整个存储芯片市场会随之崩溃。原因在于，HBM 带来的巨大需求将持续吸收原本用于生产通用型 DRAM 的产能，从而为存储器价格提供下行支撑。
TrendForce：DRAM缺货潮向DDR2蔓延，老旧内存价格第三季料续涨
火星财经消息，6 月 23 日，高科技产业研究机构 TrendForce 在 6 月 22 日发布的研究中称，成熟制程 DRAM 供应持续收紧，迫使消费级 DRAM 买家转向更早世代的内存产品，以争取更多供货配额。这一变化正在推升 DDR2 和 DDR3 等传统 DRAM 的需求，并延续相关产品价格涨势。 该机构预计，DDR2 合约价在 2026 年第二季度将上涨约 55% 至 60%，第三季度还将进一步上涨 35% 至 40%。这意味着，在第一季度已经强劲上涨后，DDR2 价格压力并未缓解，反而因供需缺口扩大继续升温。 供应端的核心原因来自先进制程产能重新分配。TrendForce 指出，三大 DRAM 原厂仍优先将产能用于 HBM 和服务器 DRAM，以满足 AI 基础设施建设带来的需求。相应地，DDR4 及其他成熟制程产品的晶圆分配被压缩，消费级 DRAM 客户不得不转向台湾供应商寻求支持。 在供给有限的情况下，南亚科、华邦电等台湾 DRAM 厂商的议价能力增强。TrendForce 表示，由于需求显著超过台湾厂商可提供的位元出货量，供应商也在策略性减少低毛利产品投片，把产能转向更高价值产品，以改善获利结构。 需求端同样出现变化。随着消费级 DRAM 缺货和合约价上涨，部分 OEM 和 ODM 厂商为了控制整机成本，已经开始下修内存规格。一些原本采用 DDR4 的设计被改为 DDR3，部分 DDR3 产品则进一步改用 DDR2。客户试图通过较低容量配置或更旧世代产品，换取相对稳定的供货。 这使得 DRAM 缺货压力沿着技术世代逐级向下传导。原本主要集中在 HBM、服务器 DRAM 和 DDR4 的供应紧张，开始扩散到 DDR3、DDR2 等传统产品，凸显 AI 需求对整个内存产业链的挤出效应。 TrendForce 称，DDR2 的主要供应商包括华邦电和晶豪科。不过，华邦电正逐步减少 DDR2 生产，并将相关产能转向 DDR3、DDR4 和 LPDDR4 等毛利相对更高的产品，这将进一步加剧 DDR2 供应紧张。 相比之下，晶豪科计划在力积电既有晶圆配额内尽可能扩大 DDR2 生产，集中资源提升该产品线获利，并部分填补华邦电退出 DDR2 后留下的供应缺口。 这轮涨价显示，AI 带来的内存需求不再只影响高端 HBM 和服务器 DRAM。随着先进产能被重新定向，成熟制程和老旧内存产品也开始成为供需失衡的承压点。对仍依赖 DDR2、DDR3 的消费电子、工业控制和部分长生命周期设备而言，成本压力可能在下半年继续上升。
英伟达 Vera Rubin 平台内存成本占比升至 62%，SOCAMM2 成主要驱动
火星财经消息，据瑞银对 Vera Rubin 超芯片物料清单（BOM）的分析，内存半导体在该平台总成本中的占比已升至约 62 %，较上一代 Blackwell Ultra（GB300）的 53 % 大幅提升。Vera Rubin 超芯片（含 1 颗 Vera CPU 和 2 颗 Rubin GPU）总成本约 38,902 美元，其中内存相关成本达 24,297 美元。HBM4 成本约 4,943 美元（占总成本 12.7 %），而连接 CPU 的 SOCAMM2 成本约 19,355 美元（占总成本 49.8 %），成为内存成本上升的核心驱动。SOCAMM2 是基于低功耗 DRAM LPDDR5X 的服务器内存模组，支持单 CPU 最高 1.5TB 容量。Vera Rubin NVL72 机柜（含 72 颗 Rubin GPU 和 36 颗 Vera CPU）共搭载 74.7TB DRAM，其中 HBM4 为 20.7TB，CPU 用 LPDDR5X 达 54TB，单机柜的 LPDDR 用量相当于约 4,500 部高端智能手机。不过，受 LPDDR5X 及 HBM4E 供应不确定性影响，英伟达正考虑下调下一代 Rubin Ultra 的 HBM 配置。
机构：AI重塑存储市场格局 长鑫存储成为全球增长最快的DRAM厂商
火星财经消息,根据Counterpoint Research最新发布的全球存储追踪报告，三星在2026年第二季度以39%的市场份额重返全球DRAM市场第一，市场份额恢复至2024年水平。相比之下，尽管SK海力士的季度营收同比增长高达214%，但其市场份额由2025年第二季度的39%降至2026年第二季度的26%。美光以25%的市场份额几乎与SK海力士争夺第二的位置。除此之外，长鑫存储同比增长716%，南亚科技同比增长690%。长鑫存储成为全球增长最快的DRAM厂商，主要受益于中国市场传统DRAM需求旺盛及产能持续扩张；南亚科技则受益于DDR及LPDDR4/5产品供需改善。(财联社)