实时收益协议 Multipli 完成 500 万美元融资
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新加坡警方披露一起加密货币诈骗案，通过虚假招聘和恶意软件盗取1180万美元
PANews 8月14日消息，据 CNA 报道，新加坡警察部队（SPF）和新加坡网络安全局（CSA）表示，一起涉及虚假招聘信息和被入侵软件系统的加密货币诈骗案造成 1180 万美元的损失。该诈骗团伙在LinkedIn上冒充加密公司招聘人员、使用伪造域名发邮件、进行视频面试、诱导受害者在公司设备上下载恶意软件完成“技术测试”，从而窃取会话 tokens、绕过多因素认证，并最终转移加密货币。
应用材料盘前股价下跌 5%
火星财经消息，据 Gate 行情数据显示，应用材料 (AMAT.O) 股价在美股盘前交易中下跌 5%。
美股盘前存储板块延续昨日涨势，闪迪再涨2.1%
BlockBeats 消息，8 月 14 日，据 BIT(bit.com) 行情数据，美股盘前存储板块延续昨日涨势，闪迪再涨 2.1%。昨日闪迪放出中高双位数营收增长目标，并计划把 100% 过剩现金返还股东，签出 939 亿美元长期协议，HBF 样品计划 2027 年亮相。 希捷科技（STX）涨 0.65%； 西部数据（WDC）涨 0.76%； 美光科技（MU）涨 0.83%； SK 海力士 ADR 跌 0.77%。
Gate发布7月财富管理报告：GUSD规模快速增长，双币投资年化收益超110%
Odaily星球日报讯 据 Gate 发布的 7 月财富管理月报，7 月加密市场延续谨慎修复态势，总市值回升至 2.26 万亿美元，环比增长约 7.6%，BTC、ETH 分别上涨 7.3% 和 18.5%。市场修复过程中，资金对稳定收益及多元化策略的配置需求有所提升，Gate 财富管理业务保持活跃。 稳健理财方面，Gate 余币宝定期持仓中 BTC 环比增长 7.3%，USDT 大幅增长 70.4%；GUSD 总铸造量由月初约 1.82 亿枚升至月末约 2.15 亿枚，期间一度突破 2.30 亿枚。进阶理财方面，Gate 双币投资 BTC 低买、高卖 0 天年化收益率分别达 95.5% 和 113.5%，较市场平均高 34.4 和 32.6 个百分点；7 月量化基金 USDT 策略平均月收益率为 3.0%，星际先锋以 4.2% 居首，星际对冲累计收益率达 19.1%，并连续 25 个月保持 100% 月度胜率。 股票资产方面，Gate 平台交易结构随市场行情变化，韩股交易占比月初一度达到约 90%，随后美股交易占比回升至约 70%；持仓方面，SK 海力士以 59.3% 占比位居第一，SpaceX 以 15.2% 位居第二，反映平台用户资产配置正进一步覆盖加密资产、稳定收益产品、结构化策略及股票等多元领域。
Oner重回首发，predict.fun“LCK第三赛段T1战胜DK”概率暂报61%
监测显示， predict.fun“LCK 第三赛段 T1 对阵 DK”预测事件中，T1 战胜 DK 概率暂报 61%。 今日下午 4 点，LCK 第三赛段 T1 对阵 DK 的比赛将在首尔 KSPO DOME 开打，这也是 2026 T1 Home Ground 的首场 LCK 比赛。本次主场活动从 8 月 14 日持续至 16 日，T1 将先后迎战 DK、GEN。 阵容方面，T1 上一场对阵 HLE 时曾将 Oner 换下，由二队打野 Painter 完成 LCK 首秀，但最终以 1:2 遭到逆转。本场面对 DK，Oner 重新回到首发阵容，T1 将以 Doran、Oner、Faker、Peyz、Keria 的阵容出战。
三星对HBM需求爆发提前卡位，拟将NRD-K2号线转型扩产cHBM与HBM5基础芯片
BlockBeats 消息，8 月 14 日，分析师 Jukan 援引韩媒指出，三星电子正考虑将位于器兴的下一代半导体研发园区 NRD-K 2 号线用途从研发改为代工生产线，以扩大 2nm 产能，专门生产用于 HBM 的 2nm 基础芯片，重点面向英伟达等客户的 cHBM 和 HBM5 需求。该线预计 2028 年下半年启用，以 Send Fab 模式运营——从其他量产线接收晶圆，只执行特定工艺环节的辅助代工。NRD-K 是三星投资约 20 万亿韩元建设的最先进复合研发园区，共规划 3 条生产线，其中 1 号线已于 2024 年底完工。 这一调整背后是三星对 AI 基础设施带动 HBM 需求爆发的提前卡位。通过在 custom HBM 和 HBM5 上优先采用 2nm 工艺，三星希望在先进封装基础芯片的性能竞争中保持优势。业内观点认为该线规模较小，适合做 Send Fab 角色，但离启用仍有约两年时间，最终用途可能随市场变化调整，设备采购订单尚未正式发出。此前该线曾考虑用于 DRAM 量产，现 DRAM 产能进一步集中至平泽园区。三星此次产线变更进一步印证了 HBM 基础芯片定制化与先进制程化的发展趋势。