ASML 将韩国光刻设备零部件价格统一上调 10%
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Citrini分析师：中国DUV取得进展并不意外，ASML等半导体设备股抛售过度
火星财经消息，7 月 28 日，Citrini 分析师 Jukan 在社交媒体发文表示，中国在 DUV 光刻技术方面取得进展的消息并不特别令人意外，市场此前已对此形成一定预期。他指出，The Information 的相关报道仅援引中国某所交通大学教授在 6 月一次内部会议上的发言，并未披露更多实质性信息。Jukan 认为，受此消息影响，ASML 等半导体设备股出现的抛售反应过度。 此前报道，据 The Information 援引知情人士消息，一家获中国国有资本支持的企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，标志着中国半导体产业国产化替代取得关键进展。 消息人士称，该企业计划于 2026 年生产约 5 台国产 DUV 光刻机，并在 2027 年扩大至约 20 台。虽然与荷兰光刻机巨头 ASML 去年交付 131 套浸没式 DUV 光刻系统相比仍存在差距，但国产设备进入量产阶段，被市场视为中国芯片供应链自主化的重要突破。
受“国产DUV光刻机开始量产”影响，ASML美股盘中跌超7%
Odaily星球日报讯 受“某国企已开始量产 DUV 光刻机”消息影响，荷兰光刻机制造巨头 ASML Holding（ASML）美股盘中跌超 7%，暂报约 1633 美元。 此前消息，The Information 援引知情人士消息，一家获中国国有资本支持的企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，这是中国半导体产业推进国产化替代的重要进展。
台积电将于 2030 年起量产采用 ASML 高 NA EUV 光刻机
ChainCatcher 消息，台积电 9 月 8 日宣布，将从 2030 年起在量产中采用荷兰 ASML 制造的极端紫外线（EUV）光刻装置新型“高 NA”机。双方同日还表示，将开展行业横断的高 NA 机改良工作。ASML 垄断供应用于形成纳米级超微细电路的 EUV 光刻机，并于 2023 年 12 月起开始出货可描绘更细电路的高 NA 机。英特尔已引入高 NA 机，台积电此前因成本高等原因推迟量产采用。台积电与 ASML 将启动行业横断项目，把作为电路原版的光掩模从目前的 6 英寸（约 15 厘米）方形大型化为 12 英寸方形，并开发对应大型掩模的高 NA 机及相关部件。计划于 2031 年前设立大型掩模试制产线，2033 年前使对应大型掩模的高 NA 机达到可投入先进半导体生产的状态。主要半导体制造商及掩模企业等已对参与表示兴趣。高 NA 机可描绘更细电路，但单次可描绘面积减为传统机型的一半，绘制大型芯片电路时需分多次曝光，工序复杂、成本上升。通过光掩模大型化可扩大曝光面积、降低成本。台积电董事长兼首席执行官魏哲家当日表示，将汇集全行业专业知识，持续推进使先进技术可广泛使用的技术创新，并传递其益处。
三星与ASML合作开发下一代EUV光刻掩模版
BlockBeats 消息，9 月 9 日，据首尔经济日报，三星电子将与全球最大的光刻设备制造商 ASML 共同开发高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术。三星正参与一项旨在推动行业标准转变的工作，即将自 20 世纪 80 年代以来一直使用的 6 英寸光掩模版转向 12 英寸版本，并力争率先基于高 NA EUV 设备建立 DRAM 量产体系。 三星计划从 2028 年开始将高 NA EUV 设备应用于 DRAM 生产，随后进一步将这项技术扩展至 1.4 纳米先进逻辑工艺，以推动其晶圆代工业务发展。扩大掩模版尺寸旨在弥补 EUV 技术的局限。高 NA EUV 的数值孔径比传统 EUV 高 66%，能够形成更加精细的电路图案。将目前使用的 6 英寸掩模版替换为 12 英寸掩模版，可以提高晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。
瑞银：中国未来十年内难开发可媲美阿斯麦顶尖 EUV 光刻设备，DUV 量产或需两至五年
火星财经消息，据彭博社报道，瑞银集团分析师预计，未来十年内中国半导体制造能力可能难以取得足够快的进展，从而开发出能够真正替代阿斯麦尖端 EUV 光刻技术的方案。瑞银分析师在报告中写道，“他们目前所处的阶段似乎与阿斯麦在 2004 年时相当”，从专利申请活动来看，尤其是在光源和激光子系统领域，中国当前技术成熟度大致相当于阿斯麦开始大规模生产 EUV 设备前 15 年的水平。瑞银同时预计，中国有望在未来两到五年内具备浸没式 DUV 光刻机的大规模量产能力。浸没式 DUV 虽不如 EUV 先进，但仍是芯片制造不可或缺的设备。阿斯麦浸没式 DUV 售价近 9000 万美元，EUV 设备每台超 2 亿美元。中国是阿斯麦最大市场之一，但受出口限制，阿斯麦被禁止向中国出售 EUV 设备。瑞银指出，考虑到良率和产能差距及监管限制，中国光刻设备不太可能在境外得到应用。阿斯麦发言人对置评请求未作回应。该报道基于瑞银分析师的预测观点，实际进展以产业动态为准。
中国DUV量产叠加AI资本开支担忧等因素，引发美韩半导体板块抛售，韩国KOSPI指数触发熔断
BlockBeats 消息，7 月 28 日，韩国 KOSPI 指数今日下跌 8% 触发熔断机制，SK 海力士跌超 12%，三星电子跌超 10%，美股周一费城半导体指数一度跌超 5%。本轮美股与韩股半导体板块大跌，主要由中国芯片产业进展、AI 资本开支担忧及投资者高位获利了结等因素共同推动。 中国在半导体制造设备领域取得进展，中国企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，引发半导体设备股抛售，阿斯麦（ASML）大跌 5.80%。不过，三星证券指出，相关设备仍需验证量产能力，短期产量有限，且中国 AI 芯片和服务器 DRAM 暂难进入美国数据中心生态，对本轮 AI 半导体周期的实际影响有限。此外，Citrini 分析师 Jukan 表示，中国在 DUV 光刻技术方面取得进展的消息并不特别令人意外，市场此前已对此形成一定预期。The Information 的相关报道仅援引中国某所交通大学教授在 6 月一次内部会议上的发言，并未披露更多实质性信息。ASML 等半导体设备股出现的抛售反应过度。 摩根大通认为，中国国产浸没式 DUV 光刻设备虽已开始小规模生产，并计划于 2026 年和 2027 年分别生产约 5 台和 20 台，但其性能、可靠性及大规模量产能力仍需进一步验证，距离真正替代 ASML 设备尚远。近期 ASML 等半导体股下跌更多源于市场情绪恶化，而非基本面受损，ASML 的业绩轨迹预计不会因此改变。 长鑫科技上市首日上涨 466%，成为中国市值最大的 A 股上市公司，市场认为中国存储产业自给化进程可能加速。分析认为，长鑫科技完成亚洲今年规模最大的 IPO 后，意味着公司资本更充足，进一步提升其未来扩产、技术研发等能力。给全球存储芯片龙头造成长期竞争压力。受此影响，存储板块全线下跌，闪迪（SNDK）跌 11.02%、海力士（SKHY）跌 7.47%、西部数据（WDC）跌 4.21%。 与此同时，英伟达近期公布 7500 亿美元的大规模基础设施合作重新引发市场对 AI 资本开支回报、循环融资及供应商融资风险的担忧。投资者开始质疑巨额数据中心投入能否转化为足够收入，相关担忧进一步压制芯片股估值。英伟达的债务违约保险成本飙升，引发科技股走低，英伟达（NVDA）跌 4.99%。野村资产管理公司首席策略师 Hideyuki Ishiguro 表示，在有关英伟达重大投资交易的报道后，其信用风险上升，这