HBM4良率提升至80%，三星计划将第三季度营收提高逾3倍
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SK海力士DRAM市场份额仅领先美光约1个百分点，HBM价格变化成关键因素
BlockBeats 消息，8 月 4 日，Citrini 分析师 Jukan 援引 Counterpoint Research 数据称，2026 年第二季度 DRAM 市场份额数据显示，SK 海力士按营收计算的市场份额仅领先美光约 1 个百分点。 Jukan 表示，这一结果与市场此前预期有所不同，主要原因在于 HBM3E 价格并未持续上涨，而是在重新谈判后出现下调，同时 HBM4 推出延期也影响了 SK 海力士的增长预期。 此外，SK 海力士较早签署长期供应协议（LTA），其固定供应价格据称低于竞争对手，也影响了营收市场份额表现。 市场此前普遍认为，凭借 HBM3E 供应优势，SK 海力士将在 AI 存储需求增长周期中扩大领先优势。但最新数据表明，美光正在缩小与 SK 海力士之间的差距。
Citrini分析师jukan：Samsung Foundry 6月实现月度盈利，为2023年以来首次
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，据韩国媒体报道，Samsung Foundry 6 月实现月度盈利，为 2023 年以来首次。随着 6 月月度利润转正，Samsung 内部据称认为其自第三季度开始实现盈利转向的可能性提高。HBM4 基础裸片采用 Samsung 4 纳米制程生产被视为推动转向的关键因素，良率改善也被视为支撑月度利润转正的主要因素。 行业消息人士估计，Samsung 4 纳米制程良率已提升至约 80%。
Citrini分析师：中国CXMT测试键合DRAM试产线，韩媒称其技术与开发速度或领先韩国对手
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线，目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM，并不需要 EUV 设备。 Samsung Electronics 正在“B1b”项目下开发自有键合 DRAM，SK hynix 也在推进类似技术。韩媒警告称，有评估认为 CXMT 目前可能在该技术本身及开发速度方面领先韩国竞争对手。
Citrini观点：英伟达护城河依然深厚，HBM4成本翻倍推升Rubin售价，高毛利与强定价权未受动摇
火星财经消息，7 月 28 日，Citrini 分析师 Jukan 引用富邦证券《2027 半导体展望》报告指出，尽管 HBM4 成本将从 HBM3e 的 17-18 美元/GB 大幅跳升至 2026 年的 31-32 美元/GB，推升英伟达 Rubin GPU 售价至约 7.8 万至 8 万美元，但英伟达仍能维持 75% 至 80% 的高毛利率水平，其定价权与成本传导能力未被动摇。报告中同时指出，定制 ASIC 的 HBM 成本可能更高，达到 35-36 美元/GB，意味着 2027 年 HBM 成本将翻倍。 富邦证券报告对 AI 市场需求保持乐观，认为尽管市场近期担忧 AI 通胀，但 Token 成本仍是驱动云服务商资本支出的更重要因素。在架构层面，英伟达新机架仍计划使用相同数量的计算芯片，机架内仍用线缆做 Scale-up，机架间则用 NPO/CPO 做 Scale-out。此外谷歌计划 2028 年部署 1200 万至 1500 万颗 TPU，产能消耗较 2027 年翻倍以上；英特尔 EMIB 产能预计 2027 年底增至每月 2.4 万至 2.5 万片，台积电则放缓 SoIC 扩张以优先扩大 CoWoS 产能。 核心结论为：即便成本结构发生变化，英伟达在 AI 算力生态中的定价权、毛利率和需求支撑仍然构筑了难以撼动的竞争壁垒。
Morgan Stanley分析师转向看空存储，Citrini分析师称或为KOSPI回调因素之一
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发表示称，市场流传的一份摩根士丹利研究报告显示，分析师 Shawn Kim 已转向看空存储芯片行业。报告认为，NAND 模组厂库存已升至约 13 周，需求明显降温，预计第四季度 NAND 价格涨幅将放缓至约 5%，现货价格已连续两个月下跌；同时，长鑫存储（CXMT）正快速扩大产能，供需逐步趋于平衡。报告还指出，若 NAND 行情转弱，DRAM 亦应同步看空，并预计 HBM 市场增速将受限于约 40%。 Jukan 表示，其已向消息人士核实该报告属实，并称 Shawn Kim 近期一直持类似观点，这或是韩国 KOSPI 指数近几周持续回调的原因之一。
Citrini：预测2030年全球DRAM缺口达28.7EB记忆体市场或迈入长期供需紧张周期
BlockBeats 消息，7 月 16 日，市场研究机构 Citrini Research 最新预测，到 2030 年，全球 DRAM 市场仍将出现大规模供应缺口，规模预计达 28.7EB，约占当年总需求的 18%，对比今年全球总产能约 40EB。 根据 Citrini 的研究员 Zephyr 分享的数据，2030 年全球 DRAM(含 HBM) 需求预计达 157.5EB，供应能力仅约 128.8EB；其中普通 DRAM 将是最大瓶颈，预估供应约每年 91EB，需求却高达 120EB，缺口比例将从目前的 18% 扩大至 25% 左右。 报告强调，即便三星、SK 海力士、美光及中国厂商持续扩产，新增产能仍可能被飞涨的 AI 需求快速吸收。造成供需失衡的核心在于 AI 基础设施爆发，因大模型训练推理、HBM 成为 AI 加速器核心，连带推升传统服务器 DRAM 需求。在紧平衡下，DRAM 平均售价 (ASP) 可能长期维持高位，预计落在每 Gb1.5-2 美元，伺服器、PC 及消费电子记忆体成本将持续承压。