三星探索内存新技术：垂直堆叠于AI加速器之上，密度超传统HBM5十倍
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闪迪专利曝光3D存算架构：HBM与NAND分层协同
火星财经消息 6月22日消息，闪迪近日披露一项专利显示，公司提出基于CBA存储晶粒的3D堆叠架构：将GPU或AI加速器等计算芯片直接集成在NAND/CMOS逻辑存储单元之上，并置于中介层，周围堆叠HBM芯片。其中HBM负责高带宽低延迟访问，NAND层承担大容量读写与存储任务。 该设计旨在缓解HBM容量受限问题（单堆约32–64GB）。此前闪迪提出HBF架构，通过TSV垂直堆叠NAND，容量可达4TB，较HBM提升8–16倍，但仍面临延迟与系统集成复杂度挑战。相较DRAM，NAND具备更高容量与更低成本，但访问速度更慢。新架构通过3D分层，实现了两者的完美互补。（钛度车库）
铠侠与闪迪发布全球最高密度3D NAND闪存，332层QLC接口速率达4800MT/s
BlockBeats 消息，8 月 5 日，铠侠（Kioxia）与闪迪（Sandisk）在 Future of Memory and Storage Conference（FMS）上正式发布最新 BiCS10 3D QLC NAND 闪存芯片，号称目前全球已正式推出的最高存储密度 3D NAND 产品。 据介绍，该芯片采用 332 层堆叠结构，单位面积存储密度达到 37 Gb/mm²，搭载最高 4800 MT/s 高速接口，并支持独立命令地址（SCA）功能，主要面向高容量数据中心级 SSD 市场。 相比此前两家公司推出的 BiCS10 3D TLC NAND 产品，其存储密度超过 29 Gb/mm²，新款 QLC NAND 进一步提升了数据中心存储容量密度。业内预计，在采用相近芯片尺寸和存储单元数量的情况下，该芯片容量可能达到约 1.33Tb，但厂商尚未公布具体容量规格。 为满足数据中心对高性能与低功耗的需求，铠侠与闪迪还引入低功耗隔离低抽头终端（PI-LTT）技术，在提升高速信号完整性的同时降低输出驱动功耗。 两家公司表示，基于最新 BiCS10 制程工艺，新一代 QLC NAND 不仅实现更高位密度，也有望在产能爬坡后降低制造成本，从而支持更高容量 SSD 以更具竞争力的价格进入市场。
DigiTimes：2027年DRAM与HBM产能已售罄
BlockBeats 消息，8 月 4 日，据 DigiTimes 报道，2027 年全年 DRAM 与 HBM 产能已提前售罄。NAND 闪存供应虽然没有 DRAM 紧张，但预计其 2027 年产能预订也将在本月底前全部完成。 产业链消息人士称，部分企业并未公开承认需要在本月内锁定存储供应，因为担心更多厂商加入产能争夺后，自身能够获得的配额进一步减少。目前，存储制造商通常仅交付客户最初申请量的 60% 至 70%，并优先满足云服务商及大型 AI 企业的需求。 受此影响，智能手机及 PC 制造商 2027 年能够获得的 DRAM 数量预计将较 2026 年明显下降。DigiTimes 称，在产能几乎全部售罄的情况下，尚未敲定采购量的企业明年可能面临更严重的「想买也买不到」局面。 报道还称，高位存储价格将成为常态。随着产能争夺缓和，2027 年价格涨幅可能低于此前的急剧上涨，但整体供应缺口以及终端产品行业承担的成本压力短期内仍难缓解。
SK海力士财报：Q2营业利润60.5万亿韩元低于市场预期，已实现HBM4量产出货，预计资本支出将达高位
BlockBeats 消息，7 月 29 日，SK 海力士财报披露，第二季度已实现 HBM4 量产出货，并将于下半年扩大生产与供应；HBM4E 样品上半年已交付，采用最优制程工艺。公司强调将凭借高质量、高良率、稳定供应、成本竞争力及最高性能，持续巩固 HBM 领先地位。同时已与 10 家客户签署长期芯片供应协议，以提升中长期需求可见性并应对价格波动，正评估额外股东回报措施以增强回报规模与持续性。预计 2026 年资本支出将达到 40 万亿韩元区间高位。 第三季度 DRAM 出货量预计环比增长约 10%，NAND 出货量环比增长处于低个位数水平。随着供应紧张缓解和 AI 应用扩展，智能手机与 PC 增长势头将逐步恢复，但因内存供应挑战，相关销售将临时调整。AI 模型与软件效率提升将扩大使用可及性并推动基础设施需求。2026 年 DRAM 市场需求同比增长预计处于 20%-30% 区间中部，NAND 同比增长处于 10%-20% 区间高端。
高盛观点：存储市场显露结构性变化，NAND部分替代DRAM用以降本成为实际趋势
BlockBeats 消息，7 月 16 日，Citirni 分析师 Jukan 引述高盛月度电话会议的内存板块点评，客户对 DRAM 接近 30% 的价格涨幅表现出强烈抵制，因此小幅下调第三季度 DRAM 价格增长预期。与此同时 NAND 前景变得更为乐观——AI 相关的 KV Cache 卸载需求持续超预期，叠加市场上出现用 NAND 替代昂贵 DRAM 的新兴趋势，进一步支撑 NAND 需求。分析师对 SK 海力士第二季度业绩持正面看法，预计营收约 85 万亿韩元，毛利率高达 63%，相关标的包括 SK 海力士、美光及闪迪。 点评还透露出存储市场的结构性变化。此前 AI 服务器对 HBM 的爆发式需求带动 DRAM 价格飙升，但当涨幅触及 30% 后客户开始抗拒继续涨价，涨价斜率面临阶段性放缓。而 NAND 正在抢占 AI 基础设施中的新角色——KV Cache 在推理场景中至关重要，用较便宜的 NAND 部分替代昂贵的 DRAM 以降低成本正在成为实际趋势。这种分化也意味着存储产业链内部资金轮动或将延续，投资者对 DRAM 相关标的短期盈利预期需更谨慎，而 NAND 端的基本面改善可能还未被充分定价。
存储股回调过度？机构澄清英伟达内存「减配」争议：HBM需求未受影响
BlockBeats 消息，6 月 6 日，受 SemiAnalysis 关于英伟达下一代 Vera Rubin NVL72 服务器平台内存配置调整的报告影响，全球存储板块集体回调。6 月 5 日，SK 海力士大跌 9.92%，A 股存储器指数下跌约 4%，佰维存储、江波龙、澜起科技、兆易创新等个股跌幅居前；此前一个交易日，美光科技收跌 7.74%。 报道称，英伟达拟将 Vera CPU 搭配的 SOCAMM 系统内存容量由 192GB 下调至 96GB，预计单机架成本可从 760 万美元降至 680 万美元，节省约 10%。市场一度担忧 AI 服务器存储需求减弱。 不过，多家机构随后指出，此次调整仅涉及 CPU 侧可插拔 SOCAMM 内存模组，属于阶段性弹性配置优化，并非永久性硬件降级，与 GPU 核心算力相关的 HBM 高带宽内存需求并未受到影响。 此前，摩根士丹利曾预计，英伟达新一代 Vera Rubin（VR200）机架价格约为 780 万美元，其中内存相关物料成本较上一代增长超过 435%。业内人士亦表示，AI 硬件瓶颈正逐渐从算力转向内存和互联。 今年以来，全球存储板块持续走强，市场逐步将存储行业估值逻辑从传统周期股转向「AI 基础设施资产」。不过，随着估值快速抬升、交易拥挤度增加，任何涉及存储需求变化的消息均可能引发市场波动。 尽管短期出现回调，多家产业链企业仍看好行业景气度延续。佰维存储表示，AI 算力需求带动供需缺口短期内难以缓解，产品价格仍存在上涨空间；部分厂商预计，供不应求状态有望持续至 2027 年。CFM 闪存市场数据显示，2026 年第一季度全球 DRAM 和 NAND Flash 市场规模达到 1371.4 亿美元，创历史季度新高。