SK海力士CEO：未来三年DRAM以及HBM产能产能近乎售罄 中长期销售能见度大幅提升
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美光科技CEO：HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年
火星财经消息,美光科技董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上表示，结构性的供需增长率差距导致了持续的供应紧张，即使考虑到行业新增的DRAM洁净室空间计划，在强劲的需求趋势（包括客户不断提出的增量要求）下，我们看不到供需何时能恢复平衡的拐点。行业HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年。Sanjay Mehrotra透露，美光2027年HBM的大部分供应已经签订协议，“价格同比大幅上涨，这缩小了（HBM）与传统DRAM之间的毛利率差距。”(财联社)
SK海力士：DRAM和HBM到2029年的产能已全部售罄
火星财经消息 10月28日，据报道，SK海力士表示，DRAM和HBM到2029年的产能已全部售罄。（广角观察）
未来三年至2029年DRAM和HBM供应量几近售罄，SK HYNIX产能约50%已签长期协议
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，SK HYNIX 的 DRAM 和 HBM 供应量截至 2029 年的未来三年几乎售罄。2027 至 2028 年约 50%的产能已由长期协议覆盖，公司预计未来将维持相近比例。
三星电子高管：预计明年 HBM 将占 DRAM 晶圆产能近三成
ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。
三星电子高管称HBM明年将占行业DRAM产能近30%
据报道，三星电子一位高管表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商总晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。（界面）
存储厂商南亚科再上调DRAM合约价，最高涨幅或达20%
动察 Beating AI 快讯，据台媒报道，中国台湾地区存储厂商南亚科近期陆续通知客户，将再次上调 DRAM 合约价格，最高涨幅或达 20%。对于相关市场传闻，南亚科回应称，客户报价相关事宜不予置评。业内认为，新一轮涨价有望逐步传导至市场，并推升南亚科平均售价（ASP）及盈利水平。 TrendForce 集邦咨询预计，2026 年第四季度 DRAM 整体仍处于供不应求状态，普通 DRAM 合约价环比上涨 10% 至 15%；消费级 DRAM 因大厂持续减产，供给高度依赖中国台湾厂商，价格仍将延续上行。 AI 算力需求增长正持续推升服务器 DRAM 及 HBM 需求，而先进制程产能向高性能产品倾斜，进一步压缩传统 DRAM 供给弹性。三星、SK 海力士和美光近期均在扩大或调整 DRAM、HBM 相关产能与封装布局。 美光 CEO 此前表示，在需求持续增长及新增产能有限的情况下，目前尚未看到 DRAM 供需恢复平衡的明确拐点，并预计 HBM 需求增速将持续高于传统 DRAM 至 2028 年。