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机构：HBM4价格今年下半年或涨至4-5美元/千比特 AI需求与产能瓶颈致全球DRAM半数产能被大厂锁定

火星财经消息,DigiTimes报告显示，受AI需求激增、产能结构性瓶颈影响，下一代HBM4价格2026年下半年或从2美元/千比特涨至4-5美元及以上。这一方面是因为HBM4制造过程的极端复杂性：其生产周期长达四到六个月，且初始良率显著偏低；另一方面，HBM的生产耗用的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍，严重限制了制造商在现有设施中可生产的总内存量。进一步加剧供应紧张局面的是，当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。据DigiTimes预测，到2027年，全球DRAM总产能中约有一半将完全无法提供给小型买家。(财联社)
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08-04 07:51重要

DigiTimes：2027年DRAM与HBM产能已售罄

BlockBeats 消息，8 月 4 日，据 DigiTimes 报道，2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张，但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称，部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应，因为担心更多厂商加入产能争夺后，自身能够获得的配额进一步减少。目前，存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%，并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响，智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称，在产能几乎全部售罄的情况下，尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称，高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和，2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨，但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。

06-25 18:32

Critini分析师：存储市场难现全面崩盘，HBM需求将吸收DDR产能

火星财经消息，6 月 25 日，Critini Research 分析师 Jukan 表示，假设未来 DDR 内存供应增加，DDR 价格面临下行压力。那么，厂商可以通过将部分 DDR 产能转向 HBM（高带宽内存）产能来进行对冲，从而避免整个存储市场价格出现大幅崩跌。 换句话说，即便 DDR5 价格最终「回归正常」，重新回落到此前的水平——尽管个人认为当前的 DDR 价格很可能已经成为新的常态——这也并不意味着整个存储芯片市场会随之崩溃。原因在于，HBM 带来的巨大需求将持续吸收原本用于生产通用型 DRAM 的产能，从而为存储器价格提供下行支撑。

06-23 15:34重要

TrendForce：DRAM缺货潮向DDR2蔓延，老旧内存价格第三季料续涨

火星财经消息，6 月 23 日，高科技产业研究机构 TrendForce 在 6 月 22 日发布的研究中称，成熟制程 DRAM 供应持续收紧，迫使消费级 DRAM 买家转向更早世代的内存产品，以争取更多供货配额。这一变化正在推升 DDR2 和 DDR3 等传统 DRAM 的需求，并延续相关产品价格涨势。 该机构预计，DDR2 合约价在 2026 年第二季度将上涨约 55% 至 60%，第三季度还将进一步上涨 35% 至 40%。这意味着，在第一季度已经强劲上涨后，DDR2 价格压力并未缓解，反而因供需缺口扩大继续升温。 供应端的核心原因来自先进制程产能重新分配。TrendForce 指出，三大 DRAM 原厂仍优先将产能用于 HBM 和服务器 DRAM，以满足 AI 基础设施建设带来的需求。相应地，DDR4 及其他成熟制程产品的晶圆分配被压缩，消费级 DRAM 客户不得不转向台湾供应商寻求支持。 在供给有限的情况下，南亚科、华邦电等台湾 DRAM 厂商的议价能力增强。TrendForce 表示，由于需求显著超过台湾厂商可提供的位元出货量，供应商也在策略性减少低毛利产品投片，把产能转向更高价值产品，以改善获利结构。 需求端同样出现变化。随着消费级 DRAM 缺货和合约价上涨，部分 OEM 和 ODM 厂商为了控制整机成本，已经开始下修内存规格。一些原本采用 DDR4 的设计被改为 DDR3，部分 DDR3 产品则进一步改用 DDR2。客户试图通过较低容量配置或更旧世代产品，换取相对稳定的供货。 这使得 DRAM 缺货压力沿着技术世代逐级向下传导。原本主要集中在 HBM、服务器 DRAM 和 DDR4 的供应紧张，开始扩散到 DDR3、DDR2 等传统产品，凸显 AI 需求对整个内存产业链的挤出效应。 TrendForce 称，DDR2 的主要供应商包括华邦电和晶豪科。不过，华邦电正逐步减少 DDR2 生产，并将相关产能转向 DDR3、DDR4 和 LPDDR4 等毛利相对更高的产品，这将进一步加剧 DDR2 供应紧张。 相比之下，晶豪科计划在力积电既有晶圆配额内尽可能扩大 DDR2 生产，集中资源提升该产品线获利，并部分填补华邦电退出 DDR2 后留下的供应缺口。 这轮涨价显示，AI 带来的内存需求不再只影响高端 HBM 和服务器 DRAM。随着先进产能被重新定向，成熟制程和老旧内存产品也开始成为供需失衡的承压点。对仍依赖 DDR2、DDR3 的消费电子、工业控制和部分长生命周期设备而言，成本压力可能在下半年继续上升。

08-04 13:52重要

SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点，HBM价格变化成关键因素

BlockBeats 消息，8 月 4 日，Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称，2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示，SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示，这一结果与市场此前预期有所不同，主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨，而是在重新谈判后出现下调，同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外，SK 海力士较早签署长期供应协议（LTA），其固定供应价格据称低于竞争对手，也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为，凭借 HBM3E 供应优势，SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明，美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。

07-01 14:00

三星HBM4E良率已超70%，下一代DRAM工艺D1d目标11月获生产准备批准

火星财经消息，7 月 1 日，三星电子在全球首个 HBM4（第六代）量产后，正在 HBM4E（第七代）和下一代 DRAM 开发方面取得进展。三星电子 DS 部门 CTO 兼半导体研究所所长 Song Jae-hyuk 在 6 月 30 日举行的内部经营现状说明会上表示，HBM4E 可靠性测试良率已提升至 70% 以上。业内通常认为，良率超过 80% 即进入工艺稳定的「成熟良率」阶段；考虑到 HBM4E 仍处于可靠性测试阶段，70% 以上被视为开发正进入稳定区间的指标。 三星电子今年 2 月已率先量产出货 HBM4，并于 5 月 29 日公开 HBM4E 12 层产品详细技术规格，向主要客户出货样品。HBM4 将用于英伟达下半年推出的 AI 加速器 Vera Rubin，HBM4E 则预计用于英伟达明年推出的下一代 AI 加速器 Vera Rubin Ultra 等产品。 三星下一代 DRAM 工艺开发也进展顺利。Song Jae-hyuk 认为，D1d 工艺技术竞争力相较竞争对手具备优势，并正以 11 月获得生产准备批准为目标推进开发。D1d 是三星计划从下一代 HBM5（第八代）起应用的核心 DRAM 工艺，若按计划推进，将对下一代 DRAM 及 HBM5 后续产品竞争力产生积极影响。（Fnnews）

06-22 13:28重要

伯恩斯坦：常规DRAM价格在2027年可能继续上涨，HBM面临盈利追赶压力

火星财经消息，6 月 22 日，伯恩斯坦分析师在一份报告中表示，常规 DRAM 价格在经历从 2025 年三季度到 2026 年二季度约 4.5 倍的上涨后，可能在 2027 年继续上行。因此，当前常规 DRAM 在单位比特平均售价上已与高带宽内存（HBM）相当，甚至可能更高。伯恩斯坦指出，考虑到更高的比特密度与良率，今年常规 DRAM 每晶圆产能的收入可能是 HBM 的两倍，并享有明显更高的利润率。 该机构估算，HBM 价格需要再提升约三倍，才能在单位晶圆产能收入上追赶常规 DRAM。不过，存储芯片厂商可能不会如此激进地提高 HBM 价格，因为他们明白，HBM 成本过高可能不利于整个人工智能生态系统的发展，并最终反过来抑制存储需求。