日本芯片初创Rapidus或无法如期量产,关键SRAM技术未能取得突破
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日本半导体企业Rapidus据称难以按期实现量产
火星财经消息,日本芯片初创企业Rapidus此前承诺在2028年3月前实现尖端芯片量产,目前项目进度已落后于计划,大概率无法按期达成该目标。这家企业至今尚未成功制备出可正常工作的静态随机存取存储器(SRAM)单元,而这是制造2纳米芯片必须完成的关键步骤。若出现大幅延期,Rapidus获得的公共资金支持可能会受到影响,该公司已累计拿到数十亿美元的政府补贴,原定目标是在2032年前完成上市。(财联社)
马斯克芯片工厂采购团队秘密访日,计划产量为 Rapidus 40 倍
火星财经消息,据《日本经济新闻》报道,Elon Musk 的半导体工厂计划 Terafab 已开始推进,由 Tesla 与 SpaceX 共同开展。项目方已向日本半导体制造设备厂商说明订购计划,并加快工厂投产准备,负责制造设备采购的团队已秘密访问日本。Terafab 的半导体计划生产量约为日本芯片制造商 Rapidus 的 40 倍。有供应商高管表示,Musk 已成为半导体行业的讨论话题;业内也出现对其非常规要求感到困惑的声音。
台积电A14有望打破8年技术瓶颈 实现全球最小SRAM单元尺寸
火星财经消息,台积电计划在2028年量产的A14工艺上,将高密度6T SRAM位单元面积缩小至0.017平方微米以下,降幅超过19%。这将是自2020年N5量产以来,台积电SRAM单元尺寸的首次实质性缩减。A14目前处于试产阶段,用于评估节点可行性并让客户检验设计表现。(财联社)
Rapidus与HCLTech宣布启用印度研发中心
HCLTech与日本先进逻辑半导体研发及制造企业Rapidus Corporation正式启用位于印度的两家 HCLTech研发中心。这两家研发中心分别位于班加罗尔和胡布利,将为Rapidus提供涵盖掩模设计、设计基础设施、工艺设计套件开发、设计技术协同优化以及版图设计在内的一系列半导体工程服务。HCLTech还将与Rapidus合作,建立印度工程人才输送渠道,以满足Rapidus在日本不断变化的人才需求。(财联社)
日本计划2027-2029财年向Rapidus追加投资4000亿日元
火星财经消息,据报道,日本经济产业省在同日举行的一场审议会上表示,计划向先进半导体制造企业Rapidus追加投资4,000亿日元。这4,000亿日元中的1,500亿日元将被编入2027财年预算,剩下2,500亿日元则将在2028、2029财年拨付。日本政府此前已向Rapidus投资了2,500亿日元。(财联社)
Rapidus拟考虑2040年前后在月球建设半导体工厂
火星财经消息 9月12日,据报道,日本先进半导体企业Rapidus社长小池淳义11日表示,公司正认真考虑在2040年前后于月球建设半导体工厂,并称月球存在芯片生产所需的水资源是考虑这一计划的因素之一。小池淳义当天在美国华盛顿举行的一场活动上表示,这一设想“不是开玩笑”。他还展示了一段由人工智能生成的月球工厂视频。IBM首席执行官阿尔温德·克里希纳也出席活动,并表示IBM与Rapidus正共同研发1纳米级先进芯片。(广角观察)