三星电子拟将器兴 NRD-K 研发产线改为晶圆代工用途，目标 HBM 用 2nm 基础芯片量产
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三星对HBM需求爆发提前卡位，拟将NRD-K2号线转型扩产cHBM与HBM5基础芯片
BlockBeats 消息，8 月 14 日，分析师 Jukan 援引韩媒指出，三星电子正考虑将位于器兴的下一代半导体研发园区 NRD-K 2 号线用途从研发改为代工生产线，以扩大 2nm 产能，专门生产用于 HBM 的 2nm 基础芯片，重点面向英伟达等客户的 cHBM 和 HBM5 需求。该线预计 2028 年下半年启用，以 Send Fab 模式运营——从其他量产线接收晶圆，只执行特定工艺环节的辅助代工。NRD-K 是三星投资约 20 万亿韩元建设的最先进复合研发园区，共规划 3 条生产线，其中 1 号线已于 2024 年底完工。 这一调整背后是三星对 AI 基础设施带动 HBM 需求爆发的提前卡位。通过在 custom HBM 和 HBM5 上优先采用 2nm 工艺，三星希望在先进封装基础芯片的性能竞争中保持优势。业内观点认为该线规模较小，适合做 Send Fab 角色，但离启用仍有约两年时间，最终用途可能随市场变化调整，设备采购订单尚未正式发出。此前该线曾考虑用于 DRAM 量产，现 DRAM 产能进一步集中至平泽园区。三星此次产线变更进一步印证了 HBM 基础芯片定制化与先进制程化的发展趋势。
SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点，HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息，8 月 4 日，Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称，2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示，SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示，这一结果与市场此前预期有所不同，主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨，而是在重新谈判后出现下调，同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外，SK 海力士较早签署长期供应协议（LTA），其固定供应价格据称低于竞争对手，也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为，凭借 HBM3E 供应优势，SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明，美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
DigiTimes：2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息，8 月 4 日，据 DigiTimes 报道，2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张，但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称，部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应，因为担心更多厂商加入产能争夺后，自身能够获得的配额进一步减少。目前，存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%，并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响，智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称，在产能几乎全部售罄的情况下，尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称，高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和，2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨，但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
机构：HBM4价格今年下半年或涨至4-5美元/千比特 AI需求与产能瓶颈致全球DRAM半数产能被大厂锁定
火星财经消息,DigiTimes报告显示，受AI需求激增、产能结构性瓶颈影响，下一代HBM4价格2026年下半年或从2美元/千比特涨至4-5美元及以上。这一方面是因为HBM4制造过程的极端复杂性：其生产周期长达四到六个月，且初始良率显著偏低；另一方面，HBM的生产耗用的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍，严重限制了制造商在现有设施中可生产的总内存量。进一步加剧供应紧张局面的是，当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。据DigiTimes预测，到2027年，全球DRAM总产能中约有一半将完全无法提供给小型买家。(财联社)
三星HBM4E良率已超70%，下一代DRAM工艺D1d目标11月获生产准备批准
火星财经消息，7 月 1 日，三星电子在全球首个 HBM4（第六代）量产后，正在 HBM4E（第七代）和下一代 DRAM 开发方面取得进展。三星电子 DS 部门 CTO 兼半导体研究所所长 Song Jae-hyuk 在 6 月 30 日举行的内部经营现状说明会上表示，HBM4E 可靠性测试良率已提升至 70% 以上。业内通常认为，良率超过 80% 即进入工艺稳定的「成熟良率」阶段；考虑到 HBM4E 仍处于可靠性测试阶段，70% 以上被视为开发正进入稳定区间的指标。 三星电子今年 2 月已率先量产出货 HBM4，并于 5 月 29 日公开 HBM4E 12 层产品详细技术规格，向主要客户出货样品。HBM4 将用于英伟达下半年推出的 AI 加速器 Vera Rubin，HBM4E 则预计用于英伟达明年推出的下一代 AI 加速器 Vera Rubin Ultra 等产品。 三星下一代 DRAM 工艺开发也进展顺利。Song Jae-hyuk 认为，D1d 工艺技术竞争力相较竞争对手具备优势，并正以 11 月获得生产准备批准为目标推进开发。D1d 是三星计划从下一代 HBM5（第八代）起应用的核心 DRAM 工艺，若按计划推进，将对下一代 DRAM 及 HBM5 后续产品竞争力产生积极影响。（Fnnews）
伯恩斯坦：常规DRAM价格在2027年可能继续上涨，HBM面临盈利追赶压力
火星财经消息，6 月 22 日，伯恩斯坦分析师在一份报告中表示，常规 DRAM 价格在经历从 2025 年三季度到 2026 年二季度约 4.5 倍的上涨后，可能在 2027 年继续上行。因此，当前常规 DRAM 在单位比特平均售价上已与高带宽内存（HBM）相当，甚至可能更高。伯恩斯坦指出，考虑到更高的比特密度与良率，今年常规 DRAM 每晶圆产能的收入可能是 HBM 的两倍，并享有明显更高的利润率。 该机构估算，HBM 价格需要再提升约三倍，才能在单位晶圆产能收入上追赶常规 DRAM。不过，存储芯片厂商可能不会如此激进地提高 HBM 价格，因为他们明白，HBM 成本过高可能不利于整个人工智能生态系统的发展，并最终反过来抑制存储需求。