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来源MarsBit

三星HBM4E良率已超70%,下一代DRAM工艺D1d目标11月获生产准备批准

火星财经消息,7 月 1 日,三星电子在全球首个 HBM4(第六代)量产后,正在 HBM4E(第七代)和下一代 DRAM 开发方面取得进展。三星电子 DS 部门 CTO 兼半导体研究所所长 Song Jae-hyuk 在 6 月 30 日举行的内部经营现状说明会上表示,HBM4E 可靠性测试良率已提升至 70% 以上。业内通常认为,良率超过 80% 即进入工艺稳定的「成熟良率」阶段;考虑到 HBM4E 仍处于可靠性测试阶段,70% 以上被视为开发正进入稳定区间的指标。 三星电子今年 2 月已率先量产出货 HBM4,并于 5 月 29 日公开 HBM4E 12 层产品详细技术规格,向主要客户出货样品。HBM4 将用于英伟达下半年推出的 AI 加速器 Vera Rubin,HBM4E 则预计用于英伟达明年推出的下一代 AI 加速器 Vera Rubin Ultra 等产品。 三星下一代 DRAM 工艺开发也进展顺利。Song Jae-hyuk 认为,D1d 工艺技术竞争力相较竞争对手具备优势,并正以 11 月获得生产准备批准为目标推进开发。D1d 是三星计划从下一代 HBM5(第八代)起应用的核心 DRAM 工艺,若按计划推进,将对下一代 DRAM 及 HBM5 后续产品竞争力产生积极影响。(Fnnews)
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