SK 海力士 NAND 业务承压：176 层产品占比过半，落后于三星等竞争对手
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消息称Solidigm计划在美斥资450亿美元建设NAND晶圆厂
火星财经消息 10月28日，据报道，SK海力士旗下NAND与SSD企业Solidigm正就在美新建晶圆厂事宜与美国商务部洽谈。Solidigm计划为此投资450亿美元，并最终有望扩展近1000亿美元。消息人士透露，潜在的建厂地址包括纽约州在内的多个州，晶圆厂最早可能明年动工。该企业目前采用“双头”业务结构：在美设有总部和研发设施，中国则是其唯一量产晶圆厂所在地。Solidigm 计划先在中国实践新技术然后转移至拟设的美国晶圆厂，但这需要得到美国商务部的许可。（广角观察）
SK海力士放弃Solidigm美国IPO，美光、闪迪有望受益于NAND供应压力减轻
火星财经消息，10 月 24 日，据 LYNX Equity Strategies 分析师报告，SK 海力士放弃旗下 Solidigm 赴美 IPO 计划，意味着其原计划通过上市融资扩建美国 NAND 闪存产能的路径受阻。分析师认为，若相关扩产计划落地，可能在三年或更长时间后增加全球供应、压制行业定价；如今这一潜在风险消退，对美光和闪迪构成实质性利好。 分析师同时指出，此次变化主要影响中长期供应预期，并未立即改变当前市场供需格局，相关公司股价表现仍受整体市场环境影响。英特尔则面临小幅利空，因为其俄亥俄州园区可能失去一个潜在制造项目。周五，美光收涨 2.46%，闪迪收跌 1.82%。
SK海力士子公司Solidigm拟在美国东部建NAND生产基地
BlockBeats 消息，9 月 18 日，据韩联社报道，SK 海力士子公司 Solidigm 正在考虑在美国东部建立 NAND 闪存生产基地。Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年收购英特尔 NAND 业务部门后成立的美国子公司。据业内人士 18 日透露，Solidigm 公司正在考察选址和详细条件，计划在美国东部建立一条 NAND 大规模生产线。如果这次在美国建立起大规模生产线，那它将成为第一个本土生产基地。 最近有报道称，Solidigm 正在考虑与英特尔在内存生产方面展开合作，并且有关其在纳斯达克上市的传闻也一直不断。SK 海力士的一位官员表示：「Solidigm 正在审查各种增强其竞争力的措施，但尚未最终确定任何措施。」
铠侠拟推动NAND闪存替代部分DRAM
火星财经消息,据报道，铠侠正推动将NAND闪存用于部分服务器DRAM所承担的工作。公司正在让客户评估一款CXL内存扩展模块，称采用该模块替代部分DRAM后，可将内存容量提升一倍、性能提高30%。不过，上述性能数据为公司测试结果，尚未得到独立验证。铠侠还计划于2028年开始向客户提供可直接连接英伟达GPU的SSD样品。(财联社)
存储市场迎涨价潮：DRAM、NAND供应紧张，AI需求推动产业链扩产
火星财经消息，8 月 4 日，存储市场持续升温，多家机构预计 DRAM、NAND 价格将在供应紧张和 AI 算力需求推动下继续上涨。 SK 海力士与闪迪已发布首份高带宽闪存（HBF）标准规范，推动新型存储技术发展。同时，韩国单层 NAND 产品 7 月平均售价环比上涨 35%，创历史新高。 TrendForce 预计，由于供应短缺，2026 年第三季度 PC DRAM 固定交易价格或环比上涨 15% 至 20%。另有消息称，全球三大存储厂商已完成 2027 年全年产能分配谈判，DRAM 和 HBM 产能基本售罄。 产业链方面，三星电子晶圆代工业务预计年内产能利用率达到 100%。Counterpoint 数据显示，三星电子正在扩大 DRAM 市场份额优势，美光与 SK 海力士的竞争进一步加剧。 终端市场方面，内存供应紧张已影响消费电子产品供应。有消息称，MacBook Air 因内存短缺出现供货紧张。 此外，韩国 AI 芯片独角兽 DeepX 估值据称飙升 4 倍至 3.14 万亿韩元，显示 AI 芯片及存储产业链热度持续提升。
三星电子调整下一代 DRAM 路线图，将 B1b 命名为 D0a
ChainCatcher 消息，据 ZDNet Korea 报道，三星电子调整下一代 DRAM 战略，将此前以项目形式开发的 B1b 纳入正式路线图，并命名为首款 10 纳米以下 DRAM D0a。此前 D0a 指垂直晶体管 DRAM，现该产品被单独归类为 D0a-V。此次更名是为加快在通用 DRAM 中导入先进封装。B1b 将存储单元与周边驱动电路分别在不同晶圆上制造后再键合，采用晶圆对晶圆混合键合，通过铜互连直接连接。目前已商用 DRAM 为 1c，即第 6 代 10 纳米级、线宽约 11 至 12 纳米；下一代 1d 为第 7 代 10 纳米级、线宽约 10 至 11 纳米，被视为事实上最后的 10 纳米级产品，相关线宽属于营销用语而非实际物理尺寸。垂直晶体管可将单元内晶体管垂直布置，把单元面积从 6F² 缩至 4F²，但需应对高深宽比刻蚀和漏电流，开发难度较高。晶圆对晶圆混合键合已在 CMOS 图像传感器和高堆叠 NAND 中量产应用。三星电子正评估将 B1b 用于第 8 代高带宽内存 HBM5。HBM5 预计约 2029 年量产，目标是较 HBM4E 将运行速度提高 50% 以上。业界估计，基于 B1b 的 D0a DRAM 最快约两年后商用，具体量产投资日程或于明年年中确定。