SK海力士Q3财报超预期，摩根大通给出翻倍上涨空间目标价
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长江存储 2026 年底试产 LPDDR5，长鑫拟进军 NAND
火星财经消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。
Serenity加码看多晶豪科：DDR3涨价远超卖方预期，ASP上修至环比翻倍，经营杠杆全面打开
火星财经消息，8 月 30 日，Serenity 发文解析晶豪科（ESMT，3006）卖方报告：3 月时华南证券预计晶豪科 Q2 DDR3 4Gb 合约价环比约+50%，富邦证券预测 DRAM 价格环比+40%，而到了 8 月，华南已将晶豪科 Q2 综合 ASP 上修至环比+105% 至 113%，并明确 DDR3 涨幅「明显好于预期」。Serenity 认为利基型内存涨价已不再是单纯的营收故事，而是利润的大幅放大器，经营杠杆被打得极开。力积电下半年晶圆成本可能翻倍，同时客户接受成本转嫁的意愿远超预期。 晶豪科 7 月单月净利约 1.09 亿美元，远高于早前模型假设，按此年化粗算估值可低至约 1.9 倍 PE。DDR3 主要应用于 IP 摄像头、硬盘等产品，存储芯片在客户整机 BOM 中占比极低，芯片再贵几美元也远比改设计、重新认证的成本低，因此需求偏刚性。共识逻辑是同行将产能迁往 HBM/DDR5 等高价值产品，DDR3/DDR2 供给结构性收紧。
SK海力士CEO：未来三年DRAM以及HBM产能产能近乎售罄 中长期销售能见度大幅提升
火星财经消息,SK海力士CEO郭鲁正周三在财报会上透露：“已经敲定的LTA订单，叠加当前和客户正在磋商的需求，未来三年直至2029年，我们的DRAM以及HBM产能实际上已经近乎售罄。磋商当中的订单，均基于客户明确的采购规划，落地概率很高。综合来看，中长期销售的能见度已经大幅提升。”(财联社)
机构：上修2027年HBM价格展望 预估ASP年增达121%
火星财经消息,集邦咨询（TrendForce）最新研究显示，AI服务器需求持续扩张，HBM与Conventional DRAM仍竞逐有限的先进制程及晶圆产能，加上新一代产品的良率与产出提升仍需时间，预估2027年存储器供应将持续吃紧。在整体存储器价格维持上行趋势的情况下，供应商对2027年HBM涨价态度亦更为明确，为反映整体供应持续紧张，以及高价HBM4占比提升、HBM4e于2027年下半年逐步放量所带来的影响，TrendForce集邦咨询上修明年HBM价格展望，预估Blended ASP年增幅度将达121%。(财联社)
SK海力士：DRAM和HBM到2029年的产能已全部售罄
火星财经消息 10月28日，据报道，SK海力士表示，DRAM和HBM到2029年的产能已全部售罄。（广角观察）
未来三年至2029年DRAM和HBM供应量几近售罄，SK HYNIX产能约50%已签长期协议
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，SK HYNIX 的 DRAM 和 HBM 供应量截至 2029 年的未来三年几乎售罄。2027 至 2028 年约 50%的产能已由长期协议覆盖，公司预计未来将维持相近比例。