Bubble boi：高带宽闪存主要客户是难以获得高端 HBM 的中国客户
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SemiAnalysis：HBF 非 HBM 替代，成本与散热仍存不确定性
火星财经消息，P Equity Research 与 SemiAnalysis 研究员 Nick Doyle 等在 X Space 讨论高带宽闪存 HBF。Nick 表示，目前判断 HBF 相对 HBM 的成本溢价能缩小多少仍为时过早，现有数据多为厂商说法，如 Sandisk 称每比特成本约为 HBM 的八分之一。良率、测试等会随规模改善，但 TSV、堆叠及 pSLC 模式等结构性成本永久存在，耐久性是关键未知数，若磨损超预期将推高成本。HBF 应用场景狭窄，仅面向 AI 推理，尤其是低 batch、长上下文的 MoE 模型，并非 HBM 替代品。实际带宽目标约 1.6 TB/s，属 HBM3E 级别，适合顺序读取以加载模型权重，更匹配本地或私有企业少量 GPU 的容量需求，而非超大规模带宽场景。散热可靠性尚未解决，闪存在 GPU 旁高温下会加速劣化，UCIe 分离与每日刷新等缓解措施仍未获验证。制造方面，Sandisk/Kioxia 具备 3D NAND 经验，SK Hynix 补充 HBM 式堆叠能力，但量产仍待证实。整体来看，存储正转向分层专业化市场，NAND 短缺预计持续至 2028 年，HBF 可能进一步影响供需。
Citrini分析师质疑闪迪HBF性能对比：演示参数或低估HBM实际能力
火星财经消息，8 月 14 日，Citrini 分析师 Zephyr 发文质疑闪迪在投资者日展示的 HBF 与 HBM 性能对比存在参数设置偏差，认为公司在演示中「刻意低估了 HBM 的性能」。 他指出，闪迪在对比中将 HBM 与 HBF 的总带宽均设为 12.8TB/s，相当于每个堆栈 1.6TB/s；同时采用 bfloat16 运行 Qwen3-480B-A35B 模型。Zephyr 称，当前模型推理更多使用 FP4 或 FP8，因此该模型在不同量化方式下所需容量约为 240GB 至 480GB。 Zephyr 还表示，闪迪将 HBM 单 GPU 容量固定为 192GB，但 16 层 HBM4E 在 8 个堆栈配置下可达到 512GB 容量，并提供约 32TB/s 带宽，约为闪迪演示参数的 3 倍。 其认为，上述参数选择使闪迪展示的「HBF 仅需 1 至 4 个 GPU，而 HBM 需要 8 个 GPU」的结果不能充分代表更高规格 HBM 配置下的实际性能。
闪迪详解AI存储战略，签939亿美元长期协议，HBF样品2027年亮相
BlockBeats 消息，8 月 14 日，闪迪在最新发布的投资者日材料中表示，AI 数据中心建设正在改变闪存行业的需求结构。公司预计，2026 年 Flash 市场规模将达到约 1.2ZB，数据中心将超过 Edge 成为最大需求来源；到 2027 年，行业收入 TAM 将从历史约 600 亿美元的周期中枢，跃升至 3000 亿美元以上，并接近 5000 亿美元。 这套叙事的核心在于 AI 推理。闪迪认为，长上下文、RAG、多模态和智能体应用将带来 KV Cache 需求，SSD 将从低附加值存储组件升级为 AI 基础设施中的战略环节。公司甚至将 SSD 称为「Token Battery」，意指通过存储已完成的计算结果，减少重复计算、降低能耗并提升吞吐。 商业模式上，闪迪强调与大客户签署多年期新商业模式协议，以降低 NAND 行业传统周期波动。公司称，目前已有 8 个客户参与相关安排，平均合同期限超过 4 年，到 FY2027 约一半 bit 供应将纳入该模式，到 FY2028 占比将升至约三分之二。相关协议按地板价计算的总合同价值为 939 亿美元，剩余履约义务为 911 亿美元，并有 165 亿美元金融担保支持。 财务目标同样激进。闪迪预计 FY2026 全年收入将达到 200 亿美元，同比增长 175%；Non-GAAP 毛利率为 71.6%，调整后自由现金流为 87 亿美元。公司给出的 FY2028 至 FY2030 长期模型显示，收入将保持中高双位数增长，Non-GAAP 毛利率约 80%，经营利润率约 75%，调整后自由现金流率约 50%。 下一条更远的主线是 HBF 高带宽闪存。闪迪称，HBF 将面向大模型推理中的「memory wall」问题，在相近读取带宽下提供最高为 HBM 8 至 16 倍的容量。公司预计首个 HBF 推理产品样品将在 2027 年出现，这将让市场继续用 AI 内存架构变化来重新评估其长期空间。
三星电子拟扩产 4 纳米应对 HBM4 需求
火星财经消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；
预计至少翻倍，三星电子明年扩大HBM4和HBM4E生产
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，三星电子预计明年将至少把 HBM4 和 HBM4E 产量提升至今年的两倍，并计划将用于 HBM 生产的玻璃载板外包清洗量从今年每月 2 万片增至明年每月 5 万片。 三星电子今年 2 月已开始量产出货 HBM4，并于 5 月向包括英伟达在内的客户提供 HBM4E 12 层堆叠样品。行业预计，三星电子 HBM 月均晶圆投入量将从今年约 18 万片增至明年约 25 万片，HBM4 系列出货占比或从约 40%升至约 80%。
Bubblemaps：Circle已将100亿枚ARC代币分发至11个地址
Odaily星球日报讯 据 Bubblemaps 监测，Circle 已完成 100 亿枚 ARC 代币的铸造，并通过空地址将其分发至 11 个地址，目前已可在链上实时追踪。 Arc 团队此前公告称，ARC 代币铸造已完成，总量 100 亿枚。团队强调 ARC 代币尚未上线流通、可交易、可供公众使用，或激活用于质押、治理、费用或实用功能。根据此前白皮书，ARC 代币分配方案为：60% 分配至生态系统（代币销售、开发者资助、网络增长）；25% 分配至 Circle（协议开发、质押与治理）；15% 分配至长期储备（战略灵活性与经济稳定）。