成熟制程晶圆代工涨价潮延续 联电、世界先进、力积电持续迎来价量齐扬盛况
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长鑫科技：对DRAM行业长期发展保持充足信心
Odaily星球日报讯 长鑫科技今日（10 月 19 日）召开 2026 年第二次临时股东会。会上，其表示，公司对 DRAM 行业长期发展保持充足信心。AI 算力需求爆发正驱动全球 DRAM 市场持续扩容，预计 2025 至 2030 年行业年均复合增长率高达 38.39%。面对广阔市场机遇，公司已构建强大的产品技术实力，承接市场需求。 技术路线上，公司坚持自主研发与“跳代研发”策略，已完成从第一代到第五代工艺技术平台的产品迭代；产品端已实现从 LPDDR4X 到 DDR5、DDR5X，再到最新 LPDDR6 的全系列产品覆盖，核心技术达国际先进水平。 (科创板日报)
长鑫存储 DRAM 月产能 2027 年或增 31%，2028 年或近翻倍
火星财经消息，市场研究机构 Counterpoint Research 与 TrendForce 于 18 日表示，中国 DRAM 厂商长鑫存储月晶圆产能预计将从目前约 32 万片扩大至 2027 年的 42 万片，一年多时间新增约 10 万片，增幅达 31.3%。行业预计，长鑫存储月 DRAM 晶圆产能到 2028 年底将达到 50 万至 60 万片。若按上限 60 万片计算，较当前水平增加 28 万片，增幅约 87.5%。
存储厂商南亚科再上调DRAM合约价，最高涨幅或达20%
动察 Beating AI 快讯，据台媒报道，中国台湾地区存储厂商南亚科近期陆续通知客户，将再次上调 DRAM 合约价格，最高涨幅或达 20%。对于相关市场传闻，南亚科回应称，客户报价相关事宜不予置评。业内认为，新一轮涨价有望逐步传导至市场，并推升南亚科平均售价（ASP）及盈利水平。 TrendForce 集邦咨询预计，2026 年第四季度 DRAM 整体仍处于供不应求状态，普通 DRAM 合约价环比上涨 10% 至 15%；消费级 DRAM 因大厂持续减产，供给高度依赖中国台湾厂商，价格仍将延续上行。 AI 算力需求增长正持续推升服务器 DRAM 及 HBM 需求，而先进制程产能向高性能产品倾斜，进一步压缩传统 DRAM 供给弹性。三星、SK 海力士和美光近期均在扩大或调整 DRAM、HBM 相关产能与封装布局。 美光 CEO 此前表示，在需求持续增长及新增产能有限的情况下，目前尚未看到 DRAM 供需恢复平衡的明确拐点，并预计 HBM 需求增速将持续高于传统 DRAM 至 2028 年。
通过NEAR和INJ获利1700万美元的账户在Hyperliquid将MU、INTC和DRAM换成CBRS
PANews 10月4日消息，据Mlm Onchain监测，自周五市场收盘以来，某钱包在去中心化永续合约交易平台Hyperliquid上建立了9.47万枚CBRS（价值约1740万美元）的多头仓位，推动CBRS价格周末一度上涨近11%。 该钱包4小时前停止增持CBRS，随后CBRS价格回落3%。在此期间，该钱包减持了MU、INTC和DRAM的多头头寸，减持金额与新增的CBRS多头头寸基本持平。目前，该钱包在上述四项资产上的多头持仓总额已近5000万美元，该账户自8月中旬以来已通过NEAR和INJ交易获利1700万美元。
机构：美光DRAM市场份额紧追SK海力士，位列第三
火星财经消息 10月2日，市场研究机构Counterpoint发布数据，按营收口径，美光二季度DRAM市场份额为24%，位列行业第三。美光份额较上一季度提升2个百分点；同期第二名SK海力士份额下滑4个百分点至25%，双方差距收窄至1个百分点。分析师认为，这一变化源于二季度SK海力士相比竞品更加侧重高带宽内存（HBM）供应，在普通DRAM价格大幅上涨行情中受益有限。二季度普通DRAM价格涨幅远超HBM，厂商业绩因此随产品结构出现分化。三星电子在普通DRAM领域同样保持较高份额，以38%的占比稳居龙头地位。（广角观察）
美光科技CEO：HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年
火星财经消息,美光科技董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上表示，结构性的供需增长率差距导致了持续的供应紧张，即使考虑到行业新增的DRAM洁净室空间计划，在强劲的需求趋势（包括客户不断提出的增量要求）下，我们看不到供需何时能恢复平衡的拐点。行业HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年。Sanjay Mehrotra透露，美光2027年HBM的大部分供应已经签订协议，“价格同比大幅上涨，这缩小了（HBM）与传统DRAM之间的毛利率差距。”(财联社)