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来源MarsBit

三星与 SK 海力士加强中国 NAND 基地,内年前推进设备投资

火星财经消息,据 ZDNet Korea 报道,三星电子与 SK 海力士计划至明年持续对中国 NAND 闪存量产线进行设备投资,以强化当地生产据点。三星今年上半年起已在西安 X2 产线推进 V9 NAND 转换投资,该产品为约 280 层堆叠的先进制程,预期可形成月产能 4 万至 5 万片;为稳定量产,公司已确定补充投资计划,核心是追加蚀刻工艺设备,相关采购订单有望年底前后明确,补充投资拟自明年下半年起执行。SK 海力士则自今年三季度起推进大连 2 厂 NAND 产品升级相关设备投资,讨论中的规模约合月产能 3 万片,关键制造设备自下月起陆续进场,并计划于明年上半年前完成部署。大连工厂系其 2020 年下半年收购英特尔 NAND 事业部后承接的资产,2022 年曾为扩产举行 2 厂开工仪式,后因市况等因素暂缓设备投入,目前投资重新启动。行业人士指出,上述安排旨在分阶段扩大中国境内先进 NAND 产能,以应对人工智能服务器等领域对高端存储需求的快速增长。
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