铠侠第二季度营收环比增 40.3%，第三季度指引不及预期
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SK 海力士 NAND 业务承压：176 层产品占比过半，落后于三星等竞争对手
ChainCatcher 消息，据韩媒 Chosun Biz 报道，SK 海力士 NAND 因旧工艺产线转换落后，效率差距难缩小。截至今年第二季度，其 176 层产品占比仍约 50%，三星已完成以 236 层为主力的转换。Omdia 数据显示，美光 232 层占比 53%，YMTC 达 68%。NAND 价格上升周期中，先进工艺占比高的企业成本与利润改善更好。SK 海力士（含 Solidigm）NAND 营收份额从去年第四季度 21.4% 降至今年第一季度 16.4%，YMTC 从 11.5% 升至 16.2%。SK 海力士设备投资优先 DRAM 和 HBM，NAND 投资连续三年减少，从 2023 年 35 亿美元降至 2025 年 29 亿美元，拖慢转换。目前正考虑对老旧 NAND 资产减值以优化成本。
消息称Solidigm计划在美斥资450亿美元建设NAND晶圆厂
火星财经消息 10月28日，据报道，SK海力士旗下NAND与SSD企业Solidigm正就在美新建晶圆厂事宜与美国商务部洽谈。Solidigm计划为此投资450亿美元，并最终有望扩展近1000亿美元。消息人士透露，潜在的建厂地址包括纽约州在内的多个州，晶圆厂最早可能明年动工。该企业目前采用“双头”业务结构：在美设有总部和研发设施，中国则是其唯一量产晶圆厂所在地。Solidigm 计划先在中国实践新技术然后转移至拟设的美国晶圆厂，但这需要得到美国商务部的许可。（广角观察）
SK海力士放弃Solidigm美国IPO，美光、闪迪有望受益于NAND供应压力减轻
火星财经消息，10 月 24 日，据 LYNX Equity Strategies 分析师报告，SK 海力士放弃旗下 Solidigm 赴美 IPO 计划，意味着其原计划通过上市融资扩建美国 NAND 闪存产能的路径受阻。分析师认为，若相关扩产计划落地，可能在三年或更长时间后增加全球供应、压制行业定价；如今这一潜在风险消退，对美光和闪迪构成实质性利好。 分析师同时指出，此次变化主要影响中长期供应预期，并未立即改变当前市场供需格局，相关公司股价表现仍受整体市场环境影响。英特尔则面临小幅利空，因为其俄亥俄州园区可能失去一个潜在制造项目。周五，美光收涨 2.46%，闪迪收跌 1.82%。
三星电子规划三款 zNAND，面向定制化 AI 存储
火星财经消息，据 ZDNet Korea 10 月 12 日报道，三星电子正扩大次世代 NAND 闪存 zNAND 的应用范围，并规划在已公开的 zNAND-O 之外，将产品细分为 zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I 共 3 款。报道称，三星电子尚未正式宣布后两款产品，但业界了解到相关方案已进入初期开发，以对应 AI 基础设施中定制化存储需求增加的情况。zNAND-O 面向端侧 AI。与传统引线键合不同，该方案通过硅通孔将 NAND 垂直堆叠 4 层或 8 层，缩短数据传输路径，并提升速度与能效。三星电子已于今年 8 月在美国存储器相关活动中首次公开展示 zNAND-O 模型。zNAND-T 侧重吞吐量，面向高容量、高性能 AI 数据中心，同样以垂直堆叠和硅通孔扩大带宽，业界将其称为高带宽闪存。zNAND-I 侧重提升每秒输入输出次数，用于 AI 推理中对键值缓存等小容量临时数据的频繁处理。报道同时提到，SK 海力士也在开发 AIN P、AIN D、AIN B 等 AI NAND 产品系列。
长江存储 2026 年底试产 LPDDR5，长鑫拟进军 NAND
火星财经消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。
长鑫存储拟进军 NAND 闪存市场
火星财经消息，据路透社援引知情人士报道，长鑫存储 CXMT 正准备进入 NAND 闪存芯片市场，将在核心 DRAM 业务之外扩展，并与三星电子、SK 海力士、美光以及长江存储竞争。长鑫存储计划在北京新工厂建立 NAND 闪存研发生产线，并在北京设立包含 NAND 开发项目的研究院。该公司已与客户讨论相关计划，其中包括一家拟为 AI 系统和超级计算机采购芯片的初创公司。研发线运营或大规模商业制造的时间表尚不明确。全球存储短缺由 AI 服务器需求推动，预计至少持续至 2027 年。制造商优先 DRAM 和 HBM 支出，限制了 NAND 产能增加。长鑫存储 7 月 IPO 募资 579.2 亿元人民币。长江存储于 2022 年被列入实体清单。