Counterpoint：Q2 DRAM 市场三星以 39% 份额重返第一，长鑫存储营收同比暴增 716%
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长江存储 2026 年底试产 LPDDR5，长鑫拟进军 NAND
火星财经消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。
SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点，HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息，8 月 4 日，Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称，2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示，SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示，这一结果与市场此前预期有所不同，主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨，而是在重新谈判后出现下调，同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外，SK 海力士较早签署长期供应协议（LTA），其固定供应价格据称低于竞争对手，也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为，凭借 HBM3E 供应优势，SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明，美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
英伟达 Vera Rubin 平台内存成本占比升至 62%，SOCAMM2 成主要驱动
火星财经消息，据瑞银对 Vera Rubin 超芯片物料清单（BOM）的分析，内存半导体在该平台总成本中的占比已升至约 62 %，较上一代 Blackwell Ultra（GB300）的 53 % 大幅提升。Vera Rubin 超芯片（含 1 颗 Vera CPU 和 2 颗 Rubin GPU）总成本约 38,902 美元，其中内存相关成本达 24,297 美元。HBM4 成本约 4,943 美元（占总成本 12.7 %），而连接 CPU 的 SOCAMM2 成本约 19,355 美元（占总成本 49.8 %），成为内存成本上升的核心驱动。SOCAMM2 是基于低功耗 DRAM LPDDR5X 的服务器内存模组，支持单 CPU 最高 1.5TB 容量。Vera Rubin NVL72 机柜（含 72 颗 Rubin GPU 和 36 颗 Vera CPU）共搭载 74.7TB DRAM，其中 HBM4 为 20.7TB，CPU 用 LPDDR5X 达 54TB，单机柜的 LPDDR 用量相当于约 4,500 部高端智能手机。不过，受 LPDDR5X 及 HBM4E 供应不确定性影响，英伟达正考虑下调下一代 Rubin Ultra 的 HBM 配置。
机构：AI重塑存储市场格局 长鑫存储成为全球增长最快的DRAM厂商
火星财经消息,根据Counterpoint Research最新发布的全球存储追踪报告，三星在2026年第二季度以39%的市场份额重返全球DRAM市场第一，市场份额恢复至2024年水平。相比之下，尽管SK海力士的季度营收同比增长高达214%，但其市场份额由2025年第二季度的39%降至2026年第二季度的26%。美光以25%的市场份额几乎与SK海力士争夺第二的位置。除此之外，长鑫存储同比增长716%，南亚科技同比增长690%。长鑫存储成为全球增长最快的DRAM厂商，主要受益于中国市场传统DRAM需求旺盛及产能持续扩张；南亚科技则受益于DDR及LPDDR4/5产品供需改善。(财联社)
SK海力士将于下半年量产 LPDDR6，首批供货小米旗舰手机
火星财经消息，SK海力士宣布将于今年下半年正式量产 16Gb LPDDR6 低功耗移动DRAM，首批产品将搭载于小米下一代旗舰智能手机。该产品于 3 月 完成开发，采用 10nm 级第六代（1c） 工艺，较前代在数据处理速度和能效方面均有提升。SK海力士自 2013 年 起向小米供应LPDDR产品，双方长期保持合作。LPDDR主要用于智能手机和平板电脑等移动设备，兼具低功耗与高性能特性。近期受AI服务器需求拉动，LPDDR价格持续走高，合约价格不断上涨，第一季全球移动DRAM营收环比增长 64.5%。SK海力士与三星电子已在LPDDR6量产准备上领先于美光。此外，LPDDR6的量产有望加速 SO-CAMM（低功耗内存模组）市场的竞争，该产品被视为AI服务器CPU的配套方案。英伟达CEO黄仁勋曾于 6 月 在台北国际电脑展上到访SK海力士展台，为 192GB SO-CAMM留下 “LOVE SOCAMM” 题词。
三星电子高管称HBM明年将占行业DRAM产能近30%
据报道，三星电子一位高管表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商总晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。（界面）