美光科技CEO：HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年
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三星电子高管：预计明年 HBM 将占 DRAM 晶圆产能近三成
ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。
三星电子高管称HBM明年将占行业DRAM产能近30%
据报道，三星电子一位高管表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商总晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。（界面）
美光科技CEO：除了数据中心 下一个巨大的增量市场将是物理AI
火星财经消息,美光科技董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上表示，除了数据中心，下一个巨大的增量市场将是物理AI（Physical AI）。自动驾驶汽车是物理AI的首个重大部署，我们相信随着时间的推移，它将扩展到人形机器人和其他智能自主系统。L4级及以上自动驾驶汽车的内存容量通常超过200GB，存储容量达到多个TB，这比今天L2+和L3级半自动驾驶汽车高出一个多数量级。人形机器人预计也将有类似的存储需求。美光认为，随着设备数量和单机存储含量的双重增长，到本世纪末，物理AI将成为存储需求的一个极其重要的驱动力。(财联社)
美光科技CEO：明后年存储市场供需将比2026年更紧缺，2027财年第一财季收入将达615亿美元
PANews 10月1日消息，据新浪财经报道，美光科技(MU.O)董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上表示，美光目前已签署26项长协，锁定约1500亿美元长期订单，2027和2028年存储市场供需将比2026年更为紧缺，且“看不到供需恢复平衡的尽头”。2027财年第一财季收入将达615亿美元，每股收益38.15美元，环比继续攀升，并明确指出这一季度将是2027财年全年毛利率的低点，此后各季度毛利率预计逐步回升。 美光科技(MU.O)预计2027财年上半年的资本支出约为250亿美元，下半年将更高，且大部分增量将用于新建晶圆厂（建筑支出）而非单纯的设备采购。
机构：上修2027年HBM价格展望 预估ASP年增达121%
火星财经消息,集邦咨询（TrendForce）最新研究显示，AI服务器需求持续扩张，HBM与Conventional DRAM仍竞逐有限的先进制程及晶圆产能，加上新一代产品的良率与产出提升仍需时间，预估2027年存储器供应将持续吃紧。在整体存储器价格维持上行趋势的情况下，供应商对2027年HBM涨价态度亦更为明确，为反映整体供应持续紧张，以及高价HBM4占比提升、HBM4e于2027年下半年逐步放量所带来的影响，TrendForce集邦咨询上修明年HBM价格展望，预估Blended ASP年增幅度将达121%。(财联社)
三星电子调整下一代 DRAM 路线图，将 B1b 命名为 D0a
ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整下一代 DRAM 战略，将此前以项目形式开发的 B1b 纳入正式路线图，并命名为首款 10 纳米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶体管 DRAM，现该产品被单独归类为 D0a-V。此次更名是为加快在通用 DRAM 中导入先进封装。B1b 将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造后再键合，采用晶圆对晶圆混合键合，通过铜互连直接连接。目前已商用 DRAM 为 1c，即第 6 代 10 纳米级、线宽约 11 至 12 纳米；下一代 1d 为第 7 代 10 纳米级、线宽约 10 至 11 纳米，被视为事实上最后的 10 纳米级产品，相关线宽属于营销用语而非实际物理尺寸。垂直晶体管可将单元内晶体管垂直布置，把单元面积从 6F² 缩至 4F²，但需应对高深宽比刻蚀和漏电流，开发难度较高。晶圆对晶圆混合键合已在 CMOS 图像传感器和高堆叠 NAND 中量产应用。三星电子正评估将 B1b 用于第 8 代高带宽内存 HBM5。HBM5 预计约 2029 年量产，目标是较 HBM4E 将运行速度提高 50% 以上。业界估计，基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用，具体量产投资日程或于明年年中确定。