欧洲半导体股普遍上涨
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ASML和BESI恢复交易，德国半导体板块走低，英飞凌跌约3%
火星财经消息，7 月 27 日，阿姆斯特丹上市的 ASML 和 BESI 恢复交易，跌幅在 7.4%-8% 之间，此前一度跌停。 德国半导体板块走低，英飞凌跌约 3%，Siltronic AG 跌约 4%。 消息面上，据 The Information 援引知情人士消息，一家获中国国有资本支持的企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，这是中国半导体产业推进国产化替代的重要进展。
台积电将于 2030 年起量产采用 ASML 高 NA EUV 光刻机
ChainCatcher 消息，台积电 9 月 8 日宣布，将从 2030 年起在量产中采用荷兰 ASML 制造的极端紫外线（EUV）光刻装置新型“高 NA”机。双方同日还表示，将开展行业横断的高 NA 机改良工作。ASML 垄断供应用于形成纳米级超微细电路的 EUV 光刻机，并于 2023 年 12 月起开始出货可描绘更细电路的高 NA 机。英特尔已引入高 NA 机，台积电此前因成本高等原因推迟量产采用。台积电与 ASML 将启动行业横断项目，把作为电路原版的光掩模从目前的 6 英寸（约 15 厘米）方形大型化为 12 英寸方形，并开发对应大型掩模的高 NA 机及相关部件。计划于 2031 年前设立大型掩模试制产线，2033 年前使对应大型掩模的高 NA 机达到可投入先进半导体生产的状态。主要半导体制造商及掩模企业等已对参与表示兴趣。高 NA 机可描绘更细电路，但单次可描绘面积减为传统机型的一半，绘制大型芯片电路时需分多次曝光，工序复杂、成本上升。通过光掩模大型化可扩大曝光面积、降低成本。台积电董事长兼首席执行官魏哲家当日表示，将汇集全行业专业知识，持续推进使先进技术可广泛使用的技术创新，并传递其益处。
三星与ASML合作开发下一代EUV光刻掩模版
BlockBeats 消息，9 月 9 日，据首尔经济日报，三星电子将与全球最大的光刻设备制造商 ASML 共同开发高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术。三星正参与一项旨在推动行业标准转变的工作，即将自 20 世纪 80 年代以来一直使用的 6 英寸光掩模版转向 12 英寸版本，并力争率先基于高 NA EUV 设备建立 DRAM 量产体系。 三星计划从 2028 年开始将高 NA EUV 设备应用于 DRAM 生产，随后进一步将这项技术扩展至 1.4 纳米先进逻辑工艺，以推动其晶圆代工业务发展。扩大掩模版尺寸旨在弥补 EUV 技术的局限。高 NA EUV 的数值孔径比传统 EUV 高 66%，能够形成更加精细的电路图案。将目前使用的 6 英寸掩模版替换为 12 英寸掩模版，可以提高晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。
ASML开始建设第二个大型生产园区 第一阶段将于2029年完成
火星财经消息,据报道，ASML周二开始建设一个重大的新项目，生产园区位于荷兰，正努力跟上随着人工智能热潮的需求不断上升。这项投资最终将为多达2万人增加空间工人，第一阶段的目标是在2029年完成，将增加办公室、物流和一个所谓的洁净室空间 - a用于专业设备制造的受控环境。ASML表示，一个新的“流动工厂”的设计将使其成为可能以更快地建造和组装其巨型芯片打印工具而且高效。(财联社)
ASML 推进新一代光刻机升级，瞄准大型数据中心芯片市场
ChainCatcher 消息，ASML 表示，计划与其主要客户合作，开发能够生产最先进芯片制造设备的新方案，以满足英伟达等公司设计的大型数据中心芯片需求。目前 ASML 生产的被广泛应用的极紫外 EUV 光刻机可制造面积最大约 800 平方毫米的芯片，ASML 即将推出的下一代“高数值孔径”EUV 光刻机，能够制造出更为精细的芯片。不过，由于其采用尺寸较小的掩模版，目前在可制造芯片面积方面受到限制。ASML 计划到 2031 年展示采用更大尺寸掩模版的试验生产线，并在 2033 年使这项新技术具备大规模量产能力。
Gate 已派发阿斯麦 (ASML) 、万事达 (MA) 等 100 只美股标的现金股息
火星财经消息，Gate 已完成阿斯麦 (ASML) 、万事达 (MA) 等 100 只美股标的本期现金股息派发。平台已按比例向快照时间内持有相关股票的用户完成 USDT 派息结算，全程自动处理，用户无需任何操作。本次派息覆盖企业派息日为 2026-08-03 至 2026-08-07 的相关美股标的，涵盖科技与半导体、金融服务、能源、消费品、医疗健康、工业制造、地产 REITs、公用事业、材料制造、传媒娱乐、电信及策略 ETF 等多个行业板块。代表性标的包括阿斯麦 (ASML) 、万事达 (MA) 、好市多 (COST) 、通用动力 (GD) 等。