Apple开始测试CXMT DRAM，用于在中国销售设备
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Citrini分析师：中国CXMT测试键合DRAM试产线，韩媒称其技术与开发速度或领先韩国对手
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，韩媒报道称中国 CXMT 目前正在合肥测试一条键合 DRAM 试产线，目标是在不使用 EUV 光刻的情况下实现高性能 DRAM。键合 DRAM 是一种将存储单元阵列与外围电路分别在不同晶圆上制造、随后进行键合的技术。该方法可仅使用多重图形化的深紫外 DUV 光刻生产超高密度 DRAM，并不需要 EUV 设备。 Samsung Electronics 正在“B1b”项目下开发自有键合 DRAM，SK hynix 也在推进类似技术。韩媒警告称，有评估认为 CXMT 目前可能在该技术本身及开发速度方面领先韩国竞争对手。
Citrini分析师Jukan回应争议：承认过往不当行为并道歉，称将通过长期行动重建信任
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 Jukan 近日针对其过去网络活动引发的争议发布公开声明，承认部分被曝光的旧帖确由本人发布，并就过去的不当言论、未经授权传播他人信息以及信息来源标注不足等问题致歉。 Jukan 表示，近期 X 等社交平台流传了关于其过往网络行为的帖子和指控，承认其中部分内容确实是自己过去发布的，并表示不会回避应承担的责任，但希望区分已确认的事实与外界进一步推测的内容。自己年轻时长期活跃于多个网络社区，当时过度追求关注和互动，曾故意发布具有争议性的内容以吸引他人反应。回顾过去，Jukan 认为这些行为“不成熟且错误”，部分政治或社会观点并不完全代表其当前价值观，而是为了制造讨论和关注。 Jukan 表示，自 2024 年底开始关注半导体行业，最初主要整理和分享公开新闻及资料。随着账号增长，希望提供更多未被讨论的信息，但过程中再次出现来源标注不足、未经充分验证的信息与个人判断混合发布等问题。对于信息传播者而言，区分“已验证信息”“他人提供信息”和“个人推测”非常重要，而自己过去过度关注账号增长和内容输出，没有始终坚持应有的信息核实和引用标准。 不过，Jukan 强调，过去存在的信息来源问题并不意味着其所有内容均为虚假或抄袭，部分内容来自公开新闻、公司文件和研究报告，随着时间推移，也开始通过行业人士和市场参与者获取一手信息，并结合自身分析。 Jukan 表示，自己理解信任建立需要长期积累，但失去信任可能只需很短时间。他承诺未来将更加重视信息验证、标注原始来源，并明确区分事实、他人观点以及个人判断。
Morgan Stanley分析师转向看空存储，Citrini分析师称或为KOSPI回调因素之一
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 Jukan 在 X 平台发表示称，市场流传的一份摩根士丹利研究报告显示，分析师 Shawn Kim 已转向看空存储芯片行业。报告认为，NAND 模组厂库存已升至约 13 周，需求明显降温，预计第四季度 NAND 价格涨幅将放缓至约 5%，现货价格已连续两个月下跌；同时，长鑫存储（CXMT）正快速扩大产能，供需逐步趋于平衡。报告还指出，若 NAND 行情转弱，DRAM 亦应同步看空，并预计 HBM 市场增速将受限于约 40%。 Jukan 表示，其已向消息人士核实该报告属实，并称 Shawn Kim 近期一直持类似观点，这或是韩国 KOSPI 指数近几周持续回调的原因之一。
Citrini分析师jukan：Samsung Foundry 6月实现月度盈利，为2023年以来首次
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，据韩国媒体报道，Samsung Foundry 6 月实现月度盈利，为 2023 年以来首次。随着 6 月月度利润转正，Samsung 内部据称认为其自第三季度开始实现盈利转向的可能性提高。HBM4 基础裸片采用 Samsung 4 纳米制程生产被视为推动转向的关键因素，良率改善也被视为支撑月度利润转正的主要因素。 行业消息人士估计，Samsung 4 纳米制程良率已提升至约 80%。
分析：CXMT 产能见顶，DRAM 价格持续大涨
火星财经消息，分析指出，中国主要 DRAM 厂商 CXMT 月度晶圆产出已在 2025 年末触及约 24 万片峰值，并预计 2026 年维持持平。受美国对先进半导体设备尤其是 EUV 光刻机出口管制收紧影响，其扩产能力受限，实质性扩产最早要到 2027 年，且取决于本土设备供应链进展。高盛数据显示，CXMT 对国内 DRAM 需求覆盖率 2026 年仅约 41%，2028 年约 50%，呈现多年结构性瓶颈。TrendForce 数据显示，传统 DRAM 合约价 2026 年一季度环比大涨 90%-95%，二季度再涨 58%-63%，Jefferies 预计三、四季度仍将分别上涨 40%-50% 与 30%-40%。服务器 DRAM 涨幅更陡，三星与 SK 海力士向微软、谷歌等客户提出一季度 60%-70% 涨价。S&P Global 预计三星传统 DRAM 每比特收入 2026 年同比升 116% 至 0.79 美元，美光 ASP 升 54% 至 1.06 美元；Bernstein 预计 SK 海力士 DRAM 毛利率 2026 年四季度可达 92.7%。多方预测认为有效供应缓解最早要到 2027 年末甚至 2028 年。
分析师：中国DRAM厂商或于2027年进一步推进3D DRAM研发
Odaily星球日报讯 Citrini 分析师 jukan 在 X 平台发文表示，Goldman Sachs 与一位中国 DRAM 行业专家通话中，该专家认为，尽管良率可能更低，中国供应商的 DRAM 价格可与全球龙头相当；中国 DRAM 厂商可能于 2027 年在 3D DRAM 产品开发上取得进一步进展；合肥、上海和北京正在推进的产能扩张预计将于 2028 年全面投产；一些晶圆厂据称主要使用国产中国设备，除光刻系统等高端工具外。