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谷歌拆解退役服务器回收 DDR4 应对内存短缺

火星财经消息，谷歌供应链基础设施高级总监 Nikhil Cherian 透露，为突破内存瓶颈，谷歌正在开发软件和硬件解决方案，并拆解退役服务器回收 DDR4 组件以建立内部回收供应链。谷歌已设计特殊硬件适配器，可将上一代 DDR4 连接到新一代人工智能服务器，同时进口退役服务器拆除其 DDR4 模块进行回收利用。Cherian 表示，人工智能行业已迅速从计算受限转向内存受限，高性能内存约占给定人工智能服务器物料清单成本的 75%。高盛报告指出，第三季度内存价格将继续增长，预计个人电脑 DRAM 价格上涨 18% 至 23%，服务器 DRAM 价格上涨 13% 至 18%。Trendforce 数据显示，8 月现货市场上 DDR4 8GB 和 DDR5 8GB 价格分别上涨至 142 美元和 133 美元。谷歌今年推出的两种 TPU ASIC 对内存进行了优化设计，称有望将内存需求降低至原来的六分之一。TPU8i 芯片采用专用分层内存设计，依靠高速 DDR5 内存架构执行主机级任务，每颗芯片搭载 288GB 的 HBM3e 高带宽内存。
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07-19 03:10重要

美银：第三季度DRAM均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测

火星财经消息，7 月 19 日，据美银全球研究《Global Memory Tech》报告显示，渠道调查发现，第三季度新议定的 DRAM 合约价格涨幅高于市场预期。服务器 DRAM 价格环比上涨 20% 至 30%，主要由高速 LPDDR5 带动，超过市场原先预计的不超过 20%。 现货需求同样保持强劲，商品 DDR5 及传统 DDR4 价格在 7 月继续环比上涨。高价 HBM4 的近期订单也在增加，相比之下，价格较低的 HBM3E 订单占比下降。 报告称，长期供应协议覆盖的 DRAM 销售占比明显低于 50%，非长期协议销售占比约 60% 至 70%；即使在长期协议下，部分订单也已确定环比上涨 5% 至 10%。部分 OEM 厂商加快下单，显示 DRAM 与 NAND 价格环比涨幅均可能超过 20%。 美银预计，第三季度全球 DRAM 平均售价将环比上涨 21%，高于 TrendForce 对传统 DRAM 上涨 13% 至 18%、包含 HBM 后上涨 8% 至 13% 的预测。

08-24 04:52

三星制定“三阶段HBM路线图”：迈向真正的3D ZHBM，将DRAM直接堆叠在计算芯片上

火星财经消息 8月24日，近日，在Hot Chips技术大会上，三星DRAM设计团队的Sangwook Han发表演讲，正式披露三星HBM演进的三阶段路线图。这一路线图的终点，是一种名为zHBM的全新架构——将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层（interposer）。据报道，三星方面表示，相较于标准HBM4E，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，以及每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。（华尔街见闻）

07-12 07:06

机构：HBM4价格今年下半年或涨至4-5美元/千比特 AI需求与产能瓶颈致全球DRAM半数产能被大厂锁定

火星财经消息,DigiTimes报告显示，受AI需求激增、产能结构性瓶颈影响，下一代HBM4价格2026年下半年或从2美元/千比特涨至4-5美元及以上。这一方面是因为HBM4制造过程的极端复杂性：其生产周期长达四到六个月，且初始良率显著偏低；另一方面，HBM的生产耗用的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍，严重限制了制造商在现有设施中可生产的总内存量。进一步加剧供应紧张局面的是，当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。据DigiTimes预测，到2027年，全球DRAM总产能中约有一半将完全无法提供给小型买家。(财联社)

07-09 09:33重要

美银重申看多英伟达：市场过度担忧HBM成本与ASIC竞争，当前估值接近11年低位

火星财经消息，7 月 9 日，美国银行最新研报表示，市场对英伟达面临的高带宽内存（HBM）成本上涨及 ASIC 定制芯片竞争的担忧已被放大，低估了公司强大的定价能力、供应链优势和生态壁垒。美银认为，即将推出的 Rubin AI 平台有望凭借更高售价覆盖 HBM 成本增长，而英伟达约 1190 亿美元的供应链承诺也将进一步巩固其成本优势，预计公司毛利率仍可维持在约 75% 的中段水平。 针对市场关注的 ASIC 替代风险，美银指出，谷歌 TPU 已发展超过十年，但同期英伟达 GPU 业务收入增长约 700 倍，显示定制芯片并未削弱 GPU 在 AI 训练和推理领域的主导地位。该行预计，英伟达未来仍将占据全球超大规模云厂商 AI 基础设施支出的 65% 至 70%。 估值方面，美银认为英伟达当前前瞻市盈率约 18.7 倍，仅为过去十年平均水平约 37 倍的一半，接近近 11 年低点，悲观预期已被充分计价。随着 Rubin 平台推进及 8 月财报临近，美银预计英伟达有望再次验证其产品竞争力与盈利能力，并推动市场重新给予估值溢价。

09-07 06:58重要

机构：Q2 DRAM产业营收季增59.5%，供给扩张仍不及需求成长

火星财经消息 9月7日，据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2026年第二季由于Conventional DRAM（一般型DRAM）合约价显著上涨，推升整体DRAM产业营收季增59.5%，近1,547.3亿美元。随着LLM模型训练、AI推理刺激AI Server需求，HBM3e、LPDDR5X和高容量RDIMM出货同步成长，Agentic AI应用则带动各容量规格的RDIMM拉货。供给方面，原厂库存处于谷底、且新增供给优先满足Server应用，第二季整体DRAM位元出货量小幅成长。（广角观察）

08-25 06:18重要

美光警示 AI 存储墙加剧，HBM 约占 Meta Llama 3 训练中断 17%

火星财经消息，据 TrendForce 报道，在 Hot Chips 2026 上，美光强调 AI 算力进步快于存储提升，“存储墙”挑战日益突出。美光 Fellow Raghu Sriramaneni 指出，AI 加速器算力约每两年提升三倍，而 HBM 带宽同期增幅不足两倍，差距可能进一步扩大。对 HBM 依赖加深也带来可靠性问题，美光援引 Meta Llama 3 数据称，HBM 故障约占非预期训练中断的 17%。模糊计算与存储边界的新设计或有助于突破瓶颈。HBM 扩展还带来面积与供应压力：最新一代封装将两颗 GPU 与八个 12 层 HBM4 堆栈集成，存储约占半导体面积 90%，超过 GPU 所占面积的八倍；以 HBM 实现同等容量约需标准 DDR5 DRAM 三倍晶圆。热管理亦成关键约束，液冷与超薄芯片等方案正被探索。美光正推进互连、封装与冷却创新，包括面向存储优化的 SerDes 与 die-to-die PHY、更大尺寸 SiP 与玻璃基板先进封装，以及液冷、混合键合等，并开发 fusion bonding 以降低热阻并提升数据吞吐。