TrendForce：高容量 NOR Flash 下半年合约价或再涨 90%–110%
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群联：明年NAND Flash供应仍吃紧 AI带动的半导体需求才刚开始
火星财经消息,群联CEO潘健成表示，近期与两家Flash原厂开会时，对方均直言“明年缺口不知道有多大”。这表明NAND Flash供给仍相当吃紧，因此市场不必再讨论Flash会不会缺货，真正关键在于供需紧张之际，“谁有能力拿到更多资源”，才会决定未来企业竞争力。潘健成指出，AI带动的半导体需求才刚开始，若以台积电持续扩充AI相关产能来看，更多AI芯片出货势必同步推升DRAM与Flash用量。未来AI对半导体产能的消耗可能延续二、三十年，不会因为存储器厂商扩产，就在一两年内迅速转为供过于求。(财联社)
长存控股：2026年1-3月公司NAND Flash产品毛利率升至78.73%
火星财经消息,长江存储控股股份有限公司招股说明书显示，2026年1-3月，公司NAND Flash产品毛利率升至78.73%，其中，存储芯片毛利率84.23%，智能终端毛利率73.26%，固态硬盘毛利率70.29%。2026年1-3月，公司NAND Flash产品产能利用率为98.02%，产销率为82.40%。(财联社)
长江存储 2026 年底试产 LPDDR5，长鑫拟进军 NAND
火星财经消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。
全球NAND前五大厂Q2营收合计688.7亿美元环比增77%，美光超越铠侠升至第三
BlockBeats 消息，8 月 18 日，TrendForce 发布数据，2026 年第二季度全球 NAND 闪存前五大厂商合计营收达 688.7 亿美元，环比增长 77%，主要受 AI 服务器带动企业级 SSD 需求激增及合约价格上调推动。三星电子营收 230.6 亿美元环比增 70.7% 维持第一，但因竞争者增速更快，市占率从 31.6% 降至 29.3%。SK 海力士营收 142.7 亿美元环比增 89.5% 保持第二，321 层工艺扩张与高容量 QLC 企业级 SSD 需求增长推动市占率从 17.6% 升至 18.2%。美光以 99.2% 的营收增速成为前五大厂中增长最猛的一家，营收达 118.5 亿美元，市占率从 13.9% 升至 15.1%，超越铠侠成为第三。 铠侠营收 107.2 亿美元环比增 79.9%，市占率微降至 13.6%；闪迪营收仅增 50.7%，在前五大厂中增速最低，市占率从 13.9% 跌至 11.4%。TrendForce 展望称，三季度 AI 服务器企业级 SSD 需求将保持稳健，而主要 NAND 厂商将投资集中于 DRAM 和 HBM，NAND 新增供给有限，价格上行趋势有望持续带动行业整体营收继续增长。
铠侠加速 AI 用 NAND 布局，量产 PCIe 6.0 及 UFS 5.0 产品追赶韩厂
火星财经消息，日本 NAND 厂商铠侠（Kioxia）正加速布局 AI 用 NAND 市场，今年已启动第 10 代（BiCS 10）332 层 3D NAND 量产，并基于此推出支持 PCIe 6.0 的数据中心 eSSD“CM10”，顺序读取性能较前代提升达 92%。此外，铠侠计划于今年年底量产 UFS 5.0 嵌入式存储，数据传输速度较 UFS 4.1 提升约 2 倍，主攻端侧 AI 移动设备市场。据 TrendForce 数据，铠侠今年一季度全球 NAND 市场份额为 13.9%，位列第三，次于三星电子（31.6%）和 SK 海力士（17.6%）。韩厂同样加快脚步。三星已于上月量产 PCIe 6.0 eSSD“PM1763”，搭载第 9 代 V-NAND 和 4nm 控制器，UFS 5.0 计划于第四季度量产。三星还宣布本月起量产第 10 代 V-NAND（约 430 层），首次应用混合键合及三堆叠工艺。行业分析认为，铠侠在技术迭代速度上颇具竞争力，但产能规模仍与韩厂存在差距，后续 AI 存储市场竞争将更趋激烈。
存储市场迎涨价潮：DRAM、NAND供应紧张，AI需求推动产业链扩产
火星财经消息，8 月 4 日，存储市场持续升温，多家机构预计 DRAM、NAND 价格将在供应紧张和 AI 算力需求推动下继续上涨。 SK 海力士与闪迪已发布首份高带宽闪存（HBF）标准规范，推动新型存储技术发展。同时，韩国单层 NAND 产品 7 月平均售价环比上涨 35%，创历史新高。 TrendForce 预计，由于供应短缺，2026 年第三季度 PC DRAM 固定交易价格或环比上涨 15% 至 20%。另有消息称，全球三大存储厂商已完成 2027 年全年产能分配谈判，DRAM 和 HBM 产能基本售罄。 产业链方面，三星电子晶圆代工业务预计年内产能利用率达到 100%。Counterpoint 数据显示，三星电子正在扩大 DRAM 市场份额优势，美光与 SK 海力士的竞争进一步加剧。 终端市场方面，内存供应紧张已影响消费电子产品供应。有消息称，MacBook Air 因内存短缺出现供货紧张。 此外，韩国 AI 芯片独角兽 DeepX 估值据称飙升 4 倍至 3.14 万亿韩元，显示 AI 芯片及存储产业链热度持续提升。