三星电子拟将器兴 NRD-K 研发产线改为晶圆代工用途，目标 HBM 用 2nm 基础芯片量产
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三星对HBM需求爆发提前卡位，拟将NRD-K2号线转型扩产cHBM与HBM5基础芯片
BlockBeats 消息，8 月 14 日，分析师 Jukan 援引韩媒指出，三星电子正考虑将位于器兴的下一代半导体研发园区 NRD-K 2 号线用途从研发改为代工生产线，以扩大 2nm 产能，专门生产用于 HBM 的 2nm 基础芯片，重点面向英伟达等客户的 cHBM 和 HBM5 需求。该线预计 2028 年下半年启用，以 Send Fab 模式运营——从其他量产线接收晶圆，只执行特定工艺环节的辅助代工。NRD-K 是三星投资约 20 万亿韩元建设的最先进复合研发园区，共规划 3 条生产线，其中 1 号线已于 2024 年底完工。 这一调整背后是三星对 AI 基础设施带动 HBM 需求爆发的提前卡位。通过在 custom HBM 和 HBM5 上优先采用 2nm 工艺，三星希望在先进封装基础芯片的性能竞争中保持优势。业内观点认为该线规模较小，适合做 Send Fab 角色，但离启用仍有约两年时间，最终用途可能随市场变化调整，设备采购订单尚未正式发出。此前该线曾考虑用于 DRAM 量产，现 DRAM 产能进一步集中至平泽园区。三星此次产线变更进一步印证了 HBM 基础芯片定制化与先进制程化的发展趋势。
三星电子：存储需求将进一步增长 继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模
火星财经消息,三星电子在Q3财报中表示，存储需求将进一步增长，需求重心集中在适配新一代CPU/GPU平台的存储产品。伴随个人AI智能代理服务扩张，QLC固态硬盘需求大幅攀升。继续扩大HBM、服务器DRAM以及SSD的销售规模，提升高速服务器DDR5、QLC产品的供货量。(财联社)
SK海力士CEO：未来三年DRAM以及HBM产能产能近乎售罄 中长期销售能见度大幅提升
火星财经消息,SK海力士CEO郭鲁正周三在财报会上透露：“已经敲定的LTA订单，叠加当前和客户正在磋商的需求，未来三年直至2029年，我们的DRAM以及HBM产能实际上已经近乎售罄。磋商当中的订单，均基于客户明确的采购规划，落地概率很高。综合来看，中长期销售的能见度已经大幅提升。”(财联社)
SK海力士：DRAM和HBM到2029年的产能已全部售罄
火星财经消息 10月28日，据报道，SK海力士表示，DRAM和HBM到2029年的产能已全部售罄。（广角观察）
未来三年至2029年DRAM和HBM供应量几近售罄，SK HYNIX产能约50%已签长期协议
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，SK HYNIX 的 DRAM 和 HBM 供应量截至 2029 年的未来三年几乎售罄。2027 至 2028 年约 50%的产能已由长期协议覆盖，公司预计未来将维持相近比例。
AI 芯片公司 Groq 拟在下一代芯片引入三维堆叠 DRAM
火星财经消息，据 ZDNet Korea 10 月 20 日援引半导体业界报道，已被英伟达实质收购的 AI 芯片公司 Groq 正推进在下一代芯片中引入 DRAM 三维堆叠封装，以替代速度快但容量较小的 SRAM 方案。Groq 由前谷歌 TPU 设计者 Jonathan Ross 于 2016 年创立，报道称该公司去年被英伟达以迂回方式收购。报道称，Groq 正在评估的方案为 3DS，即通过硅通孔把 DRAM 芯片垂直连接的高容量封装。三维封装可将多颗裸片垂直堆叠并作为一颗芯片工作，相较平面方案缩小面积、提高电力效率。3DS 与 HBM 都使用硅通孔，但 HBM 侧重传输速度，3DS 维持既有 DRAM 接口并聚焦容量扩张。匿名业界人士表示，Groq 计划在下一代芯片采用三维封装，堆叠的是 DRAM 而非 SRAM；另一名人士称，市场需求转向更大容量芯片，Groq 因此选择在容量上更有优势的 DRAM。