三星推动Q3 DRAM平均售价环比上涨20%
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Citrini：预测2030年全球DRAM缺口达28.7EB记忆体市场或迈入长期供需紧张周期
BlockBeats 消息，7 月 16 日，市场研究机构 Citrini Research 最新预测，到 2030 年，全球 DRAM 市场仍将出现大规模供应缺口，规模预计达 28.7EB，约占当年总需求的 18%，对比今年全球总产能约 40EB。 根据 Citrini 的研究员 Zephyr 分享的数据，2030 年全球 DRAM(含 HBM) 需求预计达 157.5EB，供应能力仅约 128.8EB；其中普通 DRAM 将是最大瓶颈，预估供应约每年 91EB，需求却高达 120EB，缺口比例将从目前的 18% 扩大至 25% 左右。 报告强调，即便三星、SK 海力士、美光及中国厂商持续扩产，新增产能仍可能被飞涨的 AI 需求快速吸收。造成供需失衡的核心在于 AI 基础设施爆发，因大模型训练推理、HBM 成为 AI 加速器核心，连带推升传统服务器 DRAM 需求。在紧平衡下，DRAM 平均售价 (ASP) 可能长期维持高位，预计落在每 Gb1.5-2 美元，伺服器、PC 及消费电子记忆体成本将持续承压。
SK海力士加速Y1工厂建设 现已开始订购DRAM制造设备
火星财经消息,SK海力士已开始向主要合作伙伴订购Y1工厂所需的先进DRAM制造设备，初期投资规模对应月产2万片晶圆的生产能力。Y1是SK海力士在京畿道龙仁市处仁区远三面一带建设的大规模半导体集群中的第一座工厂。一期工厂由2个厂房骨架和6个洁净室组成。首座洁净室（ph1）的投产时间已从原计划的2026年5月提前至2026年2月。 （ZDnet Korea）
BofA：内存市场或迎超级周期，预计2026年DRAM收入增三倍以上
BlockBeats 消息，7 月 13 日，美国银行在 7 月 11 日研报中称，全球内存行业的 ASP 驱动型超级周期仍在延续，预计 2026 年全球 DRAM 收入将同比增长 325%，至 5688 亿美元。 研报预计，NAND 收入同期将增长 299%，至 3231 亿美元；DRAM 和 NAND 合计收入将达到 8918 亿美元，较 2025 年增长 315%。到 2027 年，两类产品合计收入或进一步升至 1.25 万亿美元。 美国银行称，本轮增长主要由价格反弹推动，而非单纯出货增长。该行预计 2026 年 DRAM 平均售价同比上涨 249%，NAND 平均售价上涨 238%。
南亚科：公司产能将扩张近七成 DRAM维持供不应求至2028年
火星财经消息,南亚科技在法说会指出，Rubin Ultra和TPA等新一代AI加速计算平台推升HBM bit需求并持续排挤传统DRAM产能，预期至2028年全球DRAM仍将供不应求。南亚科技预估2026-2028年公司产能扩张约69%。5A新厂将导入1C/1D奈米先进制程，并新增产能约4.5万片，有助于提高单位晶圆bit产出。预计2027、2028年bit出货量将分别年增8%、53%达到67.5亿Gb和103.3亿Gb。此外，由于Q2平均每Gb价格尚未完全反映合约价上涨，且大型长约客户换约存在时间差，预计三季度ASP仍有上修空间。(财联社)
消息称三星电子第三季度DRAM价格将上调至多20%
Odaily星球日报讯 据业内人士 3 日透露，三星电子目前正在与客户进行谈判，目标是将今年第三季度 DRAM 的平均售价比上一季度提高 20%。（ZDNET Korea）
Jasper3611持有XYZ100最大空头头寸，价值2240万美元，累计盈利271.98万美元
Odaily星球日报讯 据 HyperliquidNews 监测，Markets.xyz 用户“Jasper3611”在过去 9 小时内开立 750 枚 XYZ100 空头头寸，价值 2240 万美元。该账户自 2026 年 5 月 14 日以来累计盈利 271.98 万美元，交易量超过 6.1 亿美元。目前，该账户持有 XYZ100 最大头寸，占未平仓量的 9.8%。