三星电子调整下一代 DRAM 路线图，将 B1b 命名为 D0a
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存储市场迎涨价潮：DRAM、NAND供应紧张，AI需求推动产业链扩产
火星财经消息，8 月 4 日，存储市场持续升温，多家机构预计 DRAM、NAND 价格将在供应紧张和 AI 算力需求推动下继续上涨。 SK 海力士与闪迪已发布首份高带宽闪存（HBF）标准规范，推动新型存储技术发展。同时，韩国单层 NAND 产品 7 月平均售价环比上涨 35%，创历史新高。 TrendForce 预计，由于供应短缺，2026 年第三季度 PC DRAM 固定交易价格或环比上涨 15% 至 20%。另有消息称，全球三大存储厂商已完成 2027 年全年产能分配谈判，DRAM 和 HBM 产能基本售罄。 产业链方面，三星电子晶圆代工业务预计年内产能利用率达到 100%。Counterpoint 数据显示，三星电子正在扩大 DRAM 市场份额优势，美光与 SK 海力士的竞争进一步加剧。 终端市场方面，内存供应紧张已影响消费电子产品供应。有消息称，MacBook Air 因内存短缺出现供货紧张。 此外，韩国 AI 芯片独角兽 DeepX 估值据称飙升 4 倍至 3.14 万亿韩元，显示 AI 芯片及存储产业链热度持续提升。
DigiTimes：2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息，8 月 4 日，据 DigiTimes 报道，2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张，但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称，部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应，因为担心更多厂商加入产能争夺后，自身能够获得的配额进一步减少。目前，存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%，并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响，智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称，在产能几乎全部售罄的情况下，尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称，高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和，2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨，但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
集邦咨询：2027年存储器市场走势分化 DRAM供给持续紧缺 NAND Flash转趋宽松
火星财经消息,根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。(财联社)
高盛观点：存储市场显露结构性变化，NAND部分替代DRAM用以降本成为实际趋势
BlockBeats 消息，7 月 16 日，Citirni 分析师 Jukan 引述高盛月度电话会议的内存板块点评，客户对 DRAM 接近 30% 的价格涨幅表现出强烈抵制，因此小幅下调第三季度 DRAM 价格增长预期。与此同时 NAND 前景变得更为乐观——AI 相关的 KV Cache 卸载需求持续超预期，叠加市场上出现用 NAND 替代昂贵 DRAM 的新兴趋势，进一步支撑 NAND 需求。分析师对 SK 海力士第二季度业绩持正面看法，预计营收约 85 万亿韩元，毛利率高达 63%，相关标的包括 SK 海力士、美光及闪迪。 点评还透露出存储市场的结构性变化。此前 AI 服务器对 HBM 的爆发式需求带动 DRAM 价格飙升，但当涨幅触及 30% 后客户开始抗拒继续涨价，涨价斜率面临阶段性放缓。而 NAND 正在抢占 AI 基础设施中的新角色——KV Cache 在推理场景中至关重要，用较便宜的 NAND 部分替代昂贵的 DRAM 以降低成本正在成为实际趋势。这种分化也意味着存储产业链内部资金轮动或将延续，投资者对 DRAM 相关标的短期盈利预期需更谨慎，而 NAND 端的基本面改善可能还未被充分定价。
铠侠拟推动NAND闪存替代部分DRAM
火星财经消息,据报道，铠侠正推动将NAND闪存用于部分服务器DRAM所承担的工作。公司正在让客户评估一款CXL内存扩展模块，称采用该模块替代部分DRAM后，可将内存容量提升一倍、性能提高30%。不过，上述性能数据为公司测试结果，尚未得到独立验证。铠侠还计划于2028年开始向客户提供可直接连接英伟达GPU的SSD样品。(财联社)
SK 海力士 NAND 业务承压：176 层产品占比过半，落后于三星等竞争对手
ChainCatcher 消息，据韩媒 Chosun Biz 报道，SK 海力士 NAND 因旧工艺产线转换落后，效率差距难缩小。截至今年第二季度，其 176 层产品占比仍约 50%，三星已完成以 236 层为主力的转换。Omdia 数据显示，美光 232 层占比 53%，YMTC 达 68%。NAND 价格上升周期中，先进工艺占比高的企业成本与利润改善更好。SK 海力士（含 Solidigm）NAND 营收份额从去年第四季度 21.4% 降至今年第一季度 16.4%，YMTC 从 11.5% 升至 16.2%。SK 海力士设备投资优先 DRAM 和 HBM，NAND 投资连续三年减少，从 2023 年 35 亿美元降至 2025 年 29 亿美元，拖慢转换。目前正考虑对老旧 NAND 资产减值以优化成本。