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来源ODAILY

Citrini分析师:中国CXMT测试键合DRAM试产线,韩媒称其技术与开发速度或领先韩国对手

Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示,韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线,目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM,并不需要 EUV 设备。 Samsung Electronics 正在“B1b”项目下开发自有键合 DRAM,SK hynix 也在推进类似技术。韩媒警告称,有评估认为 CXMT 目前可能在该技术本身及开发速度方面领先韩国竞争对手。
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