三星电子拟于 2027 年初完成 3D Cube-H 开发
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英伟达提出AI内存全栈协同设计方案，Vera Rubin平台每GPU内存容量仅增约3%
PANews 11月6日消息，英伟达发文称，随着AI模型规模扩大、上下文窗口延长以及智能体应用普及，GPU内存压力持续上升，HBM供应趋紧、价格上涨。英伟达提出通过GPU、CPU、网络、存储及软件协同设计，提高内存使用效率，而非单纯增加GPU内存容量。 具体来看，英伟达通过NVFP4低精度格式压缩模型权重和KV Cache，将暂时不活跃的上下文转移至成本更低的存储层，并利用多GPU分布式部署释放HBM空间。
三星电子：存储需求将进一步增长 继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模
火星财经消息,三星电子在Q3财报中表示，存储需求将进一步增长，需求重心集中在适配新一代CPU/GPU平台的存储产品。伴随个人AI智能代理服务扩张，QLC固态硬盘需求大幅攀升。继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模，提升高速服务器DDR5、QLC产品的供货量。(财联社)
美股盘前要闻：Anthropic拟今晚发布S-1注册文件，SpaceX签署400亿美元GPU融资协议
10 月 26 日，美股周一盘前主要动态如下： 1. Strategy 过去一周未增持比特币。 2. Strive 上周以约 82,732 美元的均价增持 6182 枚 BTC。 3. Bitmine 上周增持 10,452 枚 ETH，总持仓达到 605 万枚。 4. 据韩国《东亚日报》报道，SK 海力士拟派发总额约 16 万亿韩元的特别股息，约合 120 亿美元；公司随后回应称，正考虑多种股东回报方案，尚未作出决定。 5. 据报道，三星与 SK 海力士计划于 2027 年第二季度开始量产并向英伟达交付 HBM4。 6. Meta 启动 225 亿美元 A 类普通股发行及 2.5 亿股优先股存托股份发行。 7. 市场消息称，英伟达、AMD 及博通有意购买总额至多 50 亿美元的 Meta 股票。 8. SpaceX 与阿波罗全球管理公司达成 GPU 设备融资租赁协议，预计本金付款总额达 400 亿美元。 9. 据福克斯商业频道报道，Anthropic 预计于北京时间今晚 21 时提交 S-1 注册声明文件，为潜在 IPO 推进相关程序。
美股盘前要闻一览：Meta寻求最多950亿美元股权融资以支持AI支出；苹果将iPhone Duo订单上调30%；三星、SK海力士拟于明年Q2量产并交付HBM4给英伟达
火星财经消息,投资者需重点关注的美股市场财经要闻如下：1、美三大股指期货集体拉升。道琼斯指数期货涨0.46%，标普500指数期货涨0.42%，纳斯达克100指数期货涨0.73%。2、国际油价集体走低。WTI原油期货价格跌2.22%，报100.973美元/桶；布伦特原油期货价格跌1.57%，报109.949美元/桶。3、国际金银现货小幅走高。现货黄金价格涨0.58%，报4020.86美元/盎司；现货白银价格涨0.54%，报54.20美元/盎司。4、欧洲三大股指全线上扬。英国富时100指数涨0.48%，法国CAC40指数涨0.86%，德国DAX30指数涨0.93%。5、马斯克发文称，SpaceX已完成400亿美元债务融资，主要用于采购英伟达GPU，相关设备预计于2027年第一、第二季度交付。6、Meta拟融资350亿美元并推出600亿美元股票发行计划，加码AI基础设施投资。英伟达、AMD和博通已表示有意合计认购最高50亿美元的A类普通股。7、苹果据悉将折叠机iPhone Duo订单上调30%，以满足市场需求。全年出货预期升至800万至1000万台。8、苹果正在测试旗下首款大屏可折叠iPad，屏幕尺寸最高可达20英寸，预计于2028年推出，上市首年出货量预计在50万至100万台区间。9、三星电子和SK海力士已将供应英伟达的8层HBM4的量产和出货时间定在明年第二季度左右。10、Anthropic将于当天美东时间上午9点（北京时间21:00）发布S-1文件。其IPO计划目前仍按进度推进，上市日期可能为11月19日或20日。11、英国将投入1亿英镑设立国家级AI生物安全实验室，由OpenAI、Anthropic和谷歌DeepMind共同支持，旨在利用AI识别、监测新兴生物安全威胁。(财联社)
三星与 SK 海力士应对 HBM4E 散热，AI 中介层或扩至 40 倍
火星财经消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 报道，随着 AI 封装容纳更多计算与存储芯片，连接计算芯片与 HBM 的中介层预计大幅变大，下一代 HBM 散热更重要。三星电子正准备多项技术，应对计划于明年开始量产的 HBM4E 散热挑战。当前 AI 中介层面积已约为 EUV 光刻机单次曝光最大面积 858 平方毫米的 5.5 倍。半导体设备业人士预计，承载 HBM 的中介层可能扩大到该面积的 9 倍、12 倍，最终约 40 倍。原因包括制程微缩受限和 chiplet 式 2.5D 封装普及，单一先进制程芯片难以满足 AI 算力需求，多个计算 chiplet 与 HBM 堆叠被放在同一中介层上。三星考虑混合铜键合与热路径块。前者以铜对铜直接连接取代堆叠 DRAM 晶粒间的微凸点，可缩小层间间隙、使堆叠更薄并改善散热，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。热路径块在 HBM 基底晶粒负责与 GPU 高速传输的 D2D PHY 区域建立专用热路径，三星正用 HBM4E 验证，并计划在 HBM5 导入。据 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在热量集中的 D2D PHY 周围放置高导热但电绝缘的冷却材料，预计可将热阻降低约 30%。
三星电子拟扩产 4 纳米应对 HBM4 需求
火星财经消息，据 Money Today 9 月 21 日报道，三星电子因 HBM 市场增长正推进晶圆代工先进制程产能扩张，为应对 HBM4 基座芯片需求上升正在评估 4 纳米制程扩产。三星 HBM4 由 10 纳米级 6 代（1c）DRAM 核心芯片与 4 纳米逻辑基座芯片组成，基座芯片负责与 GPU 等 AI 加速器高速交换数据。与 SK 海力士采用台积电 12 纳米不同，三星对 HBM4 基座芯片使用自有 4 纳米制程。该产线已满负荷运转并承接英伟达 Groq 3 LPU 等订单，公司近期上调了 4 纳米新订单及 HBM4 基座芯片报价。三星预计第三季度 HBM4 营收环比增逾 3 倍，下半年 HBM 营收中 HBM4 占比将明显高于 60%。平泽 P4 追加扩产大部分将用于 HBM 用 1c DRAM，晶圆代工 4 纳米产能一半以上已分配给 HBM4 基座芯片。HBM4E 同样采用 4 纳米基座芯片，三星已于 5 月向客户提供样品。公司还在评估为 HBM5 建设 2 纳米新产线，目标以 GAA 结构 2 纳米制程并提高 TSV 密度，使运行速度较 HBM4E 提升 50% 以上。三星去年下半年启动 2 纳米第一代量产，今年下半年推进第二代产品。花旗预计明年全球 HBM 比特需求达 752 亿 Gb、同比增 62%，供应约 594 亿 Gb、缺口约 21%；