三星对HBM需求爆发提前卡位，拟将NRD-K2号线转型扩产cHBM与HBM5基础芯片
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三星电子拟将器兴 NRD-K 研发产线改为晶圆代工用途，目标 HBM 用 2nm 基础芯片量产
火星财经消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子正调整其器兴园区 NRD-K 2 号产线的原定用途，从研发设施改为晶圆代工产线，主要目标产品为英伟达 HBM 所需的 2nm 基础芯片。该产线预计将于 2028 年下半年启用，采用“Send-Fab”模式，即从其他量产线接收晶圆并代工特定工序。NRD-K 是三星电子为抢占未来半导体技术而建设的最尖端复合研发园区，总投资约 20 万亿韩元，共规划 3 条产线，其中第 1 条已于 2024 年底竣工。此次调整旨在提前应对 AI 基础设施投资带动的 HBM 需求扩张。三星计划在定制 HBM 及 HBM5 上率先应用 2nm 工艺以保持性能优势。业内人士指出，NRD-K 2 号线规模相对较小，适合以 Send-Fab 形式运作。但距离产线启用仍有约两年时间，最终用途仍可能根据市场形势再次调整。三星此前曾考虑将该产线用于 DRAM 生产，相关计划在本月被修改后，DRAM 产能将更集中于平泽园区。设备采购订单尚未正式发出。
Jukan：长江存储武汉Fab 3进入投产冲刺，闪存竞争压力或进一步上升
BlockBeats 消息，9 月 15 日，Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发文称，长江存储（YMTC）已开始为武汉第三座晶圆厂 Fab 3 全面接入生产设备，意味着该厂正进入投产前的最后阶段，初步运营预计将于今年年底启动。 Jukan 认为，Fab 3 此次加速推进值得关注，因为 YMTC 正在市场份额快速提升的同时继续扩大产能。Fab 3 满产后预计每月可生产约 10 万片 12 英寸晶圆，后续还将随着设备持续搬入和良率提升分阶段扩产。 Jukan 指出，Counterpoint Research 数据显示，YMTC 今年第二季度已占全球 NAND 比特出货量 14%，超过铠侠升至全球第三，仅次于三星电子的 25% 和 SK 海力士的 22%。如果 Fab 3 新增产能顺利释放，闪存市场的供应竞争预计将进一步加剧。 Jukan 尤其关注 YMTC 在美国出口管制背景下提高国产设备占比并持续扩产的能力。他认为，这可能让 YMTC 以更快速度缩小与三星、SK 海力士等传统闪存巨头之间的差距。 Jukan 援引业内人士称，YMTC 扩产短期内不太可能立即造成闪存供过于求，但由于其依托中国本土市场持续扩大产量和份额，长期来看可能成为现有闪存厂商面临的一项竞争负担。
SK海力士考虑英特尔作为下一代HBM基底芯片的供应商
BlockBeats 消息，8 月 31 日，据 Citrini 分析师 Jukan 爆料，SK 海力士正着手多元化高带宽存储器（HBM）所用基底芯片的代工厂供应商，这些 HBM 是通过垂直堆叠多个存储芯片构建而成的。 据悉，该公司正考虑将第七代 HBM 即 HBM4E 的部分基底芯片生产外包给英特尔代工厂。到目前为止，SK 海力士一直完全依赖台积电进行外包基底芯片生产。此举被视为建立多供应商代工策略的努力，以减少供应链对台积电的集中度，同时增强 SK 海力士在定价方面的议价能力。 根据行业消息人士 8 月 31 日的说法，SK 海力士正在推进一项计划，即 HBM4E 的基底芯片可能由台积电和英特尔共同制造，最早可能从 HBM4E 世代开始。 由于市场预计 HBM4E 的基底芯片成本负担将进一步增加。由于 HBM 产品主要受长期供应协议（LTA）覆盖，SK 海力士也难以立即通过提高产品价格将更高的代工成本转嫁给客户。因此，行业观察人士认为，如果英特尔最终加入 SK 海力士的基底芯片供应链，该公司将在成本竞争力和供应稳定性方面获得更多选择。
SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点，HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息，8 月 4 日，Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称，2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示，SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示，这一结果与市场此前预期有所不同，主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨，而是在重新谈判后出现下调，同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外，SK 海力士较早签署长期供应协议（LTA），其固定供应价格据称低于竞争对手，也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为，凭借 HBM3E 供应优势，SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明，美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
黄仁勋今日将与李在镕、崔泰源会晤，业界关注HBM话题
BlockBeats 消息，9 月 28 日，英伟达首席执行官黄仁勋，将于当地时间 28 日在纽约再度会晤三星电子会长李在镕、SK 集团会长崔泰源。距离三人 7 月在旧金山会面时隔约两个月，三星电子正在加速推进该领域与英伟达的合作。据 27 日商界消息人士透露，李在镕与崔泰源计划出席 28 日晚 6 点在纽约举办的韩国协会年度晚宴。黄仁勋将作为本年度范弗利特奖得主出席该活动。 本次会面行业最关注的议题是高带宽内存 HBM。消息称三星电子设备解决方案事业部副会长全永铉曾在黄仁勋 6 月访韩期间与其会面，双方探讨 HBM4E、HBM5 等下一代 HBM 的长期合作。纽约会晤还可能涉及晶圆代工服务与先进封装——这也是三星的优势领域。据悉全永铉与黄仁勋在 6 月会谈中，也讨论了下一代晶圆代工的合作。
预计至少翻倍，三星电子明年扩大HBM4和HBM4E生产
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，三星电子预计明年将至少把 HBM4 和 HBM4E 产量提升至今年的两倍，并计划将用于 HBM 生产的玻璃载板外包清洗量从今年每月 2 万片增至明年每月 5 万片。 三星电子今年 2 月已开始量产出货 HBM4，并于 5 月向包括英伟达在内的客户提供 HBM4E 12 层堆叠样品。行业预计，三星电子 HBM 月均晶圆投入量将从今年约 18 万片增至明年约 25 万片，HBM4 系列出货占比或从约 40%升至约 80%。