铠侠-闪迪BiCS10（332 层）3D NAND闪存进入出样阶段
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集邦咨询：2027年存储器市场走势分化 DRAM供给持续紧缺 NAND Flash转趋宽松
火星财经消息,根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。(财联社)
东芯股份：Q2净利润预计环比增长262%-291% 以SLCNANDFlash为代表的存储业务量价齐升
火星财经消息,东芯股份(688110.SH)公告称，预计上半年实现营业收入14.9亿元至15.3亿元，同比增加334.41%至346.07%；归属于母公司所有者的净利润为6.40亿元-6.80亿元，同比扭亏为盈。业绩变动主要系受益于AI算力需求爆发及利基型存储市场供需缺口扩大，公司产品市场价格大幅攀升，以SLCNANDFlash为代表的存储业务实现量价齐升，带动营收和毛利率显著增长。小财注：公司Q2净利润预计5.02亿-5.42亿，Q1净利润1.38亿，据此计算，Q2净利润预计环比增长262%-291%。(财联社)
机构：全面上修第一季DRAM、NAND Flash各产品价格季成长幅度
BlockBeats 消息，7 月 6 日，根据集邦咨询最新存储器产业调查，2026 年第一季 AI 与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，集邦咨询据此全面上修第一季 DRAM、NAND Flash 各产品价格季成长幅度，预估整体 Conventional DRAM 合约价将从一月初公布的季增 55-60%，改为上涨 90-95%，NAND Flash 合约价则从季增 33-38% 上调至 55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。 点击下方原文链接，加入动察 Beating · 飞书 AI 新闻渠道，7×24 小时不间断监测全球 AI 热点与新闻。
铠侠已开始出货第十代BiCS FLASH 3D闪存的1TB三层单元存储样品
BlockBeats 消息，7 月 3 日，日股存储股铠侠已开始出货采用其第十代 BiCS FLASH 3D 闪存技术的 1TB 三层单元存储设备的样品。
铠侠与闪迪发布全球最高密度3D NAND闪存，332层QLC接口速率达4800MT/s
BlockBeats 消息，8 月 5 日，铠侠（Kioxia）与闪迪（Sandisk）在 Future of Memory and Storage Conference（FMS）上正式发布最新 BiCS10 3D QLC NAND 闪存芯片，号称目前全球已正式推出的最高存储密度 3D NAND 产品。 据介绍，该芯片采用 332 层堆叠结构，单位面积存储密度达到 37 Gb/mm²，搭载最高 4800 MT/s 高速接口，并支持独立命令地址（SCA）功能，主要面向高容量数据中心级 SSD 市场。 相比此前两家公司推出的 BiCS10 3D TLC NAND 产品，其存储密度超过 29 Gb/mm²，新款 QLC NAND 进一步提升了数据中心存储容量密度。业内预计，在采用相近芯片尺寸和存储单元数量的情况下，该芯片容量可能达到约 1.33Tb，但厂商尚未公布具体容量规格。 为满足数据中心对高性能与低功耗的需求，铠侠与闪迪还引入低功耗隔离低抽头终端（PI-LTT）技术，在提升高速信号完整性的同时降低输出驱动功耗。 两家公司表示，基于最新 BiCS10 制程工艺，新一代 QLC NAND 不仅实现更高位密度，也有望在产能爬坡后降低制造成本，从而支持更高容量 SSD 以更具竞争力的价格进入市场。
闪迪专利曝光3D存算架构：HBM与NAND分层协同
火星财经消息 6月22日消息，闪迪近日披露一项专利显示，公司提出基于CBA存储晶粒的3D堆叠架构：将GPU或AI加速器等计算芯片直接集成在NAND/CMOS逻辑存储单元之上，并置于中介层，周围堆叠HBM芯片。其中HBM负责高带宽低延迟访问，NAND层承担大容量读写与存储任务。 该设计旨在缓解HBM容量受限问题（单堆约32–64GB）。此前闪迪提出HBF架构，通过TSV垂直堆叠NAND，容量可达4TB，较HBM提升8–16倍，但仍面临延迟与系统集成复杂度挑战。相较DRAM，NAND具备更高容量与更低成本，但访问速度更慢。新架构通过3D分层，实现了两者的完美互补。（钛度车库）