08-24 04:11来源MarsBit

高盛上调 2026 年 WFE 预测至 1500 亿美元

火星财经消息，高盛 8 月 23 日研报指出，将 2026 至 2028 年晶圆前端设备（WFE）预测上调至 1500 亿、2180 亿和 2810 亿美元，较此前预测分别高出 6%、17% 和 35%。调整后三年同比增速为 36%、45% 和 29%，此前预期为 28%、32% 和 12%。高盛认为，DRAM 和先进制程代工是短期主要驱动力。DRAM 领域，三星和 SK 海力士资本开支预测分别上调 22% 和 19%，HBM4 量产拉动刻蚀、沉积等设备需求；代工领域，台积电每年资本开支上修 80 亿美元，N2 制程进入量产爬坡阶段。NAND 和逻辑/其他（含 Terafab）将在中期接力，SpaceX 与特斯拉承诺的约 168 亿美元 Terafab 初始阶段设备投入已纳入 WFE 预测。高盛看多全球半导体设备股，重点推荐应用材料、泛林半导体、ASML、东京电子、ASMI、BESI、Lasertec 和荏原。

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08-12 12:11重要

美股盘前要闻一览：马斯克称SpaceX目标明年底建成10吉瓦算力；EDA巨头宣布实现全球首个HBM4 IP测试芯片验证；美国7月通胀数据今晚来袭

火星财经消息,投资者需重点关注的美股市场财经要闻如下：1、美三大股指期货集体上行。道琼斯指数期货涨0.19%，标普500指数期货涨0.30%，纳斯达克100指数期货涨0.71%。2、国际油价小幅走高。WTI原油期货价格涨0.61%，报83.711美元/桶；布伦特原油期货价格涨0.38%，报89.251美元/桶。3、国际金银现货双双走强。现货黄金价格涨1.03%，报4412.90美元/盎司；现货白银价格涨2.47%，报66.25美元/盎司。4、欧洲三大股指涨跌不一。英国富时100指数跌0.01%，法国CAC40指数跌0.14%，德国DAX30指数涨0.39%。5、美股AI算力租赁商CoreWeave、Nebius盘前双双大涨超15%，两家公司二季度业绩均好于市场预期。6、美股光通信板块盘前普涨。Lumentum领涨超8%，公司第四财季营收、利润以及下一季业绩指引全面超预期。Coherent涨超5%，Credo涨超4%。7、马斯克最新表态，AI收入在5年内将占SpaceX估值的99%，计划到明年年底将现有算力规模扩大约十倍，目标达到10吉瓦，对应潜在年收入为3000亿至5000亿美元。8、EDA巨头新思科技宣布实现全球首个HBM4 IP测试芯片验证。HBM4 IP测试芯片已与真实HBM DRAM完成端到端互连验证，涵盖PHY物理层、接口架构、信号传输方案及兼容性等全链路环节。系统在9.2Gbps速率下实现了稳定可靠的运行。9、微软据悉将Windows 11授权费提高7%至10%，幅度较往年明显增加，且CPU越高端授权费越高。10、三星电子确认在半导体研发中引入Anthropic旗下Claude模型，将设计验证周期大幅缩短至两天。11、伦敦金属交易所(LME)数据显示，铜库存减少2425吨，已连续40天下降，创2014年以来最长纪录。12、美国7月（核心）CPI数据将于今晚北京时间20:30公布。市场预估CPI同比增长3.4%，核心CPI同比增长2.5%。(财联社)

09-04 10:18

铠侠拟推动NAND闪存替代部分DRAM

火星财经消息,据报道，铠侠正推动将NAND闪存用于部分服务器DRAM所承担的工作。公司正在让客户评估一款CXL内存扩展模块，称采用该模块替代部分DRAM后，可将内存容量提升一倍、性能提高30%。不过，上述性能数据为公司测试结果，尚未得到独立验证。铠侠还计划于2028年开始向客户提供可直接连接英伟达GPU的SSD样品。(财联社)

08-24 04:52

三星制定“三阶段HBM路线图”：迈向真正的3D ZHBM，将DRAM直接堆叠在计算芯片上

火星财经消息 8月24日，近日，在Hot Chips技术大会上，三星DRAM设计团队的Sangwook Han发表演讲，正式披露三星HBM演进的三阶段路线图。这一路线图的终点，是一种名为zHBM的全新架构——将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层（interposer）。据报道，三星方面表示，相较于标准HBM4E，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，以及每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。（华尔街见闻）

09-20 00:41

长鑫存储拟进军 NAND 闪存市场

火星财经消息，据路透社援引知情人士报道，长鑫存储 CXMT 正准备进入 NAND 闪存芯片市场，将在核心 DRAM 业务之外扩展，并与三星电子、SK 海力士、美光以及长江存储竞争。长鑫存储计划在北京新工厂建立 NAND 闪存研发生产线，并在北京设立包含 NAND 开发项目的研究院。该公司已与客户讨论相关计划，其中包括一家拟为 AI 系统和超级计算机采购芯片的初创公司。研发线运营或大规模商业制造的时间表尚不明确。全球存储短缺由 AI 服务器需求推动，预计至少持续至 2027 年。制造商优先 DRAM 和 HBM 支出，限制了 NAND 产能增加。长鑫存储 7 月 IPO 募资 579.2 亿元人民币。长江存储于 2022 年被列入实体清单。

09-08 12:41重要

美股盘前要闻一览：阿斯麦新一代EUV光刻机获台积电和三星使用承诺；苹果与铠侠签署不设价格上限的NAND长协；津巴布韦叫停锑、钨出口

火星财经消息,投资者需重点关注的美股市场财经要闻如下：1、美三大股指期货涨跌不一。道琼斯指数期货跌0.78%，标普500指数期货跌0.24%，纳斯达克100指数期货涨0.06%。2、国际油价双双走强。WTI原油期货价格涨2.33%，报93.611美元/桶；布伦特原油期货价格涨1.51%，报98.468美元/桶。消息面上，胡塞武装称即将对沙特展开纵深打击。3、国际金银现货小幅下跌。现货黄金价格跌0.10%，报4401.77美元/盎司；现货白银价格跌0.05%，报66.11美元/盎司。4、欧洲三大股指窄幅波动。英国富时100指数跌0.01%，法国CAC40指数涨0.01%，德国DAX30指数跌0.06%。5、阿斯麦宣布与台积电、三星推进下一代高数值孔径光刻机技术的应用。台积电承诺于2030年将该技术用于先进制程量产，三星则将于2028年前将其用于DRAM量产。6、阿斯麦与台积电宣布推动高数值孔径极紫外光刻光罩从目前的6英寸向12英寸升级，双方计划于2031年建立12英寸光罩试产线。7、苹果与日本铠侠签署了一项NAND闪存的长期供应协议，这份合同的期限或为三到五年，并且没有价格上限。8、据供应链人士透露，英特尔PC CPU预计将于2026年10月上旬再度涨价10%。与此同时，毛利率偏低的小核产品线或将启动停产退市。9、三星电子4纳米制程据悉已满负荷运转，50%-60%产量正用于生产HBM4内存芯片基础裸片，对应月产能1.5万片。10、量子计算公司Quantinuum获美商务部1亿美元研发拨款，用于本土俘获离子量子计算机芯片及整机制造。11、津巴布韦即刻起禁止锑与钨的出口，矿石与精矿的外运出口也一并暂停，以推动本土加工。12、知情人士称，Anthropic放弃收购以色列AI初创公司Decart，此前预计交易规模60亿美元。(财联社)

08-30 06:05

Citrini分析师：Rubin Ultra下调HBM堆叠层数未必利空，或扩大HBM总需求

火星财经消息，8 月 30 日，Citrini 分析师 Jukan 发文表示，据其消息来源，英伟达 Rubin Ultra 所采用的 HBM 规格可能由 12 层 HBM4E 下调至 8 层，OpenAI 和 Anthropic 等客户甚至曾要求采用 4 层产品，但遭存储厂商拒绝，目前降规可能止步于 8 层。其认为，降规主要源于良率及成本压力：若采用 12 层 HBM4E 并计入涨价，内存成本可能占 Rubin Ultra 整体物料成本的约 70%。模型量化、MLA 以及计算任务拆分等软件优化，正将低频访问的 KV 缓存和模型状态转移至 LPDDR、CXL 及 NAND，HBM 主要保留当前计算所需的工作集。因此，在满足最低容量后，客户对 HBM 带宽的重视程度开始超过容量。其认为，降低堆叠层数可提高封装良率、增加 HBM 及 AI 加速器出货量，反而可能扩大 HBM 总需求；更高带宽要求还会降低晶圆中通过速度分档的芯片比例，进一步消耗 DRAM 晶圆产能。长期来看，HBM 终将被新架构替代，最终方向可能是存储与逻辑芯片融合，未来两年将成为存储厂商能否向逻辑领域扩张的关键阶段。