SemiAnalysis：ASML 正研发混合键合设备
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SemiAnalysis预计ASML将上调长期指引
Odaily星球日报讯 SemiAnalysis 在 X 平台发文表示，其认为华尔街对 ASML 的营收预期存在上行空间，并预计 ASML 将上调长期指引。 SemiAnalysis 指出，ASML 在第二季度财报中于三个月内第二次上调 2026 财年业绩指引，认为这释放出半导体设备行业新一轮上行周期进一步增强的信号。积极信号包括订单可见度延伸至 2028 年、管理层提前布局产能扩张、酝酿同类产品提价、DUV 浸没式光刻机出货重新加速，以及升级服务业务持续增长。基于上述因素，该机构认为市场当前对 ASML 营收预期仍有上行空间，并预计公司未来将进一步上调长期业绩指引。
SemiAnalysis：HBF 非 HBM 替代，成本与散热仍存不确定性
火星财经消息，P Equity Research 与 SemiAnalysis 研究员 Nick Doyle 等在 X Space 讨论高带宽闪存 HBF。Nick 表示，目前判断 HBF 相对 HBM 的成本溢价能缩小多少仍为时过早，现有数据多为厂商说法，如 Sandisk 称每比特成本约为 HBM 的八分之一。良率、测试等会随规模改善，但 TSV、堆叠及 pSLC 模式等结构性成本永久存在，耐久性是关键未知数，若磨损超预期将推高成本。HBF 应用场景狭窄，仅面向 AI 推理，尤其是低 batch、长上下文的 MoE 模型，并非 HBM 替代品。实际带宽目标约 1.6 TB/s，属 HBM3E 级别，适合顺序读取以加载模型权重，更匹配本地或私有企业少量 GPU 的容量需求，而非超大规模带宽场景。散热可靠性尚未解决，闪存在 GPU 旁高温下会加速劣化，UCIe 分离与每日刷新等缓解措施仍未获验证。制造方面，Sandisk/Kioxia 具备 3D NAND 经验，SK Hynix 补充 HBM 式堆叠能力，但量产仍待证实。整体来看，存储正转向分层专业化市场，NAND 短缺预计持续至 2028 年，HBF 可能进一步影响供需。
币安今日将新增ALABB、ASMLB、ASTSB等10个bStocks交易对
PANews 8月5日消息，据官方公告，币安将于2026年08月05日20:00（东八区时间）上线Astera Labs（ALABB）、ASML（ASMLB）、AST SpaceMobile（ASTSB）、BitMine Immersion Technologies（BMNRB）、Coherent（COHRB）、Credo Technology Group Holding Ltd（CRDOB）、IREN Limited（IRENB）、Netflix（NFLXB）、Super Micro Computer（SMCIB）和USA Rare Earth（USARB）交易对及现货算法订单服务。
ASML 首席财务官：限制对华销售 DUV 设备将适得其反
ChainCatcher 消息，全球领先芯片设备制造商 ASML 首席财务官 Roger Dassen 表示，公司反对美国国会一项限制其向中国销售 DUV 光刻设备的提案，认为这是个坏主意。该表态出现在公司第三季度业绩发布后与记者的电话会上。Dassen 说，如果 Match Act 在美国中期选举后通过，将加速中国国内对竞争性技术的研发。他还表示，自己乐观地认为常识会占上风。路透社将 Match Act 描述为限制 ASML 向中国销售 DUV 光刻设备的美国国会提案。
ASML 将公布第三季财报，市场预期获利接近翻倍
火星财经消息，荷兰半导体设备厂 ASML 预计于 10 月 14 日公布第 3 季财报。受 AI 芯片需求带动，市场预期营收与获利将较 2025 年同期显著增长。华尔街分析师预估第 3 季营收 117.3 亿欧元，年增 55%；每股盈余 10.76 欧元，相较 2025 年第 3 季的 5.49 欧元接近翻倍。ASML 第 2 季营收 93 亿欧元，高于 2025 年同期的 77 亿欧元，净利由 23 亿欧元增至 29 亿欧元。公司对即将公布的第 3 季预估营收 110 亿至 120 亿欧元，毛利率 55% 至 57%，并将全年营收展望上调至 430 亿至 450 亿欧元。ASML 是全球唯一商业化生产极紫外光微影设备的厂商，台积电、英特尔、三星等晶圆代工厂依赖其设备制造先进 AI 处理器，公司也在开发下一代 High-NA EUV。英特尔已用该设备在研发、测试及制造中处理超过 100 万片晶圆，三星计划于 2028 年将其引入先进 DRAM 量产。市场预期 ASML 规划于 2027 年将现有 EUV 系统产能提升约 30%。
三星电子规划三款 zNAND，面向定制化 AI 存储
火星财经消息，据 ZDNet Korea 10 月 12 日报道，三星电子正扩大次世代 NAND 闪存 zNAND 的应用范围，并规划在已公开的 zNAND-O 之外，将产品细分为 zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I 共 3 款。报道称，三星电子尚未正式宣布后两款产品，但业界了解到相关方案已进入初期开发，以对应 AI 基础设施中定制化存储需求增加的情况。zNAND-O 面向端侧 AI。与传统引线键合不同，该方案通过硅通孔将 NAND 垂直堆叠 4 层或 8 层，缩短数据传输路径，并提升速度与能效。三星电子已于今年 8 月在美国存储器相关活动中首次公开展示 zNAND-O 模型。zNAND-T 侧重吞吐量，面向高容量、高性能 AI 数据中心，同样以垂直堆叠和硅通孔扩大带宽，业界将其称为高带宽闪存。zNAND-I 侧重提升每秒输入输出次数，用于 AI 推理中对键值缓存等小容量临时数据的频繁处理。报道同时提到，SK 海力士也在开发 AIN P、AIN D、AIN B 等 AI NAND 产品系列。