半导体设备概念震荡拉升，京仪装备涨近10%
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台积电将于 2030 年起量产采用 ASML 高 NA EUV 光刻机
ChainCatcher 消息，台积电 9 月 8 日宣布，将从 2030 年起在量产中采用荷兰 ASML 制造的极端紫外线（EUV）光刻装置新型“高 NA”机。双方同日还表示，将开展行业横断的高 NA 机改良工作。ASML 垄断供应用于形成纳米级超微细电路的 EUV 光刻机，并于 2023 年 12 月起开始出货可描绘更细电路的高 NA 机。英特尔已引入高 NA 机，台积电此前因成本高等原因推迟量产采用。台积电与 ASML 将启动行业横断项目，把作为电路原版的光掩模从目前的 6 英寸（约 15 厘米）方形大型化为 12 英寸方形，并开发对应大型掩模的高 NA 机及相关部件。计划于 2031 年前设立大型掩模试制产线，2033 年前使对应大型掩模的高 NA 机达到可投入先进半导体生产的状态。主要半导体制造商及掩模企业等已对参与表示兴趣。高 NA 机可描绘更细电路，但单次可描绘面积减为传统机型的一半，绘制大型芯片电路时需分多次曝光，工序复杂、成本上升。通过光掩模大型化可扩大曝光面积、降低成本。台积电董事长兼首席执行官魏哲家当日表示，将汇集全行业专业知识，持续推进使先进技术可广泛使用的技术创新，并传递其益处。
三星与ASML合作开发下一代EUV光刻掩模版
BlockBeats 消息，9 月 9 日，据首尔经济日报，三星电子将与全球最大的光刻设备制造商 ASML 共同开发高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术。三星正参与一项旨在推动行业标准转变的工作，即将自 20 世纪 80 年代以来一直使用的 6 英寸光掩模版转向 12 英寸版本，并力争率先基于高 NA EUV 设备建立 DRAM 量产体系。 三星计划从 2028 年开始将高 NA EUV 设备应用于 DRAM 生产，随后进一步将这项技术扩展至 1.4 纳米先进逻辑工艺，以推动其晶圆代工业务发展。扩大掩模版尺寸旨在弥补 EUV 技术的局限。高 NA EUV 的数值孔径比传统 EUV 高 66%，能够形成更加精细的电路图案。将目前使用的 6 英寸掩模版替换为 12 英寸掩模版，可以提高晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。
瑞银：中国未来十年内难开发可媲美阿斯麦顶尖 EUV 光刻设备，DUV 量产或需两至五年
火星财经消息，据彭博社报道，瑞银集团分析师预计，未来十年内中国半导体制造能力可能难以取得足够快的进展，从而开发出能够真正替代阿斯麦尖端 EUV 光刻技术的方案。瑞银分析师在报告中写道，“他们目前所处的阶段似乎与阿斯麦在 2004 年时相当”，从专利申请活动来看，尤其是在光源和激光子系统领域，中国当前技术成熟度大致相当于阿斯麦开始大规模生产 EUV 设备前 15 年的水平。瑞银同时预计，中国有望在未来两到五年内具备浸没式 DUV 光刻机的大规模量产能力。浸没式 DUV 虽不如 EUV 先进，但仍是芯片制造不可或缺的设备。阿斯麦浸没式 DUV 售价近 9000 万美元，EUV 设备每台超 2 亿美元。中国是阿斯麦最大市场之一，但受出口限制，阿斯麦被禁止向中国出售 EUV 设备。瑞银指出，考虑到良率和产能差距及监管限制，中国光刻设备不太可能在境外得到应用。阿斯麦发言人对置评请求未作回应。该报道基于瑞银分析师的预测观点，实际进展以产业动态为准。
Citrini分析师：中国DUV取得进展并不意外，ASML等半导体设备股抛售过度
火星财经消息，7 月 28 日，Citrini 分析师 Jukan 在社交媒体发文表示，中国在 DUV 光刻技术方面取得进展的消息并不特别令人意外，市场此前已对此形成一定预期。他指出，The Information 的相关报道仅援引中国某所交通大学教授在 6 月一次内部会议上的发言，并未披露更多实质性信息。Jukan 认为，受此消息影响，ASML 等半导体设备股出现的抛售反应过度。 此前报道，据 The Information 援引知情人士消息，一家获中国国有资本支持的企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，标志着中国半导体产业国产化替代取得关键进展。 消息人士称，该企业计划于 2026 年生产约 5 台国产 DUV 光刻机，并在 2027 年扩大至约 20 台。虽然与荷兰光刻机巨头 ASML 去年交付 131 套浸没式 DUV 光刻系统相比仍存在差距，但国产设备进入量产阶段，被市场视为中国芯片供应链自主化的重要突破。
受“国产DUV光刻机开始量产”影响，ASML美股盘中跌超7%
Odaily星球日报讯 受“某国企已开始量产 DUV 光刻机”消息影响，荷兰光刻机制造巨头 ASML Holding（ASML）美股盘中跌超 7%，暂报约 1633 美元。 此前消息，The Information 援引知情人士消息，一家获中国国有资本支持的企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，这是中国半导体产业推进国产化替代的重要进展。
ASML 将韩国光刻设备零部件价格统一上调 10%
火星财经消息，光刻设备制造商 ASML 将对供应韩国的更换用设备零部件价格统一上调 10%，对象包括极紫外（EUV）与深紫外（DUV）光刻设备的全部零部件，自明年 1 月供货起适用。据 10 日业界消息，ASML 总部上月初通过韩国法人向三星电子与 SK 海力士提出该方案，经双方采购部门协商后确定；定期采购的消耗性零部件，以及因故障或性能下降而更换的主要部件均纳入涨价范围。光刻设备包含光学系统、光源、精密驱动装置等大量部件，持续运转成本将上升。ASML 以往多在原材料大涨或特定材料采购困难时单独调整相关零部件价格，统一上调 10% 属罕见。一位半导体业界人士称，零部件构成要素整体涨价，同时也有客户盈利后 ASML 希望多拿利润的因素。ASML 单独统计已安装设备的服务、零部件与升级收入，去年该收入为 81.93 亿欧元，占整体收入 326.67 亿欧元的 25%，公司预计今年该收入增长超过 30%。报道称，零部件之后，新下单的 ASML 设备价格也很可能上涨，公司正与主要客户讨论设备涨价。美国 The Information 今年 7 月报道，ASML 曾通知中国半导体企业等将 DUV 设备价格上调 10%，部分客户已接受，最大客户台积电据称反对设备涨价。