兆易创新：预计SLC NAND Flash产品供应短缺格局仍将在较长一段时间内持续
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TrendForce：高容量 NOR Flash 下半年合约价或再涨 90%–110%
火星财经消息，TrendForce 最新存储器产业研究指出，NOR Flash 市场正经历近十年来最显著的供需结构转变。AI 相关产品正吸收大量产能，供应商即使高端应用需求持续增长，也难以大幅增加 NOR Flash 位元产出。因此，2026 年下半年供需预计仍将失衡，整体合约价维持高位。尽管台湾和中国供应商已增加资本支出并扩产，新产能无法立即转化为市场供应。新产出需先经过制程迁移、良率爬升、产品认证和客户设计导入，中高容量段供应短缺短期内难以缓解。Winbond 预计 2026 年位元增长最强，受 45nm NOR 全面量产及向 25nm、20nm 迁移推动。GigaDevice 正升级 32Mb 及以上产品制程，上半年有效产出受限。MXIC 将额外 12 英寸产能优先用于 NAND 和 eMMC，限制 NOR 晶圆投入增长。2026 年 AI 和航空航天通信成为主要新增需求来源。AI 服务器 NOR 用量为传统服务器的 3-5 倍，边缘 AI、AI PC、机器人及低轨卫星等推动高密度需求。2026 年上半年合约价累计平均上涨 100–120%。下半年 256Mb 及以上产品平均价格可能再涨 90–110%，128Mb 及以下产品 4Q26 价格上涨 10–20%。
群联：明年NAND Flash供应仍吃紧 AI带动的半导体需求才刚开始
火星财经消息,群联CEO潘健成表示，近期与两家Flash原厂开会时，对方均直言“明年缺口不知道有多大”。这表明NAND Flash供给仍相当吃紧，因此市场不必再讨论Flash会不会缺货，真正关键在于供需紧张之际，“谁有能力拿到更多资源”，才会决定未来企业竞争力。潘健成指出，AI带动的半导体需求才刚开始，若以台积电持续扩充AI相关产能来看，更多AI芯片出货势必同步推升DRAM与Flash用量。未来AI对半导体产能的消耗可能延续二、三十年，不会因为存储器厂商扩产，就在一两年内迅速转为供过于求。(财联社)
铠侠拟推动NAND闪存替代部分DRAM
火星财经消息,据报道，铠侠正推动将NAND闪存用于部分服务器DRAM所承担的工作。公司正在让客户评估一款CXL内存扩展模块，称采用该模块替代部分DRAM后，可将内存容量提升一倍、性能提高30%。不过，上述性能数据为公司测试结果，尚未得到独立验证。铠侠还计划于2028年开始向客户提供可直接连接英伟达GPU的SSD样品。(财联社)
长存控股：2026年1-3月公司NAND Flash产品毛利率升至78.73%
火星财经消息,长江存储控股股份有限公司招股说明书显示，2026年1-3月，公司NAND Flash产品毛利率升至78.73%，其中，存储芯片毛利率84.23%，智能终端毛利率73.26%，固态硬盘毛利率70.29%。2026年1-3月，公司NAND Flash产品产能利用率为98.02%，产销率为82.40%。(财联社)
君正股份：DRAM新增产能预计2027年后陆续到位 模拟芯片这个季度开始有一定调价
火星财经消息,君正股份(300223.SZ)发布投资者关系活动记录表公告，公司当前战略聚焦于市场客户、产品能力和供应保障三大关键维度。在市场端，重点拓展NorFlash领域，目前已切入AI服务器市场需求最旺的头部供应商；同时围绕AI存储开展前瞻性研发以把握新的机会。在供应端，NorFlash产能问题已基本解决，但DRAM产能仍受限，新增产能预计2027年后才能陆续到位，因此2027年DRAM增长可能主要还是来自价格提升。在研发端，持续强化研发力量，依托在上海、苏州等地新布局的国内研发基地，推动本土化研发能力提升，并由新团队拓展至新兴市场。此外，模拟芯片前三季度基本没怎么涨价，这个季度会开始有一定调价，一方面受上游材料成本上升影响，另一方面，友商已开始涨价。后续具体涨价幅度会根据市场情况动态调整。(财联社)
长江存储 2026 年底试产 LPDDR5，长鑫拟进军 NAND
火星财经消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。