三星与 SK 海力士应对 HBM4E 散热，AI 中介层或扩至 40 倍
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三星电子高管：预计明年 HBM 将占 DRAM 晶圆产能近三成
ChainCatcher 消息，据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo：预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前该比例约为 20%。他称，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，扩大 HBM 产出可能挤压传统 DRAM 供应。TrendForce 此前预测，2027 年底全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入约占 DRAM 晶圆总投入的 30%，但按存储容量计仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品；业内预计三星 HBM 月均晶圆投入量将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片。TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将分享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧，并上调 2027 年 HBM 价格预期，预计混合平均售价同比上涨 121%。受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案，其每 Gb 售价将比 12 层产品高约 10% 至 20%。
美银：第三季度DRAM均价或环比上涨21%，高于TrendForce预测
火星财经消息，7 月 19 日，据美银全球研究《Global Memory Tech》报告显示，渠道调查发现，第三季度新议定的 DRAM 合约价格涨幅高于市场预期。服务器 DRAM 价格环比上涨 20% 至 30%，主要由高速 LPDDR5 带动，超过市场原先预计的不超过 20%。 现货需求同样保持强劲，商品 DDR5 及传统 DDR4 价格在 7 月继续环比上涨。高价 HBM4 的近期订单也在增加，相比之下，价格较低的 HBM3E 订单占比下降。 报告称，长期供应协议覆盖的 DRAM 销售占比明显低于 50%，非长期协议销售占比约 60% 至 70%；即使在长期协议下，部分订单也已确定环比上涨 5% 至 10%。部分 OEM 厂商加快下单，显示 DRAM 与 NAND 价格环比涨幅均可能超过 20%。 美银预计，第三季度全球 DRAM 平均售价将环比上涨 21%，高于 TrendForce 对传统 DRAM 上涨 13% 至 18%、包含 HBM 后上涨 8% 至 13% 的预测。
美光科技CEO：HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年
火星财经消息,美光科技董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在财报电话会上表示，结构性的供需增长率差距导致了持续的供应紧张，即使考虑到行业新增的DRAM洁净室空间计划，在强劲的需求趋势（包括客户不断提出的增量要求）下，我们看不到供需何时能恢复平衡的拐点。行业HBM需求增速将持续跑赢传统DRAM直至2028年。Sanjay Mehrotra透露，美光2027年HBM的大部分供应已经签订协议，“价格同比大幅上涨，这缩小了（HBM）与传统DRAM之间的毛利率差距。”(财联社)
三星电子高管称HBM明年将占行业DRAM产能近30%
据报道，三星电子一位高管表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商总晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。（界面）
三星拟于2028年前将高NA EUV用于DRAM量产
火星财经消息 9月8日，三星电子与阿斯麦（ASML）宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划，并计划于2028年前首次将阿斯麦高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术用于DRAM大规模生产。三星表示，12英寸光罩有望提高晶圆厂生产效率、降低芯片制造成本，并减少光罩拼接限制。高NA EUV则有望延长DRAM制程微缩路线，通过更高分辨率简化工艺并提升生产效率。三星还将与行业合作伙伴共同开发12英寸光罩技术及配套基础设施。（广角观察）
英伟达推出新一代高带宽内存技术NVIDIA NVHBM
为帮助超大规模企业和AI创新者构建新一代半定制AI基础架构，NVIDIA推出NVIDIA NVHBM技术，进一步扩展了NVIDIA NVLink Fusion技术方案。NVHBM是一种新一代高带宽内存技术，可为XPU提供更高的内存性能和效率。通过将内存控制器集成到3D HBM堆栈，而不是集成在XPU上，与标准HBM4E相比，NVHBM可实现高达30%的内存带宽提升，将HBM功耗降低15%，并为XPU计算die释放多达25%的面积。（财联社）