三星电子据报将新增DDR5内存模组产能全部交由外包
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Critini分析师：存储市场难现全面崩盘，HBM需求将吸收DDR产能
火星财经消息，6 月 25 日，Critini Research 分析师 Jukan 表示，假设未来 DDR 内存供应增加，DDR 价格面临下行压力。那么，厂商可以通过将部分 DDR 产能转向 HBM（高带宽内存）产能来进行对冲，从而避免整个存储市场价格出现大幅崩跌。 换句话说，即便 DDR5 价格最终「回归正常」，重新回落到此前的水平——尽管个人认为当前的 DDR 价格很可能已经成为新的常态——这也并不意味着整个存储芯片市场会随之崩溃。原因在于，HBM 带来的巨大需求将持续吸收原本用于生产通用型 DRAM 的产能，从而为存储器价格提供下行支撑。
机构：消费级LPDDR5X价格二季度飙升89%，AI内存挤压效应蔓延至手机和PC市场
火星财经消息，6 月 23 日，市场研究机构 SigmaIntell 22 日表示，由于内存供需失衡，今年第二季度消费类存储产品价格普遍上涨。其中，低功耗 DRAM 产品涨幅尤为明显，LPDDR4X 4GB 价格环比上涨 75%，LPDDR5X 12GB 价格环比上涨 89%。 这轮涨价的背景，是 LPDDR 内存开始被用于下一代服务器 GPU 平台。随着英伟达 Vera Rubin 等 AI 计算平台采用相关低功耗内存，供应竞争进一步加剧，存储厂商也将涨价范围扩大至智能手机和 PC 所使用的消费级内存。SigmaIntell 称，部分客户已经接受涨价，相关变化已反映到市场价格中。 供给端的压力来自产能重新分配。SigmaIntell 表示，第二季度存储厂商优先保障 HBM、服务器 DRAM 和企业级 SSD 等高附加值产品，导致消费级内存供应趋紧。由于成本压力上升，部分智能手机和 PC 品牌正在调整内存订单。 这也意味着，DRAM 价格在下半年的上涨速度可能有所放缓。相比中高端产品，低端终端所使用的内存需求预计将更明显降温。 当前，半导体晶圆资源正持续向高带宽内存 HBM 集中，消费级 DRAM 产能相对被压缩。HBM 通过年度客户合约维持较稳定价格，但供需失衡仍然严重。通用服务器 DRAM 也出现行业性涨价趋势，云厂商持续补充 DRAM 库存，渠道库存维持在约两到三周的低位。 消费电子市场因此承压。高附加值内存产品扩产、额外产能建设受限以及低库存水平叠加，使消费级 DRAM 短缺局面延续。 NAND 市场同样延续上涨。SigmaIntell 称，今年第二季度 SSD 价格环比上涨约 50%。企业级 NAND 产品需求依然强劲，价格波动并未削弱采购意愿。AI 集群和 AI agent 服务器扩容，正在推动对高性能、大容量存储设备的需求。 涨价压力也向移动和 PC NAND 扩散。UFS 价格最高上涨 100%，原因是企业级 SSD 需求扩张挤占供应，同时低容量 eMMC 等低端 NAND 供应减少，使消费级 NAND 供需也趋于紧张。 整体来看，AI 基础设施扩张正在改变存储产业的价格传导路径。过去主要集中在 HBM 和服务器 DRAM 的紧缺，正通过产能分配和晶圆资源挤压，传导至手机、PC 和消费级存储市场。对于终端品牌而言，内存和闪存成本上行可能成为下半年利润率和产品定价的重要变量。
谷歌拆解退役服务器回收 DDR4 应对内存短缺
火星财经消息，谷歌供应链基础设施高级总监 Nikhil Cherian 透露，为突破内存瓶颈，谷歌正在开发软件和硬件解决方案，并拆解退役服务器回收 DDR4 组件以建立内部回收供应链。谷歌已设计特殊硬件适配器，可将上一代 DDR4 连接到新一代人工智能服务器，同时进口退役服务器拆除其 DDR4 模块进行回收利用。Cherian 表示，人工智能行业已迅速从计算受限转向内存受限，高性能内存约占给定人工智能服务器物料清单成本的 75%。高盛报告指出，第三季度内存价格将继续增长，预计个人电脑 DRAM 价格上涨 18% 至 23%，服务器 DRAM 价格上涨 13% 至 18%。Trendforce 数据显示，8 月现货市场上 DDR4 8GB 和 DDR5 8GB 价格分别上涨至 142 美元和 133 美元。谷歌今年推出的两种 TPU ASIC 对内存进行了优化设计，称有望将内存需求降低至原来的六分之一。TPU8i 芯片采用专用分层内存设计，依靠高速 DDR5 内存架构执行主机级任务，每颗芯片搭载 288GB 的 HBM3e 高带宽内存。
Serenity加码看多晶豪科：DDR3涨价远超卖方预期，ASP上修至环比翻倍，经营杠杆全面打开
火星财经消息，8 月 30 日，Serenity 发文解析晶豪科（ESMT，3006）卖方报告：3 月时华南证券预计晶豪科 Q2 DDR3 4Gb 合约价环比约+50%，富邦证券预测 DRAM 价格环比+40%，而到了 8 月，华南已将晶豪科 Q2 综合 ASP 上修至环比+105% 至 113%，并明确 DDR3 涨幅「明显好于预期」。Serenity 认为利基型内存涨价已不再是单纯的营收故事，而是利润的大幅放大器，经营杠杆被打得极开。力积电下半年晶圆成本可能翻倍，同时客户接受成本转嫁的意愿远超预期。 晶豪科 7 月单月净利约 1.09 亿美元，远高于早前模型假设，按此年化粗算估值可低至约 1.9 倍 PE。DDR3 主要应用于 IP 摄像头、硬盘等产品，存储芯片在客户整机 BOM 中占比极低，芯片再贵几美元也远比改设计、重新认证的成本低，因此需求偏刚性。共识逻辑是同行将产能迁往 HBM/DDR5 等高价值产品，DDR3/DDR2 供给结构性收紧。
Citrini分析师：Rubin Ultra下调HBM堆叠层数未必利空，或扩大HBM总需求
火星财经消息，8 月 30 日，Citrini 分析师 Jukan 发文表示，据其消息来源，英伟达 Rubin Ultra 所采用的 HBM 规格可能由 12 层 HBM4E 下调至 8 层，OpenAI 和 Anthropic 等客户甚至曾要求采用 4 层产品，但遭存储厂商拒绝，目前降规可能止步于 8 层。其认为，降规主要源于良率及成本压力：若采用 12 层 HBM4E 并计入涨价，内存成本可能占 Rubin Ultra 整体物料成本的约 70%。 模型量化、MLA 以及计算任务拆分等软件优化，正将低频访问的 KV 缓存和模型状态转移至 LPDDR、CXL 及 NAND，HBM 主要保留当前计算所需的工作集。因此，在满足最低容量后，客户对 HBM 带宽的重视程度开始超过容量。 其认为，降低堆叠层数可提高封装良率、增加 HBM 及 AI 加速器出货量，反而可能扩大 HBM 总需求；更高带宽要求还会降低晶圆中通过速度分档的芯片比例，进一步消耗 DRAM 晶圆产能。长期来看，HBM 终将被新架构替代，最终方向可能是存储与逻辑芯片融合，未来两年将成为存储厂商能否向逻辑领域扩张的关键阶段。
美光警示 AI 存储墙加剧，HBM 约占 Meta Llama 3 训练中断 17%
火星财经消息，据 TrendForce 报道，在 Hot Chips 2026 上，美光强调 AI 算力进步快于存储提升，“存储墙”挑战日益突出。美光 Fellow Raghu Sriramaneni 指出，AI 加速器算力约每两年提升三倍，而 HBM 带宽同期增幅不足两倍，差距可能进一步扩大。对 HBM 依赖加深也带来可靠性问题，美光援引 Meta Llama 3 数据称，HBM 故障约占非预期训练中断的 17%。模糊计算与存储边界的新设计或有助于突破瓶颈。HBM 扩展还带来面积与供应压力：最新一代封装将两颗 GPU 与八个 12 层 HBM4 堆栈集成，存储约占半导体面积 90%，超过 GPU 所占面积的八倍；以 HBM 实现同等容量约需标准 DDR5 DRAM 三倍晶圆。热管理亦成关键约束，液冷与超薄芯片等方案正被探索。美光正推进互连、封装与冷却创新，包括面向存储优化的 SerDes 与 die-to-die PHY、更大尺寸 SiP 与玻璃基板先进封装，以及液冷、混合键合等，并开发 fusion bonding 以降低热阻并提升数据吞吐。