韩媒：三星、SK海力士加码HBM研发与投资
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SK海力士加速部署iHBM技术，新一代HBM散热能力提升30%
火星财经消息 10月22日，据报道，韩国存储芯片巨头SK海力士正在推动新一代iHBM（Integrated High Bandwidth Memory）技术迈向量产阶段，并已开始讨论相关量产计划。面对人工智能产业快速发展带来的算力需求激增，高带宽存储器（HBM）的散热问题正成为影响性能提升的重要瓶颈，而iHBM被视为解决这一难题的重要技术路线。iHBM将在芯片间物理层（D2D PHY）中放置称为集成冷却元件（ICE）的冷却元件，以降低高达30%的热阻。（广角观察）
三星电子将按英伟达要求采用TSMC 3nm工艺制造NVHBM基础裸片
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，据韩国媒体报道，三星电子已决定应英伟达要求，采用 TSMC 3nm 工艺制造 NVHBM 基础裸片。三星电子尚未完全排除使用自有晶圆代工产线，并正在验证在 NVHBM 需求超过 TSMC 产能的情况下于内部生产基础裸片的可行性。
三星与 SK 海力士应对 HBM4E 散热，AI 中介层或扩至 40 倍
火星财经消息，TrendForce 10 月 12 日援引 Chosun Biz 报道，随着 AI 封装容纳更多计算与存储芯片，连接计算芯片与 HBM 的中介层预计大幅变大，下一代 HBM 散热更重要。三星电子正准备多项技术，应对计划于明年开始量产的 HBM4E 散热挑战。当前 AI 中介层面积已约为 EUV 光刻机单次曝光最大面积 858 平方毫米的 5.5 倍。半导体设备业人士预计，承载 HBM 的中介层可能扩大到该面积的 9 倍、12 倍，最终约 40 倍。原因包括制程微缩受限和 chiplet 式 2.5D 封装普及，单一先进制程芯片难以满足 AI 算力需求，多个计算 chiplet 与 HBM 堆叠被放在同一中介层上。三星考虑混合铜键合与热路径块。前者以铜对铜直接连接取代堆叠 DRAM 晶粒间的微凸点，可缩小层间间隙、使堆叠更薄并改善散热，三星曾在 2026 年 3 月 NVIDIA GTC 展示。热路径块在 HBM 基底晶粒负责与 GPU 高速传输的 D2D PHY 区域建立专用热路径，三星正用 HBM4E 验证，并计划在 HBM5 导入。据 ETNews，SK 海力士的 iHBM 在热量集中的 D2D PHY 周围放置高导热但电绝缘的冷却材料，预计可将热阻降低约 30%。
长江存储 2026 年底试产 LPDDR5，长鑫拟进军 NAND
火星财经消息，全球存储器持续严重缺货，AI 及云端应用推升 DRAM 与 NAND Flash 需求与价格。中国两大存储器厂长江存储与长鑫存储将打破各占半壁江山的格局。长江存储跨入 LPDDR5 DRAM 将于 2026 年底试产，长鑫存储要从 DRAM 抢进 NAND Flash。业界推测两家最快 2028 年正面交锋。长江存储以 Xtacking 技术完成 294 层 3D NAND 开发，三星 2025 年与其达成专利许可协议，从第 10 代 V-NAND 起采用相关专利。长江存储三期计划 2026 年底投产，初期约 2.5 万片 DRAM 产能，2027 年完成爬坡，瞄准 LPDDR5，并规划后续扩产及 HBM、3D DRAM。长鑫传出将在北京设置 NAND 研发生产线，估计最快 2028 至 2029 年量产。
预计至少翻倍，三星电子明年扩大HBM4和HBM4E生产
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，三星电子预计明年将至少把 HBM4 和 HBM4E 产量提升至今年的两倍，并计划将用于 HBM 生产的玻璃载板外包清洗量从今年每月 2 万片增至明年每月 5 万片。 三星电子今年 2 月已开始量产出货 HBM4，并于 5 月向包括英伟达在内的客户提供 HBM4E 12 层堆叠样品。行业预计，三星电子 HBM 月均晶圆投入量将从今年约 18 万片增至明年约 25 万片，HBM4 系列出货占比或从约 40%升至约 80%。
三星电子据报将新增DDR5内存模组产能全部交由外包
火星财经消息 9月16日，据报道，三星电子计划将新增的传统内存模组产能全部交由封装测试（OSAT）合作伙伴扩充，重点生产用于PC、服务器和笔记本电脑的DDR5内存模组及固态硬盘（SSD），自身产能则集中于高带宽内存（HBM）等高价值产品。（广角观察）