存储芯片概念快速拉升 普冉股份涨超10%
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兆易创新：预计SLC NAND Flash产品供应短缺格局仍将在较长一段时间内持续
火星财经消息，兆易创新在机构调研时表示，受益于AI快速发展带动对存储芯片需求高增及相关外溢效应，存储行业景气态势仍在延续。行业主要厂商产能收缩/转移（退出利基市场），利基型存储整体仍将处于供应紧张的局面。在NOR Flash产品，预计大容量产品价格在一段时期内仍会保持温和上涨，中小容量产品价格保持稳定。在SLC NAND Flash产品，因产能释放周期较长，预计供应短缺格局仍将在较长一段时间内持续。在利基型DRAM产品，随着价格的较大幅度上涨，消费电子需求已受到了影响，供需态势虽有缓和但仍短缺，整体产能供给仍然有限，预计价格仍将在高位维持一段时间。在MCU产品，包括工业、能源等领域的需求增长，价格预计在一段时期内维持温和上涨。
高盛：预计NAND供需紧张或延续至2027年
火星财经消息,高盛预计NAND供需紧张或延续至2027年，三星和SK海力士NAND明年均价分别同比上涨34%和30%。(财联社)
消息称Solidigm计划在美斥资450亿美元建设NAND晶圆厂
火星财经消息 10月28日，据报道，SK海力士旗下NAND与SSD企业Solidigm正就在美新建晶圆厂事宜与美国商务部洽谈。Solidigm计划为此投资450亿美元，并最终有望扩展近1000亿美元。消息人士透露，潜在的建厂地址包括纽约州在内的多个州，晶圆厂最早可能明年动工。该企业目前采用“双头”业务结构：在美设有总部和研发设施，中国则是其唯一量产晶圆厂所在地。Solidigm 计划先在中国实践新技术然后转移至拟设的美国晶圆厂，但这需要得到美国商务部的许可。（广角观察）
SK海力士放弃Solidigm美国IPO，美光、闪迪有望受益于NAND供应压力减轻
火星财经消息，10 月 24 日，据 LYNX Equity Strategies 分析师报告，SK 海力士放弃旗下 Solidigm 赴美 IPO 计划，意味着其原计划通过上市融资扩建美国 NAND 闪存产能的路径受阻。分析师认为，若相关扩产计划落地，可能在三年或更长时间后增加全球供应、压制行业定价；如今这一潜在风险消退，对美光和闪迪构成实质性利好。 分析师同时指出，此次变化主要影响中长期供应预期，并未立即改变当前市场供需格局，相关公司股价表现仍受整体市场环境影响。英特尔则面临小幅利空，因为其俄亥俄州园区可能失去一个潜在制造项目。周五，美光收涨 2.46%，闪迪收跌 1.82%。
三星电子规划三款 zNAND，面向定制化 AI 存储
火星财经消息，据 ZDNet Korea 10 月 12 日报道，三星电子正扩大次世代 NAND 闪存 zNAND 的应用范围，并规划在已公开的 zNAND-O 之外，将产品细分为 zNAND-O、zNAND-T、zNAND-I 共 3 款。报道称，三星电子尚未正式宣布后两款产品，但业界了解到相关方案已进入初期开发，以对应 AI 基础设施中定制化存储需求增加的情况。zNAND-O 面向端侧 AI。与传统引线键合不同，该方案通过硅通孔将 NAND 垂直堆叠 4 层或 8 层，缩短数据传输路径，并提升速度与能效。三星电子已于今年 8 月在美国存储器相关活动中首次公开展示 zNAND-O 模型。zNAND-T 侧重吞吐量，面向高容量、高性能 AI 数据中心，同样以垂直堆叠和硅通孔扩大带宽，业界将其称为高带宽闪存。zNAND-I 侧重提升每秒输入输出次数，用于 AI 推理中对键值缓存等小容量临时数据的频繁处理。报道同时提到，SK 海力士也在开发 AIN P、AIN D、AIN B 等 AI NAND 产品系列。
长江存储 2026 年底试产 LPDDR5，长鑫拟进军 NAND
火星财经消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。