美股四季度「逼空」条件渐成：CTA仓位大撤退，1.3万亿美元回购蓄势待发
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WSJ：AI繁荣正制造新的资本虹吸，美股非科技企业承压
BlockBeats 消息，10 月 3 日，据 WSJ 报道，9 月美股市场分化明显加剧，尽管标普 500 指数基本持稳、纳斯达克 100 指数上涨 3%，但标普 500 指数中近 80% 的个股下跌，平均跌幅约 5%，11 个板块中仅科技和通信服务板块上涨。同期，罗素 2000 指数下跌 5%，而市值最大的 50 只股票上涨 2%。 9 月上涨的股票普遍与 AI 或数据中心供应链存在关联。与此同时，美国 10 年期国债收益率从 4.7% 飙升至 5.3%，非 AI 企业还面临利率、能源价格以及 AI 企业争夺员工、设备和资本的「三重压力」。 UBS 首席经济学家 Arend Kapteyn 表示，剔除 AI 科技企业后，美国资本支出「基本为零」。随着融资成本上升，企业信用利差也开始扩大，其中 CCC 级低评级债券利差 9 月上涨超过 1 个百分点，并超过去年美国关税冲击期间的水平。 此外，华尔街对企业盈利增长的预期也开始降温。高盛资产配置研究主管 Christian Mueller-Glissmann 表示，今年上半年盈利及盈利预期快速增长，但自夏季以来盈利增长动力开始减弱。文章认为，若债券收益率和油价持续高位，AI 以外行业或继续承压，企业盈利增速放缓，信用风险担忧也可能进一步上升。
高盛：三星3Q26营业利润与2027年HBM收入均有望突破100万亿韩元 重申“买入”评级
火星财经消息,高盛发布最新研报，重申三星电子“买入”评级。该行认为，三星电子基本面依然稳健，存储需求持续显著超过供应，且这一缺口预计将在2027年进一步扩大并在2028年延续。公司HBM业务持续改善，预计明年收入将突破100万亿韩元，量价齐升提供有力支撑。此外，股东回报存在上行潜力。当前股价对应2027E仅3.6倍P/E和1.6倍P/B(ROE达53%)，高盛认为这提供了有吸引力的风险回报。高盛指出，更新后的3Q26E预估与市场共识(BBG)基本一致，而2027-2028年的盈利预估则较市场基准高出8%-17%，主要反映更高的DRAM ASP假设(尤其是HBM)，其影响超过了传统DRAM出货量预估下调带来的拖累。高盛认为，公司聚焦HBM业务将相对限制传统DRAM的位元产出，从而在2027年进一步推升供应紧张态势。(财联社)
美光科技CEO：HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年
火星财经消息,美光科技董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上表示，结构性的供需增长率差距导致了持续的供应紧张，即使考虑到行业新增的DRAM洁净室空间计划，在强劲的需求趋势（包括客户不断提出的增量要求）下，我们看不到供需何时能恢复平衡的拐点。行业HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年。Sanjay Mehrotra透露，美光2027年HBM的大部分供应已经签订协议，“价格同比大幅上涨，这缩小了（HBM）与传统DRAM之间的毛利率差距。”(财联社)
三星电子高管：预计明年 HBM 将占 DRAM 晶圆产能近三成
ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。
机构：上修2027年HBM价格展望 预估ASP年增达121%
火星财经消息,集邦咨询（TrendForce）最新研究显示，AI服务器需求持续扩张，HBM与Conventional DRAM仍竞逐有限的先进制程及晶圆产能，加上新一代产品的良率与产出提升仍需时间，预估2027年存储器供应将持续吃紧。在整体存储器价格维持上行趋势的情况下，供应商对2027年HBM涨价态度亦更为明确，为反映整体供应持续紧张，以及高价HBM4占比提升、HBM4e于2027年下半年逐步放量所带来的影响，TrendForce集邦咨询上修明年HBM价格展望，预估Blended ASP年增幅度将达121%。(财联社)
三星电子高管称HBM明年将占行业DRAM产能近30%
据报道，三星电子一位高管表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商总晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。（界面）