韩媒：三星电子与SK海力士或推迟下一代HBM混合键合技术导入
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韩媒：三星、SK海力士加码HBM研发与投资
Odaily星球日报讯 韩国三星电子和 SK 海力士正加速布局 HBM 及下一代存储技术，以维持领先优势。三星电子表示，第二季度研发投入达到创纪录的 16 万亿韩元（约 116 亿美元），并计划扩大 HBM4、HBM4E、DDR5 等高端存储产品布局。 SK 海力士则正在开发 HBM5、混合键合及 iHBM 等下一代技术，预计今年资本支出规模达到40万亿韩元（约 326 亿美元）。（newsis）
HBM4良率提升至80%，三星计划将第三季度营收提高逾3倍
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发文表示，据韩国媒体报道，三星已将 HBM4 良率提升至 80%。今年 2 月量产初期，HBM4 良率仍低于 60%，六个月内实现明显提升。一名韩国媒体引述的行业人士表示，年末良率目标原定为 80%，但随着下半年产量正式扩大，工艺改进速度超出预期。据报道，随着 HBM4 良率快速达到预期，三星已决定将第三季度 HBM4 营收环比提高逾 3 倍，并制定计划，使 HBM4 在下半年占 HBM 总营收的比例超过 60%。此外，三星还设定了年末提高 HBM 市场份额的目标，计划达到与其 DRAM 市场份额相当的水平，约为 38%。
“不安与期待只是硬币两面”：SK海力士股价回调但仍被机构看好，市场聚焦HBM4技术护城河
Odaily星球日报讯 SK 海力士股价近期出现回调，8 月 3 日股价下跌 8.79%，虽然随后 8 月 4 日和 5 日分别小幅反弹 0.64%和 5.77%，但在 8 月 6 日股价又大跌 10.37%，收于 149.5 万韩元；8 月 7 日进一步下跌 4.88%，收报 142.2 万韩元。 在市场波动加剧背景下，SK 集团发布广告引用创始人崔钟贤（최종건）的名言：“绝望与希望是一枚硬币的两面，可以像翻转手掌一样将绝望转变为希望”并将其改写为：“AI 时代的不安与期待也是硬币的两面，可以将不安转变为期待”，借此传递对 AI 产业长期发展的信心。 证券机构认为，短期股价波动并未改变 SK 海力士的基本面，市场应关注其 HBM4 技术领先优势以及长期供货协议（LTA）带来的业绩稳定性，其中： 1、现代汽车证券预计 SK 海力士第三季度 DRAM 和 NAND 比特增长率分别达到 9.7%和 1.5%，随着 HBM4 销售贡献扩大，即使长期供货协议占比提升，DRAM 平均售价（ASP）仍有望环比上涨 19.9%。OpenAI、Anthropic 等企业正在推进自建超大型 AI 数据中心，并计划通过 IPO 融资投入相关建设，即使部分大型科技公司未来调整资本开支（Capex），也可能被其他 AI 基础设施需求抵消。此外针对中国长鑫存储（CXMT）带来的竞争担忧，考虑到美国持续强化半导体设备出口限制，以及美光扩大美国本土投资，苹果等主要企业采用中国存储芯片的可能性较低。 2、SK 证券同样看好 SK 海力士竞争优势，认为凭借 HBM 领域领先地位、与北美主要 GPU 企业的合作关系，以及 AI 驱动的 LTA 需求，SK 海力士在市场中的位置依然稳固。目前 HBM 供需满足率不足 70%，长期供货协议的核心价值在于通过客户与供应商之间的“相互绑定结构”，确保利润持续性和业绩稳定性。随着 ADR 上市等价值重估举措推进，以及出售与铠侠（Kioxia）相关 SPC 资产带来的分红收益，公司达到净现金 100 万亿韩元目标的时间可能提前。未来股东回报政策逐步明确，将有助于市场重新认识 LTA 模式价值，并推动 SK 海力士估值进一步提升。（Daum）
三星探索内存新技术：垂直堆叠于AI加速器之上，密度超传统HBM5十倍
BlockBeats 消息，8 月 5 日，三星电子在美国加州圣克拉拉举行的未来存储与内存大会（FMS）上推出其 V10 Bonding V-NAND，即 BV-NAND 原型产品。 该芯片拥有超过 400 层结构，并采用全新的晶圆键合架构，以提高存储密度并增强性能。三星表示，其 BV-NAND 技术较上一代 V9 NAND 将存储密度提高约 58%，同时提升读取、写入以及输入/输出性能，以满足人工智能系统对更高容量、更高能效存储解决方案日益增长的需求。 三星还展示了其称业界首款 zHBM 和 zNAND-O 架构概念模型。该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据。不同于传统 HBM 与 AI 处理器并列封装的方式，三星的 zHBM 会将存储垂直堆叠于 AI 加速器之上，以缩短数据传输距离，提高带宽，同时提升能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统 HBM5 内存 10 倍的存储密度，同时将能源效率提高 3 倍，并将热阻降低一半以上。
三星电子新设BEOL工艺组织，聚焦HBM4等高附加值内存
Odaily星球日报讯 三星电子半导体部门近期在内存业务部蚀刻技术团队内组建 BEOL 工艺组织，计划本月完成组建并在平泽园区启动运营，初期人员约 30 人。 该组织多数成员为高年资工程师，讨论方向包括用于 HBM 等高附加值内存的 BEOL 工艺技术、人员配置及供应链运营强化。 BEOL 是半导体前工序后段的金属布线形成工艺，用于在晶圆器件形成后连接各器件并传输信号。三星电子今年上半年开始出货 HBM4，其 I/O 数量为 2048 个，较上一代增加一倍。 在有限芯片面积内增加 I/O 数量需要更密集布线和更小线宽，对金属布线形成及蚀刻精度提出更高要求。该组织仍处于组建初期，具体运营方向和目标将后续明确。
SemiAnalysis：SPHBM4将AI芯片复杂工程负担转移至基板层
Odaily星球日报讯 SemiAnalysis 在 X 平台发文表示，SPHBM4 将 AI 芯片的复杂工程负担转移。芯片制造商将不再购买价格极高的专有“硅中介层+ABF 基板”组合，而是完全转向购买超大尺寸、高层数 ABF 基板，或在性能需求被直接推向基板层的情况下提前采用玻璃基板。基板热潮刚刚开始。