TrendForce：上调Q3、Q4 DRAN合约价格预期，利好美光等DRAM厂商
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美银：第三季度DRAM均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测
火星财经消息，7 月 19 日，据美银全球研究《Global Memory Tech》报告显示，渠道调查发现，第三季度新议定的 DRAM 合约价格涨幅高于市场预期。服务器 DRAM 价格环比上涨 20% 至 30%，主要由高速 LPDDR5 带动，超过市场原先预计的不超过 20%。 现货需求同样保持强劲，商品 DDR5 及传统 DDR4 价格在 7 月继续环比上涨。高价 HBM4 的近期订单也在增加，相比之下，价格较低的 HBM3E 订单占比下降。 报告称，长期供应协议覆盖的 DRAM 销售占比明显低于 50%，非长期协议销售占比约 60% 至 70%；即使在长期协议下，部分订单也已确定环比上涨 5% 至 10%。部分 OEM 厂商加快下单，显示 DRAM 与 NAND 价格环比涨幅均可能超过 20%。 美银预计，第三季度全球 DRAM 平均售价将环比上涨 21%，高于 TrendForce 对传统 DRAM 上涨 13% 至 18%、包含 HBM 后上涨 8% 至 13% 的预测。
Trendforce：预计传统DRAM价格Q3上涨13%至18%
BlockBeats 消息，7 月 4 日，Trendforce 预计，在 2026 年第三季度，传统 DRAM 产品的合同价格将环比上涨 13% 至 18%。
TrendForce：DRAM市场Q3仍将持续面临严重供应短缺
BlockBeats 消息，7 月 3 日，高科技产业研究机构 TrendForce 发布最新的内存价格调查，2026 年第三季度 DRAM 市场预计将持续面临全面的严重供应短缺。尽管如此，消费应用需求放缓和高基数效应将略微缓和涨幅速度，DRAM 合同价格预计环比上涨 +13 至 18%。 对于 NAND Flash，TrendForce 认为 AI 推理需求和大规模数据中心建设继续驱动大部分需求。然而，随着合同价格已处于历史高位且消费市场需求放缓，客户进一步吸收价格上涨的能力已达极限。 因此，TrendForce 预测 NAND Flash 合同价格环比上涨 +10 至 15%，涨幅幅度较前几季度明显收窄。
TrendForce：DRAM缺货潮向DDR2蔓延，老旧内存价格第三季料续涨
火星财经消息，6 月 23 日，高科技产业研究机构 TrendForce 在 6 月 22 日发布的研究中称，成熟制程 DRAM 供应持续收紧，迫使消费级 DRAM 买家转向更早世代的内存产品，以争取更多供货配额。这一变化正在推升 DDR2 和 DDR3 等传统 DRAM 的需求，并延续相关产品价格涨势。 该机构预计，DDR2 合约价在 2026 年第二季度将上涨约 55% 至 60%，第三季度还将进一步上涨 35% 至 40%。这意味着，在第一季度已经强劲上涨后，DDR2 价格压力并未缓解，反而因供需缺口扩大继续升温。 供应端的核心原因来自先进制程产能重新分配。TrendForce 指出，三大 DRAM 原厂仍优先将产能用于 HBM 和服务器 DRAM，以满足 AI 基础设施建设带来的需求。相应地，DDR4 及其他成熟制程产品的晶圆分配被压缩，消费级 DRAM 客户不得不转向台湾供应商寻求支持。 在供给有限的情况下，南亚科、华邦电等台湾 DRAM 厂商的议价能力增强。TrendForce 表示，由于需求显著超过台湾厂商可提供的位元出货量，供应商也在策略性减少低毛利产品投片，把产能转向更高价值产品，以改善获利结构。 需求端同样出现变化。随着消费级 DRAM 缺货和合约价上涨，部分 OEM 和 ODM 厂商为了控制整机成本，已经开始下修内存规格。一些原本采用 DDR4 的设计被改为 DDR3，部分 DDR3 产品则进一步改用 DDR2。客户试图通过较低容量配置或更旧世代产品，换取相对稳定的供货。 这使得 DRAM 缺货压力沿着技术世代逐级向下传导。原本主要集中在 HBM、服务器 DRAM 和 DDR4 的供应紧张，开始扩散到 DDR3、DDR2 等传统产品，凸显 AI 需求对整个内存产业链的挤出效应。 TrendForce 称，DDR2 的主要供应商包括华邦电和晶豪科。不过，华邦电正逐步减少 DDR2 生产，并将相关产能转向 DDR3、DDR4 和 LPDDR4 等毛利相对更高的产品，这将进一步加剧 DDR2 供应紧张。 相比之下，晶豪科计划在力积电既有晶圆配额内尽可能扩大 DDR2 生产，集中资源提升该产品线获利，并部分填补华邦电退出 DDR2 后留下的供应缺口。 这轮涨价显示，AI 带来的内存需求不再只影响高端 HBM 和服务器 DRAM。随着先进产能被重新定向，成熟制程和老旧内存产品也开始成为供需失衡的承压点。对仍依赖 DDR2、DDR3 的消费电子、工业控制和部分长生命周期设备而言，成本压力可能在下半年继续上升。
存储市场迎涨价潮：DRAM、NAND供应紧张，AI需求推动产业链扩产
火星财经消息，8 月 4 日，存储市场持续升温，多家机构预计 DRAM、NAND 价格将在供应紧张和 AI 算力需求推动下继续上涨。 SK 海力士与闪迪已发布首份高带宽闪存（HBF）标准规范，推动新型存储技术发展。同时，韩国单层 NAND 产品 7 月平均售价环比上涨 35%，创历史新高。 TrendForce 预计，由于供应短缺，2026 年第三季度 PC DRAM 固定交易价格或环比上涨 15% 至 20%。另有消息称，全球三大存储厂商已完成 2027 年全年产能分配谈判，DRAM 和 HBM 产能基本售罄。 产业链方面，三星电子晶圆代工业务预计年内产能利用率达到 100%。Counterpoint 数据显示，三星电子正在扩大 DRAM 市场份额优势，美光与 SK 海力士的竞争进一步加剧。 终端市场方面，内存供应紧张已影响消费电子产品供应。有消息称，MacBook Air 因内存短缺出现供货紧张。 此外，韩国 AI 芯片独角兽 DeepX 估值据称飙升 4 倍至 3.14 万亿韩元，显示 AI 芯片及存储产业链热度持续提升。
集邦咨询：2027年存储器市场走势分化 DRAM供给持续紧缺 NAND Flash转趋宽松
火星财经消息,根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。(财联社)