三星证券：中国DUV进展对本轮AI芯片周期影响有限，美股半导体股抛售反应过度
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中国DUV量产叠加AI资本开支担忧等因素，引发美韩半导体板块抛售，韩国KOSPI指数触发熔断
BlockBeats 消息，7 月 28 日，韩国 KOSPI 指数今日下跌 8% 触发熔断机制，SK 海力士跌超 12%，三星电子跌超 10%，美股周一费城半导体指数一度跌超 5%。本轮美股与韩股半导体板块大跌，主要由中国芯片产业进展、AI 资本开支担忧及投资者高位获利了结等因素共同推动。 中国在半导体制造设备领域取得进展，中国企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，引发半导体设备股抛售，阿斯麦（ASML）大跌 5.80%。不过，三星证券指出，相关设备仍需验证量产能力，短期产量有限，且中国 AI 芯片和服务器 DRAM 暂难进入美国数据中心生态，对本轮 AI 半导体周期的实际影响有限。此外，Citrini 分析师 Jukan 表示，中国在 DUV 光刻技术方面取得进展的消息并不特别令人意外，市场此前已对此形成一定预期。The Information 的相关报道仅援引中国某所交通大学教授在 6 月一次内部会议上的发言，并未披露更多实质性信息。ASML 等半导体设备股出现的抛售反应过度。 摩根大通认为，中国国产浸没式 DUV 光刻设备虽已开始小规模生产，并计划于 2026 年和 2027 年分别生产约 5 台和 20 台，但其性能、可靠性及大规模量产能力仍需进一步验证，距离真正替代 ASML 设备尚远。近期 ASML 等半导体股下跌更多源于市场情绪恶化，而非基本面受损，ASML 的业绩轨迹预计不会因此改变。 长鑫科技上市首日上涨 466%，成为中国市值最大的 A 股上市公司，市场认为中国存储产业自给化进程可能加速。分析认为，长鑫科技完成亚洲今年规模最大的 IPO 后，意味着公司资本更充足，进一步提升其未来扩产、技术研发等能力。给全球存储芯片龙头造成长期竞争压力。受此影响，存储板块全线下跌，闪迪（SNDK）跌 11.02%、海力士（SKHY）跌 7.47%、西部数据（WDC）跌 4.21%。 与此同时，英伟达近期公布 7500 亿美元的大规模基础设施合作重新引发市场对 AI 资本开支回报、循环融资及供应商融资风险的担忧。投资者开始质疑巨额数据中心投入能否转化为足够收入，相关担忧进一步压制芯片股估值。英伟达的债务违约保险成本飙升，引发科技股走低，英伟达（NVDA）跌 4.99%。野村资产管理公司首席策略师 Hideyuki Ishiguro 表示，在有关英伟达重大投资交易的报道后，其信用风险上升，这
Citrini分析师：中国DUV取得进展并不意外，ASML等半导体设备股抛售过度
火星财经消息，7 月 28 日，Citrini 分析师 Jukan 在社交媒体发文表示，中国在 DUV 光刻技术方面取得进展的消息并不特别令人意外，市场此前已对此形成一定预期。他指出，The Information 的相关报道仅援引中国某所交通大学教授在 6 月一次内部会议上的发言，并未披露更多实质性信息。Jukan 认为，受此消息影响，ASML 等半导体设备股出现的抛售反应过度。 此前报道，据 The Information 援引知情人士消息，一家获中国国有资本支持的企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，标志着中国半导体产业国产化替代取得关键进展。 消息人士称，该企业计划于 2026 年生产约 5 台国产 DUV 光刻机，并在 2027 年扩大至约 20 台。虽然与荷兰光刻机巨头 ASML 去年交付 131 套浸没式 DUV 光刻系统相比仍存在差距，但国产设备进入量产阶段，被市场视为中国芯片供应链自主化的重要突破。
中国光刻机进入「DeepSeek时代」？国产DUV量产消息引发全球芯片股重挫
BlockBeats 消息，7 月 27 日，据 The Information 援引知情人士消息，一家获中国国有资本支持的企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，标志着中国半导体产业国产化替代取得关键进展。 消息人士称，该企业计划于 2026 年生产约 5 台国产 DUV 光刻机，并在 2027 年扩大至约 20 台。虽然与荷兰光刻机巨头 ASML 去年交付 131 套浸没式 DUV 光刻系统相比仍存在差距，但国产设备进入量产阶段，被市场视为中国芯片供应链自主化的重要突破。 据悉，首批国产 DUV 设备计划交付至中芯国际、华虹半导体以及存储芯片厂商长鑫存储等国内芯片制造企业。其中，长鑫存储作为中国 DRAM 产业代表企业，有望成为国产先进半导体设备的重要应用场景。 受消息影响，全球半导体市场出现剧烈波动。美股存储芯片板块集体下跌，其中闪迪跌约 12.9%，西部数据跌约 8.6%，希捷科技跌约 6.9%，美光科技跌约 6.6%，SK 海力士跌约 8.6%。荷兰 ASML 及贝思半导体股价一度下跌 8% 以上并触发自动停牌，德国半导体企业英飞凌亦走低。 市场人士认为，若国产 DUV 设备能够在长鑫存储等厂商产线中实现稳定运行，可能进一步削弱中国芯片制造对海外关键设备的依赖，并改变全球半导体设备竞争格局。此次市场反应显示，国产光刻机量产进展已成为影响全球半导体产业链估值的重要变量。
受“国产DUV光刻机开始量产”影响，ASML美股盘中跌超7%
Odaily星球日报讯 受“某国企已开始量产 DUV 光刻机”消息影响，荷兰光刻机制造巨头 ASML Holding（ASML）美股盘中跌超 7%，暂报约 1633 美元。 此前消息，The Information 援引知情人士消息，一家获中国国有资本支持的企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，这是中国半导体产业推进国产化替代的重要进展。
中国自主DUV光刻机启动量产，长鑫存储或成为首批应用客户
BlockBeats 消息，7 月 27 日，据 The Information 援引知情人士消息，一家获中国国有资本支持的企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，这是中国半导体产业推进国产化替代的重要进展。 据悉，该企业计划于 2026 年生产约 5 台 DUV 光刻机，并在 2027 年扩大至约 20 台。虽然与荷兰光刻机巨头 ASML 的产能仍存在差距（ASML 去年交付 131 套浸没式 DUV 光刻系统），但国产 DUV 设备突破量产意味着中国芯片制造供应链进一步向自主可控迈进。 消息人士称，这批国产 DUV 光刻机计划交付给中国主要芯片制造商，包括中芯国际、华虹半导体以及存储芯片厂商长鑫存储。 其中，长鑫存储作为中国 DRAM 产业代表企业，预计将成为国产先进半导体制造设备的重要应用方。若国产 DUV 设备能够在长鑫存储等厂商产线中实现稳定运行，将进一步降低中国存储芯片产业对海外关键设备的依赖。
Tom Lee：AI下游资产表现持续增强，以太坊近一个月跑赢DRAM 72个百分点
Odaily星球日报讯 Bitmine 董事长、Fundstrat 联合创始人 Tom Lee 表示，“AI 下游”（AI downstream）相关资产的相对表现正在持续增强，其中以太坊（ETH）相较于 DRAM（动态随机存取存储器）板块近期展现出明显超额收益。 Tom Lee 披露数据显示，过去一个月内，ETH 相对 DRAM 的表现优势扩大至 7200 个基点（72 个百分点）。同期，ETH 价格上涨约 24%，而 DRAM 相关 ETF 则下跌约 38%。 Tom Lee 认为，随着 AI 基础设施投资从芯片、算力供应链逐渐向应用层和数字基础设施扩散，部分“AI 下游”资产正在获得市场重新定价。 作为长期看好以太坊生态的市场人士，Tom Lee 此前多次强调，随着稳定币、代币化资产以及链上金融应用发展，以太坊可能成为 AI 时代数字经济基础设施的重要组成部分。此次数据对比显示，加密资产与传统 AI 硬件供应链之间的表现分化正在扩大。