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分析师：长鑫上市首日暴涨，但仍难改变全球DRAM竞争格局

Odaily星球日报讯 Milk Road AI 分析师在 X 上发文就长鑫科技股价暴涨进行分析。其表示，过去不到一年，长鑫存储的全球 DRAM 市占率从不足 4% 提升至约 7.7%-8%，今年一季度营收同比增长 719% 至 508 亿元人民币。这一增长主要受益于三星、SK 海力士和美光将更多产能转向 AI 服务器存储（尤其 HBM），导致传统 DDR5、LPDDR5 市场供应出现缺口，长鑫存储借机填补中低端 DRAM 需求。 不过，长鑫存储目前的产能远不足以满足全球需求，目前其月晶圆产能约 29 万-32 万片，低于三星约 63 万片、SK 海力士约 50 万片的规模。此外，美国对先进光刻设备的出口限制，也正在限制长鑫存储进一步扩张速度。 其认为，长鑫存储短期仍难进入 HBM 市场，因此不会改变 AI 存储供需格局。三星、SK 海力士和美光仍将在 HBM、服务器 DRAM、LPDDR5X 等高利润产品中保持优势，全球存储短缺周期或仍将持续。
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06-23 15:34重要

TrendForce：DRAM缺货潮向DDR2蔓延，老旧内存价格第三季料续涨

火星财经消息，6 月 23 日，高科技产业研究机构 TrendForce 在 6 月 22 日发布的研究中称，成熟制程 DRAM 供应持续收紧，迫使消费级 DRAM 买家转向更早世代的内存产品，以争取更多供货配额。这一变化正在推升 DDR2 和 DDR3 等传统 DRAM 的需求，并延续相关产品价格涨势。 该机构预计，DDR2 合约价在 2026 年第二季度将上涨约 55% 至 60%，第三季度还将进一步上涨 35% 至 40%。这意味着，在第一季度已经强劲上涨后，DDR2 价格压力并未缓解，反而因供需缺口扩大继续升温。 供应端的核心原因来自先进制程产能重新分配。TrendForce 指出，三大 DRAM 原厂仍优先将产能用于 HBM 和服务器 DRAM，以满足 AI 基础设施建设带来的需求。相应地，DDR4 及其他成熟制程产品的晶圆分配被压缩，消费级 DRAM 客户不得不转向台湾供应商寻求支持。 在供给有限的情况下，南亚科、华邦电等台湾 DRAM 厂商的议价能力增强。TrendForce 表示，由于需求显著超过台湾厂商可提供的位元出货量，供应商也在策略性减少低毛利产品投片，把产能转向更高价值产品，以改善获利结构。 需求端同样出现变化。随着消费级 DRAM 缺货和合约价上涨，部分 OEM 和 ODM 厂商为了控制整机成本，已经开始下修内存规格。一些原本采用 DDR4 的设计被改为 DDR3，部分 DDR3 产品则进一步改用 DDR2。客户试图通过较低容量配置或更旧世代产品，换取相对稳定的供货。 这使得 DRAM 缺货压力沿着技术世代逐级向下传导。原本主要集中在 HBM、服务器 DRAM 和 DDR4 的供应紧张，开始扩散到 DDR3、DDR2 等传统产品，凸显 AI 需求对整个内存产业链的挤出效应。 TrendForce 称，DDR2 的主要供应商包括华邦电和晶豪科。不过，华邦电正逐步减少 DDR2 生产，并将相关产能转向 DDR3、DDR4 和 LPDDR4 等毛利相对更高的产品，这将进一步加剧 DDR2 供应紧张。 相比之下，晶豪科计划在力积电既有晶圆配额内尽可能扩大 DDR2 生产，集中资源提升该产品线获利，并部分填补华邦电退出 DDR2 后留下的供应缺口。 这轮涨价显示，AI 带来的内存需求不再只影响高端 HBM 和服务器 DRAM。随着先进产能被重新定向，成熟制程和老旧内存产品也开始成为供需失衡的承压点。对仍依赖 DDR2、DDR3 的消费电子、工业控制和部分长生命周期设备而言，成本压力可能在下半年继续上升。

06-23 11:51重要

机构：消费级LPDDR5X价格二季度飙升89%，AI内存挤压效应蔓延至手机和PC市场

火星财经消息，6 月 23 日，市场研究机构 SigmaIntell 22 日表示，由于内存供需失衡，今年第二季度消费类存储产品价格普遍上涨。其中，低功耗 DRAM 产品涨幅尤为明显，LPDDR4X 4GB 价格环比上涨 75%，LPDDR5X 12GB 价格环比上涨 89%。 这轮涨价的背景，是 LPDDR 内存开始被用于下一代服务器 GPU 平台。随着英伟达 Vera Rubin 等 AI 计算平台采用相关低功耗内存，供应竞争进一步加剧，存储厂商也将涨价范围扩大至智能手机和 PC 所使用的消费级内存。SigmaIntell 称，部分客户已经接受涨价，相关变化已反映到市场价格中。 供给端的压力来自产能重新分配。SigmaIntell 表示，第二季度存储厂商优先保障 HBM、服务器 DRAM 和企业级 SSD 等高附加值产品，导致消费级内存供应趋紧。由于成本压力上升，部分智能手机和 PC 品牌正在调整内存订单。 这也意味着，DRAM 价格在下半年的上涨速度可能有所放缓。相比中高端产品，低端终端所使用的内存需求预计将更明显降温。 当前，半导体晶圆资源正持续向高带宽内存 HBM 集中，消费级 DRAM 产能相对被压缩。HBM 通过年度客户合约维持较稳定价格，但供需失衡仍然严重。通用服务器 DRAM 也出现行业性涨价趋势，云厂商持续补充 DRAM 库存，渠道库存维持在约两到三周的低位。 消费电子市场因此承压。高附加值内存产品扩产、额外产能建设受限以及低库存水平叠加，使消费级 DRAM 短缺局面延续。 NAND 市场同样延续上涨。SigmaIntell 称，今年第二季度 SSD 价格环比上涨约 50%。企业级 NAND 产品需求依然强劲，价格波动并未削弱采购意愿。AI 集群和 AI agent 服务器扩容，正在推动对高性能、大容量存储设备的需求。 涨价压力也向移动和 PC NAND 扩散。UFS 价格最高上涨 100%，原因是企业级 SSD 需求扩张挤占供应，同时低容量 eMMC 等低端 NAND 供应减少，使消费级 NAND 供需也趋于紧张。 整体来看，AI 基础设施扩张正在改变存储产业的价格传导路径。过去主要集中在 HBM 和服务器 DRAM 的紧缺，正通过产能分配和晶圆资源挤压，传导至手机、PC 和消费级存储市场。对于终端品牌而言，内存和闪存成本上行可能成为下半年利润率和产品定价的重要变量。

08-04 17:15

长鑫存储拟年底小规模生产LPDDR6手机存储芯片

Odaily星球日报讯 知情人士透露，长鑫存储（CXMT） 准备在今年年底前小规模生产先进低功耗存储芯片 LPDDR6，若原型测试顺利，公司后续将推进量产。LPDDR6 是面向智能手机和笔记本电脑的下一代低功耗存储芯片，可提升数据传输速度和能效表现，并支持本地 AI 应用运行。（BloomBerg）

07-28 17:09重要

SK海力士将于下半年量产 LPDDR6，首批供货小米旗舰手机

火星财经消息，SK海力士宣布将于今年下半年正式量产 16Gb LPDDR6 低功耗移动DRAM，首批产品将搭载于小米下一代旗舰智能手机。该产品于 3 月 完成开发，采用 10nm 级第六代（1c） 工艺，较前代在数据处理速度和能效方面均有提升。SK海力士自 2013 年 起向小米供应LPDDR产品，双方长期保持合作。LPDDR主要用于智能手机和平板电脑等移动设备，兼具低功耗与高性能特性。近期受AI服务器需求拉动，LPDDR价格持续走高，合约价格不断上涨，第一季全球移动DRAM营收环比增长 64.5%。SK海力士与三星电子已在LPDDR6量产准备上领先于美光。此外，LPDDR6的量产有望加速 SO-CAMM（低功耗内存模组）市场的竞争，该产品被视为AI服务器CPU的配套方案。英伟达CEO黄仁勋曾于 6 月 在台北国际电脑展上到访SK海力士展台，为 192GB SO-CAMM留下 “LOVE SOCAMM” 题词。

07-12 15:06

机构：HBM4价格今年下半年或涨至4-5美元/千比特 AI需求与产能瓶颈致全球DRAM半数产能被大厂锁定

火星财经消息,DigiTimes报告显示，受AI需求激增、产能结构性瓶颈影响，下一代HBM4价格2026年下半年或从2美元/千比特涨至4-5美元及以上。这一方面是因为HBM4制造过程的极端复杂性：其生产周期长达四到六个月，且初始良率显著偏低；另一方面，HBM的生产耗用的晶圆容量约为标准DDR5 DRAM的三倍，严重限制了制造商在现有设施中可生产的总内存量。进一步加剧供应紧张局面的是，当前全球HBM三大主要生产商——三星电子、SK海力士和美光科技正通过与一级AI客户签订为期三到五年的长期协议，锁定全球内存供应。据DigiTimes预测，到2027年，全球DRAM总产能中约有一半将完全无法提供给小型买家。(财联社)

06-25 18:32

Critini分析师：存储市场难现全面崩盘，HBM需求将吸收DDR产能

火星财经消息，6 月 25 日，Critini Research 分析师 Jukan 表示，假设未来 DDR 内存供应增加，DDR 价格面临下行压力。那么，厂商可以通过将部分 DDR 产能转向 HBM（高带宽内存）产能来进行对冲，从而避免整个存储市场价格出现大幅崩跌。 换句话说，即便 DDR5 价格最终「回归正常」，重新回落到此前的水平——尽管个人认为当前的 DDR 价格很可能已经成为新的常态——这也并不意味着整个存储芯片市场会随之崩溃。原因在于，HBM 带来的巨大需求将持续吸收原本用于生产通用型 DRAM 的产能，从而为存储器价格提供下行支撑。