上海：围绕高性能计算芯片（GPU/NPU）、量子芯片（QPU）、高速光互连（CPO）、高带宽内存（HBM）及异构服务器等核心环节 推动自主芯片与主流大模型深度融合
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英伟达考虑降低Rubin Ultra GPU配置，以缓解HBM供应短缺
PANews 8月7日消息，据The Information报道，英伟达正在考虑调整下一代Rubin Ultra GPU的设计方案，通过减少高带宽内存（HBM）配置来应对先进HBM芯片供应紧张问题。 知情人士透露，过去几周英伟达已测试至少三种不同版本的Rubin Ultra GPU，其中部分版本搭载的显存容量低于公司此前公布的规划。英伟达考虑推出低显存版本，主要原因是市场可能无法获得足够数量的先进HBM芯片。 HBM是AI加速器的关键组件，能够提供更高的数据传输速度，成为训练和推理大型AI模型的重要基础。随着AI算力需求快速增长，HBM供应已成为限制高端AI芯片产能的重要因素之一。
美股盘前要闻一览：光通信、存储板块盘前大涨；全球最小GPU芯片通过实测；机构称英伟达评估下调Rubin Ultra平台的HBM配置
火星财经消息,投资者需重点关注的美股市场财经要闻如下：1、美三大股指期货集体上行。道琼斯指数期货涨1.25%，标普500指数期货涨0.35%，纳斯达克100指数期货涨1.11%。2、国际油价集体下挫。WTI原油期货价格跌3.33%，报77.663美元/桶；布伦特原油期货价格跌2.57%，报81.621美元/桶。消息面上，美财长贝森特称，美国可能明日与伊朗达成协议以开放霍尔木兹海峡。3、国际金银现货集体走高。现货黄金价格涨0.43%，报4072.67美元/盎司；现货白银价格涨2.72%，报59.74美元/盎司。4、欧洲三大股指集体上涨。英国富时100指数涨0.34%，法国CAC40指数涨0.32%，德国DAX30指数涨0.82%。5、美股光通信板块盘前大幅拉升，Coherent涨超13%，Lumentum涨超12%，康宁、迈威尔科技涨近8%。存储股普涨，闪迪涨超5%，美光科技、SK海力士涨超4%。6、AI应用股Palantir盘前大涨15%。公司二季度营收19.4亿美元，高于市场预期，并上调全年营收指引至81.5亿-81.6亿美元。7、全球最小GPU芯片TinyGPU v2.0据悉通过实机测试。该芯片约有24万个晶体管，具备4-bit双缓冲，以及存储在QSPI RAM中的8-bit深度缓冲。8、SpaceX正在设计其卫星系统，以适应由人工智能、机器学习和边缘计算驱动的数据需求的爆炸式增长，其目标是部署一个最多达一百万颗卫星的系统。与此同时，SpaceX将于今晚美股盘后交出其上市后的首份成绩单。9、集邦咨询表示，DRAM供不应求格局将延续至2027年，英伟达评估下调Rubin Ultra平台的HBM配置。部分云端服务供应商也正考虑调降下一代自研ASIC的HBM容量设计。10、马斯克7月单月身价缩水3630亿美元，这一缩水幅度超过了全球第2至第10大富豪中任何一人的全部身家。(财联社)
台积电加速布局 CPO，业界看好形成新摩尔定律
火星财经消息，据台湾《工商时报》9 月 14 日报道，随着 GPU、ASIC 运算能力持续跃升，传统铜互连逐渐逼近功耗与讯号传输极限，台积电正加速布局共同封装光学 CPO。业界看好，若 CPO 频宽维持每两年倍增，有望形成 AI 时代的「CPO 摩尔定律」。业界分析，CPO 频宽升级主要有三条路径，包括单通道速度由 200G 朝 400G 以上提升、光通道数量从 16 条向 32 条、64 条以上扩张，以及导入波长分波多工 WDM。至 2040 年理论值可达现阶段约 128 倍，以现阶段约 3.2T 等级计算，长期具有朝数百 T 发展的空间。台积电在光互连的角色由晶圆代工延伸至系统整合，从 3DFabric、CoWoS、SoIC 到硅光子与 CPO，逐步将运算、HBM 存储器及高速 I/O 整合。当高速电讯号超过 200G，经过 ABF 载板、PCB 与连接器等较长铜路径后讯号衰减加剧，产业朝铜路径缩短、光路径拉长发展。封装架构方面，现阶段光引擎先布局于载板，下一步可望将 CPO 置于中介层，未来更可能利用 SoIC 技术让光子集成电路 PIC 与 ASIC 走向 3D 垂直整合。业者表示，CPO 迈向量产仍须克服封装、光耦合与测试关卡；
Citrini观点：英伟达护城河依然深厚，HBM4成本翻倍推升Rubin售价，高毛利与强定价权未受动摇
火星财经消息，7 月 28 日，Citrini 分析师 Jukan 引用富邦证券《2027 半导体展望》报告指出，尽管 HBM4 成本将从 HBM3e 的 17-18 美元/GB 大幅跳升至 2026 年的 31-32 美元/GB，推升英伟达 Rubin GPU 售价至约 7.8 万至 8 万美元，但英伟达仍能维持 75% 至 80% 的高毛利率水平，其定价权与成本传导能力未被动摇。报告中同时指出，定制 ASIC 的 HBM 成本可能更高，达到 35-36 美元/GB，意味着 2027 年 HBM 成本将翻倍。 富邦证券报告对 AI 市场需求保持乐观，认为尽管市场近期担忧 AI 通胀，但 Token 成本仍是驱动云服务商资本支出的更重要因素。在架构层面，英伟达新机架仍计划使用相同数量的计算芯片，机架内仍用线缆做 Scale-up，机架间则用 NPO/CPO 做 Scale-out。此外谷歌计划 2028 年部署 1200 万至 1500 万颗 TPU，产能消耗较 2027 年翻倍以上；英特尔 EMIB 产能预计 2027 年底增至每月 2.4 万至 2.5 万片，台积电则放缓 SoIC 扩张以优先扩大 CoWoS 产能。 核心结论为：即便成本结构发生变化，英伟达在 AI 算力生态中的定价权、毛利率和需求支撑仍然构筑了难以撼动的竞争壁垒。
三星电子拟扩产 4 纳米应对 HBM4 需求
火星财经消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；
台积电暂用微凸块封装 HBM，要求开发 5μm 方案
火星财经消息，据材料行业消息人士 9 月 2 日透露，台积电预计短期内继续使用传统微凸块技术而非混合键合，用于连接高带宽存储器 HBM 与 AI 加速器的先进封装。考虑到相关材料开发周期，更细间距微凸块预计将沿用至 HBM4 后期及 HBM5 早期。台积电已要求材料和设备合作伙伴开发约 5 微米级凸块的键合和底部填充解决方案，韩国和日本供应商已开始开发，5μm 级凸块量产预计于 2028 年下半年开始。目前第三代扩展 HBM 即 HBM3E 的凸块高度约 15–25μm，HBM4 接近约 10μm。日本材料供应商此前表示难以保证 15μm 以下品质。缩短并细化凸块是因为 HBM 立方体高度限制及更高互连密度需求。JEDEC 规定 HBM 堆叠最大高度为 775μm。在台积电先进 CoWoS 封装中，GPU 与存储器供应商已组装的 HBM 堆叠通过微凸块安装到硅中介层上，16 层 DRAM 晶粒堆叠由 SK hynix 和三星电子等在 HBM 封装内完成。第一代和第二代 HBM 使用较大焊料凸块，微凸块在 HBM3 代左右成为主流。SK hynix 使用 MR-MUF 工艺，三星电子使用 TC-NCF。混合键合通过直接键合铜焊盘可实现更薄更密互连，台积电已在 SoIC 平台用于逻辑芯片堆叠，但 HBM 仍以微凸块连接中介层。