TrendForce：DRAM市场Q3仍将持续面临严重供应短缺
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集邦咨询：2027年存储器市场走势分化 DRAM供给持续紧缺 NAND Flash转趋宽松
火星财经消息,根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。(财联社)
机构：全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度
BlockBeats 消息，7 月 6 日，根据集邦咨询最新存储器产业调查，2026 年第一季 AI 与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，集邦咨询据此全面上修第一季 DRAM、NAND Flash 各产品价格季成长幅度，预估整体 Conventional DRAM 合约价将从一月初公布的季增 55-60%，改为上涨 90-95%，NAND Flash 合约价则从季增 33-38% 上调至 55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。 点击下方原文链接，加入动察 Beating · 飞书 AI 新闻渠道，7×24 小时不间断监测全球 AI 热点与新闻。
TrendForce：高容量 NOR Flash 下半年合约价或再涨 90%–110%
火星财经消息，TrendForce 最新存储器产业研究指出，NOR Flash 市场正经历近十年来最显著的供需结构转变。AI 相关产品正吸收大量产能，供应商即使高端应用需求持续增长，也难以大幅增加 NOR Flash 位元产出。因此，2026 年下半年供需预计仍将失衡，整体合约价维持高位。尽管台湾和中国供应商已增加资本支出并扩产，新产能无法立即转化为市场供应。新产出需先经过制程迁移、良率爬升、产品认证和客户设计导入，中高容量段供应短缺短期内难以缓解。Winbond 预计 2026 年位元增长最强，受 45nm NOR 全面量产及向 25nm、20nm 迁移推动。GigaDevice 正升级 32Mb 及以上产品制程，上半年有效产出受限。MXIC 将额外 12 英寸产能优先用于 NAND 和 eMMC，限制 NOR 晶圆投入增长。2026 年 AI 和航空航天通信成为主要新增需求来源。AI 服务器 NOR 用量为传统服务器的 3-5 倍，边缘 AI、AI PC、机器人及低轨卫星等推动高密度需求。2026 年上半年合约价累计平均上涨 100–120%。下半年 256Mb 及以上产品平均价格可能再涨 90–110%，128Mb 及以下产品 4Q26 价格上涨 10–20%。
群联：明年NAND Flash供应仍吃紧 AI带动的半导体需求才刚开始
火星财经消息,群联CEO潘健成表示，近期与两家Flash原厂开会时，对方均直言“明年缺口不知道有多大”。这表明NAND Flash供给仍相当吃紧，因此市场不必再讨论Flash会不会缺货，真正关键在于供需紧张之际，“谁有能力拿到更多资源”，才会决定未来企业竞争力。潘健成指出，AI带动的半导体需求才刚开始，若以台积电持续扩充AI相关产能来看，更多AI芯片出货势必同步推升DRAM与Flash用量。未来AI对半导体产能的消耗可能延续二、三十年，不会因为存储器厂商扩产，就在一两年内迅速转为供过于求。(财联社)
存储市场迎涨价潮：DRAM、NAND供应紧张，AI需求推动产业链扩产
火星财经消息，8 月 4 日，存储市场持续升温，多家机构预计 DRAM、NAND 价格将在供应紧张和 AI 算力需求推动下继续上涨。 SK 海力士与闪迪已发布首份高带宽闪存（HBF）标准规范，推动新型存储技术发展。同时，韩国单层 NAND 产品 7 月平均售价环比上涨 35%，创历史新高。 TrendForce 预计，由于供应短缺，2026 年第三季度 PC DRAM 固定交易价格或环比上涨 15% 至 20%。另有消息称，全球三大存储厂商已完成 2027 年全年产能分配谈判，DRAM 和 HBM 产能基本售罄。 产业链方面，三星电子晶圆代工业务预计年内产能利用率达到 100%。Counterpoint 数据显示，三星电子正在扩大 DRAM 市场份额优势，美光与 SK 海力士的竞争进一步加剧。 终端市场方面，内存供应紧张已影响消费电子产品供应。有消息称，MacBook Air 因内存短缺出现供货紧张。 此外，韩国 AI 芯片独角兽 DeepX 估值据称飙升 4 倍至 3.14 万亿韩元，显示 AI 芯片及存储产业链热度持续提升。
美银：第三季度DRAM均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测
火星财经消息，7 月 19 日，据美银全球研究《Global Memory Tech》报告显示，渠道调查发现，第三季度新议定的 DRAM 合约价格涨幅高于市场预期。服务器 DRAM 价格环比上涨 20% 至 30%，主要由高速 LPDDR5 带动，超过市场原先预计的不超过 20%。 现货需求同样保持强劲，商品 DDR5 及传统 DDR4 价格在 7 月继续环比上涨。高价 HBM4 的近期订单也在增加，相比之下，价格较低的 HBM3E 订单占比下降。 报告称，长期供应协议覆盖的 DRAM 销售占比明显低于 50%，非长期协议销售占比约 60% 至 70%；即使在长期协议下，部分订单也已确定环比上涨 5% 至 10%。部分 OEM 厂商加快下单，显示 DRAM 与 NAND 价格环比涨幅均可能超过 20%。 美银预计，第三季度全球 DRAM 平均售价将环比上涨 21%，高于 TrendForce 对传统 DRAM 上涨 13% 至 18%、包含 HBM 后上涨 8% 至 13% 的预测。