ASML和贝思半导体在跌至8%至8.7%后自动停牌
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Citrini分析师：中国DUV取得进展并不意外，ASML等半导体设备股抛售过度
火星财经消息，7 月 28 日，Citrini 分析师 Jukan 在社交媒体发文表示，中国在 DUV 光刻技术方面取得进展的消息并不特别令人意外，市场此前已对此形成一定预期。他指出，The Information 的相关报道仅援引中国某所交通大学教授在 6 月一次内部会议上的发言，并未披露更多实质性信息。Jukan 认为，受此消息影响，ASML 等半导体设备股出现的抛售反应过度。 此前报道，据 The Information 援引知情人士消息，一家获中国国有资本支持的企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，标志着中国半导体产业国产化替代取得关键进展。 消息人士称，该企业计划于 2026 年生产约 5 台国产 DUV 光刻机，并在 2027 年扩大至约 20 台。虽然与荷兰光刻机巨头 ASML 去年交付 131 套浸没式 DUV 光刻系统相比仍存在差距，但国产设备进入量产阶段，被市场视为中国芯片供应链自主化的重要突破。
受“国产DUV光刻机开始量产”影响，ASML美股盘中跌超7%
Odaily星球日报讯 受“某国企已开始量产 DUV 光刻机”消息影响，荷兰光刻机制造巨头 ASML Holding（ASML）美股盘中跌超 7%，暂报约 1633 美元。 此前消息，The Information 援引知情人士消息，一家获中国国有资本支持的企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，这是中国半导体产业推进国产化替代的重要进展。
国产浸没式DUV光刻机开始小批量生产，今年首批量产5台
PANews 7月27日消息，据The Information报道，上海一家国资背景公司已开始小批量生产国产浸没式DUV光刻机，今年计划出货约5台，2027年增至约20台。首批设备将交付中芯国际、华虹半导体和长鑫科技，晶圆厂需验证精度、稳定性及与现有产线的衔接，流程或持续数月甚至更久。报道称，该设备多数部件已国产化，但部分关键零部件仍依赖日本，整体性能和制造质量仍落后ASML，而ASML在2025年单年交付的浸没式DUV光刻机约为131台，国产设备距离大规模替代仍有差距。
币安今日将新增ALABB、ASMLB、ASTSB等10个bStocks交易对
PANews 8月5日消息，据官方公告，币安将于2026年08月05日20:00（东八区时间）上线Astera Labs（ALABB）、ASML（ASMLB）、AST SpaceMobile（ASTSB）、BitMine Immersion Technologies（BMNRB）、Coherent（COHRB）、Credo Technology Group Holding Ltd（CRDOB）、IREN Limited（IRENB）、Netflix（NFLXB）、Super Micro Computer（SMCIB）和USA Rare Earth（USARB）交易对及现货算法订单服务。
中国DUV量产叠加AI资本开支担忧等因素，引发美韩半导体板块抛售，韩国KOSPI指数触发熔断
BlockBeats 消息，7 月 28 日，韩国 KOSPI 指数今日下跌 8% 触发熔断机制，SK 海力士跌超 12%，三星电子跌超 10%，美股周一费城半导体指数一度跌超 5%。本轮美股与韩股半导体板块大跌，主要由中国芯片产业进展、AI 资本开支担忧及投资者高位获利了结等因素共同推动。 中国在半导体制造设备领域取得进展，中国企业已开始量产自主研发的 DUV（深紫外）光刻机制造设备，引发半导体设备股抛售，阿斯麦（ASML）大跌 5.80%。不过，三星证券指出，相关设备仍需验证量产能力，短期产量有限，且中国 AI 芯片和服务器 DRAM 暂难进入美国数据中心生态，对本轮 AI 半导体周期的实际影响有限。此外，Citrini 分析师 Jukan 表示，中国在 DUV 光刻技术方面取得进展的消息并不特别令人意外，市场此前已对此形成一定预期。The Information 的相关报道仅援引中国某所交通大学教授在 6 月一次内部会议上的发言，并未披露更多实质性信息。ASML 等半导体设备股出现的抛售反应过度。 摩根大通认为，中国国产浸没式 DUV 光刻设备虽已开始小规模生产，并计划于 2026 年和 2027 年分别生产约 5 台和 20 台，但其性能、可靠性及大规模量产能力仍需进一步验证，距离真正替代 ASML 设备尚远。近期 ASML 等半导体股下跌更多源于市场情绪恶化，而非基本面受损，ASML 的业绩轨迹预计不会因此改变。 长鑫科技上市首日上涨 466%，成为中国市值最大的 A 股上市公司，市场认为中国存储产业自给化进程可能加速。分析认为，长鑫科技完成亚洲今年规模最大的 IPO 后，意味着公司资本更充足，进一步提升其未来扩产、技术研发等能力。给全球存储芯片龙头造成长期竞争压力。受此影响，存储板块全线下跌，闪迪（SNDK）跌 11.02%、海力士（SKHY）跌 7.47%、西部数据（WDC）跌 4.21%。 与此同时，英伟达近期公布 7500 亿美元的大规模基础设施合作重新引发市场对 AI 资本开支回报、循环融资及供应商融资风险的担忧。投资者开始质疑巨额数据中心投入能否转化为足够收入，相关担忧进一步压制芯片股估值。英伟达的债务违约保险成本飙升，引发科技股走低，英伟达（NVDA）跌 4.99%。野村资产管理公司首席策略师 Hideyuki Ishiguro 表示，在有关英伟达重大投资交易的报道后，其信用风险上升，这
三星证券：中国DUV进展对本轮AI芯片周期影响有限，美股半导体股抛售反应过度
BlockBeats 消息，7 月 28 日，三星证券半导体及 IT 分析师 Lee Jong-wook 发布报告称，多家媒体 7 月 27 日报道，中国一家国家支持企业的浸没式 DUV 光刻设备可能进入量产阶段，计划面向中芯国际和长鑫存储于 2026 年生产 5 台、2027 年生产 20 台，但目前仍需验证量产能力。作为对比，ASML 2025 年共出货 131 台浸没式 DUV 设备，主要用于生产 7nm、14nm 及 28nm 芯片。 报告称，该进展并非全新消息。2025 年已有消息称，上海一家与华为有关联的企业正在研发 193nm 浸没式 DUV，本次量产项目也被认为由同一开发团队主导。其意义在于，这是中国首次实现浸没式平台国产化；暂不考虑性能差距，相当于掌握了 ASML 约 2008 年的技术水平，对 ASML 等全球设备企业构成负面影响。 中国半导体对本轮 AI 芯片周期的影响有限，因为本轮周期的核心仍是美国超大规模云服务商与英伟达的数据中心生态。AI 芯片和服务器 DRAM 并非同质化商品，质量与现场故障率会直接影响总拥有成本，产品验证也需要较长时间；叠加地缘政治风险，中国 AI 芯片和 DRAM 短期内难以进入美国数据中心生态。 中国 DUV 消息从设备股扩散至美国半导体股下跌，属于「尾巴摇动身体」的典型现象，更多反映当前半导体板块情绪脆弱。中国因素影响的是下一轮周期低点的深度，而非本轮周期何时见顶，且已较大程度反映在三大存储厂商约 5 倍的市盈率中。当前真正需要观察的是，是否出现能够证明本轮 AI 数据中心投资已经见顶的证据。