高盛上调铠侠目标价，AI存储需求将NAND周期推向更高峰值
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铠侠拟推动NAND闪存替代部分DRAM
火星财经消息,据报道，铠侠正推动将NAND闪存用于部分服务器DRAM所承担的工作。公司正在让客户评估一款CXL内存扩展模块，称采用该模块替代部分DRAM后，可将内存容量提升一倍、性能提高30%。不过，上述性能数据为公司测试结果，尚未得到独立验证。铠侠还计划于2028年开始向客户提供可直接连接英伟达GPU的SSD样品。(财联社)
摩根士丹利调研：数据中心HDD/SSD需求延续强势，企业级SSD2026年出货容量料翻倍
BlockBeats 消息，8 月 3 日，摩根士丹利发布报告称，6 月 HDD/SSD 数据继续显示数据中心需求强劲。TSR 预计，2026 年数据中心用企业级 SSD 出货容量将达到 525EB，同比增长 100%；数据中心用近线 HDD 出货容量将达到 1845EB，同比增长 30.4%。 报告显示，6 月数据中心企业级 SSD 出货容量为 46.33EB，同比增长 124.5%，环比增长 12.0%。同期企业级 SSD 出货量为 635 万台，同比增长 41.1%，环比增长 8.9%。摩根士丹利认为，随着高容量产品占比提升，SSD 出货容量增速将继续快于单位出货量增速。 HDD 方面，6 月近线 HDD 产量为 703 万台，同比增长 12.3%，环比小幅下降 0.6%。TSR 预计，2026 年近线 HDD 产量将达到 8439 万台，同比增长 12.8%。 不过，报告提示，近线 HDD 后续增产可能受到磁头和测试产能制约。整体来看，AI 和数据中心资本开支仍在拉动存储容量需求，但供应链瓶颈正在从终端设备扩散至关键零部件环节。
Kioxia Holdings拆股在即，TradeXYZ将暂停交易并结算xyz:KIOXIA永续合约头寸
Odaily星球日报讯 trade.xyz 在 X 平台发文表示，因 Kioxia Holdings 实施 1 拆 3 股票拆分，TradeXYZ 将于 2026 年 9 月 28 日星期一约 06:35 UTC 暂停交易，并结算所有未平仓的 xyz:KIOXIA 永续合约头寸。恢复交易后，交易者需开立新头寸并提交新订单，以重新建立敞口。
花旗预计AI将推动2027年企业级SSD需求激增53%
BlockBeats 消息，9 月 22 日，花旗预计，2027 年企业级 SSD 需求将同比增长 52.9%，2028 年再增长 41%，因为 AI 推理、持续学习以及英伟达的 KV 缓存卸载将推动 GPU 附近存储需求大幅增加。 该银行预计，2027 年总 SSD 需求将增长 45%，基于 QLC 的近 GPU 存储将获得更多采用，因为 AI 系统越来越需要靠近加速器的庞大高速存储池。此外，花旗预计 2027 年 NAND 需求将增长 29%，2028 年增长 33%，而供应增长仅为 21% 和 25%，因为存储制造商优先增加 DRAM 和 HBM 产能。
全球NAND前五大厂Q2营收合计688.7亿美元环比增77%，美光超越铠侠升至第三
BlockBeats 消息，8 月 18 日，TrendForce 发布数据，2026 年第二季度全球 NAND 闪存前五大厂商合计营收达 688.7 亿美元，环比增长 77%，主要受 AI 服务器带动企业级 SSD 需求激增及合约价格上调推动。三星电子营收 230.6 亿美元环比增 70.7% 维持第一，但因竞争者增速更快，市占率从 31.6% 降至 29.3%。SK 海力士营收 142.7 亿美元环比增 89.5% 保持第二，321 层工艺扩张与高容量 QLC 企业级 SSD 需求增长推动市占率从 17.6% 升至 18.2%。美光以 99.2% 的营收增速成为前五大厂中增长最猛的一家，营收达 118.5 亿美元，市占率从 13.9% 升至 15.1%，超越铠侠成为第三。 铠侠营收 107.2 亿美元环比增 79.9%，市占率微降至 13.6%；闪迪营收仅增 50.7%，在前五大厂中增速最低，市占率从 13.9% 跌至 11.4%。TrendForce 展望称，三季度 AI 服务器企业级 SSD 需求将保持稳健，而主要 NAND 厂商将投资集中于 DRAM 和 HBM，NAND 新增供给有限，价格上行趋势有望持续带动行业整体营收继续增长。
铠侠与闪迪发布全球最高密度3D NAND闪存，332层QLC接口速率达4800MT/s
BlockBeats 消息，8 月 5 日，铠侠（Kioxia）与闪迪（Sandisk）在 Future of Memory and Storage Conference（FMS）上正式发布最新 BiCS10 3D QLC NAND 闪存芯片，号称目前全球已正式推出的最高存储密度 3D NAND 产品。 据介绍，该芯片采用 332 层堆叠结构，单位面积存储密度达到 37 Gb/mm²，搭载最高 4800 MT/s 高速接口，并支持独立命令地址（SCA）功能，主要面向高容量数据中心级 SSD 市场。 相比此前两家公司推出的 BiCS10 3D TLC NAND 产品，其存储密度超过 29 Gb/mm²，新款 QLC NAND 进一步提升了数据中心存储容量密度。业内预计，在采用相近芯片尺寸和存储单元数量的情况下，该芯片容量可能达到约 1.33Tb，但厂商尚未公布具体容量规格。 为满足数据中心对高性能与低功耗的需求，铠侠与闪迪还引入低功耗隔离低抽头终端（PI-LTT）技术，在提升高速信号完整性的同时降低输出驱动功耗。 两家公司表示，基于最新 BiCS10 制程工艺，新一代 QLC NAND 不仅实现更高位密度，也有望在产能爬坡后降低制造成本，从而支持更高容量 SSD 以更具竞争力的价格进入市场。