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机构:Q2 DRAM产业营收季增59.5%,供给扩张仍不及需求成长

火星财经消息 9月7日,据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究,2026年第二季由于Conventional DRAM(一般型DRAM)合约价显著上涨,推升整体DRAM产业营收季增59.5%,近1,547.3亿美元。随着LLM模型训练、AI推理刺激AI Server需求,HBM3e、LPDDR5X和高容量RDIMM出货同步成长,Agentic AI应用则带动各容量规格的RDIMM拉货。供给方面,原厂库存处于谷底、且新增供给优先满足Server应用,第二季整体DRAM位元出货量小幅成长。(广角观察)
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07-19 03:10重要

美银:第三季度DRAM均价或环比上涨21%,高于TrendForce预测

火星财经消息,7 月 19 日,据美银全球研究《Global Memory Tech》报告显示,渠道调查发现,第三季度新议定的 DRAM 合约价格涨幅高于市场预期。服务器 DRAM 价格环比上涨 20% 至 30%,主要由高速 LPDDR5 带动,超过市场原先预计的不超过 20%。 现货需求同样保持强劲,商品 DDR5 及传统 DDR4 价格在 7 月继续环比上涨。高价 HBM4 的近期订单也在增加,相比之下,价格较低的 HBM3E 订单占比下降。 报告称,长期供应协议覆盖的 DRAM 销售占比明显低于 50%,非长期协议销售占比约 60% 至 70%;即使在长期协议下,部分订单也已确定环比上涨 5% 至 10%。部分 OEM 厂商加快下单,显示 DRAM 与 NAND 价格环比涨幅均可能超过 20%。 美银预计,第三季度全球 DRAM 平均售价将环比上涨 21%,高于 TrendForce 对传统 DRAM 上涨 13% 至 18%、包含 HBM 后上涨 8% 至 13% 的预测。

06-23 07:34重要

TrendForce:DRAM缺货潮向DDR2蔓延,老旧内存价格第三季料续涨

火星财经消息,6 月 23 日,高科技产业研究机构 TrendForce 在 6 月 22 日发布的研究中称,成熟制程 DRAM 供应持续收紧,迫使消费级 DRAM 买家转向更早世代的内存产品,以争取更多供货配额。这一变化正在推升 DDR2 和 DDR3 等传统 DRAM 的需求,并延续相关产品价格涨势。 该机构预计,DDR2 合约价在 2026 年第二季度将上涨约 55% 至 60%,第三季度还将进一步上涨 35% 至 40%。这意味着,在第一季度已经强劲上涨后,DDR2 价格压力并未缓解,反而因供需缺口扩大继续升温。 供应端的核心原因来自先进制程产能重新分配。TrendForce 指出,三大 DRAM 原厂仍优先将产能用于 HBM 和服务器 DRAM,以满足 AI 基础设施建设带来的需求。相应地,DDR4 及其他成熟制程产品的晶圆分配被压缩,消费级 DRAM 客户不得不转向台湾供应商寻求支持。 在供给有限的情况下,南亚科、华邦电等台湾 DRAM 厂商的议价能力增强。TrendForce 表示,由于需求显著超过台湾厂商可提供的位元出货量,供应商也在策略性减少低毛利产品投片,把产能转向更高价值产品,以改善获利结构。 需求端同样出现变化。随着消费级 DRAM 缺货和合约价上涨,部分 OEM 和 ODM 厂商为了控制整机成本,已经开始下修内存规格。一些原本采用 DDR4 的设计被改为 DDR3,部分 DDR3 产品则进一步改用 DDR2。客户试图通过较低容量配置或更旧世代产品,换取相对稳定的供货。 这使得 DRAM 缺货压力沿着技术世代逐级向下传导。原本主要集中在 HBM、服务器 DRAM 和 DDR4 的供应紧张,开始扩散到 DDR3、DDR2 等传统产品,凸显 AI 需求对整个内存产业链的挤出效应。 TrendForce 称,DDR2 的主要供应商包括华邦电和晶豪科。不过,华邦电正逐步减少 DDR2 生产,并将相关产能转向 DDR3、DDR4 和 LPDDR4 等毛利相对更高的产品,这将进一步加剧 DDR2 供应紧张。 相比之下,晶豪科计划在力积电既有晶圆配额内尽可能扩大 DDR2 生产,集中资源提升该产品线获利,并部分填补华邦电退出 DDR2 后留下的供应缺口。 这轮涨价显示,AI 带来的内存需求不再只影响高端 HBM 和服务器 DRAM。随着先进产能被重新定向,成熟制程和老旧内存产品也开始成为供需失衡的承压点。对仍依赖 DDR2、DDR3 的消费电子、工业控制和部分长生命周期设备而言,成本压力可能在下半年继续上升。

08-24 04:52

三星制定“三阶段HBM路线图”:迈向真正的3D ZHBM,将DRAM直接堆叠在计算芯片上

火星财经消息 8月24日,近日,在Hot Chips技术大会上,三星DRAM设计团队的Sangwook Han发表演讲,正式披露三星HBM演进的三阶段路线图。这一路线图的终点,是一种名为zHBM的全新架构——将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上,彻底取消2.5D中介层(interposer)。据报道,三星方面表示,相较于标准HBM4E,zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升,以及每个DRAM模组节省100W功耗,同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。(华尔街见闻)

08-04 05:52重要

SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点,HBM价格变化成关键因素

BlockBeats 消息,8 月 4 日,Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称,2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示,SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示,这一结果与市场此前预期有所不同,主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨,而是在重新谈判后出现下调,同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外,SK 海力士较早签署长期供应协议(LTA),其固定供应价格据称低于竞争对手,也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为,凭借 HBM3E 供应优势,SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明,美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。

08-03 23:51重要

DigiTimes:2027年DRAM与HBM产能已售罄

BlockBeats 消息,8 月 4 日,据 DigiTimes 报道,2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张,但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称,部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应,因为担心更多厂商加入产能争夺后,自身能够获得的配额进一步减少。目前,存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%,并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响,智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称,在产能几乎全部售罄的情况下,尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称,高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和,2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨,但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。

07-30 06:52

集邦咨询:2027年存储器市场走势分化 DRAM供给持续紧缺 NAND Flash转趋宽松

火星财经消息,根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究,2027年存储器需求仍由AI应用主导,DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲,CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加,市场维持供给紧张格局,价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下,2027年下半年供给将趋向宽松,价格可能面临修正压力。(财联社)